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商品簡介
目次
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為了使相關讀者更深入了解掌握微電子工藝技術的原理，本書前部分主要介紹了集成電路制備工藝中有關的物理、化學知識，第4章至第10章是全書重點，介紹了工藝過程、工藝設備以及IC制備中的新技術、新方法。全書共分10章，主要內容涉及半導體硅材料及化合物的化學性質，高純水的制備，清洗技術，氧化、擴散、刻蝕、制版、外延、金屬化處理、電子封裝等主要工藝的原理等。 本書可作為高等院校相關專業的教材，也可作為教師和研究生的參考用書，同時也能供廣大從事微電子相關領域的工程技術人員參考。
目次
1 硅材料及硅化合物化學性質
1.1 硅單晶的化學性質
1.2 硅化合物的化學性質
1.3 高純硅制備的化學原理
參考文獻
2 微電子技術中的高純水制備
2.1 天然水中的雜質
2.2 微電子技術工程用水
2.3 離子交換法制備純水
2.4 電滲析法制備純水的原理
2.5 反滲透法制備純水的原理
參考文獻
3 微電子技術中的化學清洗
3.1 晶片表面清洗的重要性
3.2 晶片清洗的基本理論和方法
3.3 顆粒吸附狀態分析及優先吸附模型
3.4 表面活性劑在化學清洗中的應用
3.5 硅片清洗的常用方法與技術
3.6 清洗工藝設備和安全操作
3.7 溶液清洗技術的現狀和發展方向
3.8 新型清洗技術
參考文獻
4 氧化工藝技術
4.1 二氧化硅膜在器件中的作用
4.2 二氧化硅的結構和性質
4.3 二氧化硅膜制備的化學原理
4.4 二氧化硅一硅界面的物理性質
4.5 二氧化硅玻璃中的雜質
4.6 雜質在二氧化硅中的擴散
4.7 二氧化硅膜質量的檢驗
參考文獻
5 擴散工藝技術
5.1 擴散原理與模型
5.2 常用擴散雜質的化學性質
5.3 擴散分布的測量分析
參考文獻
6 刻蝕工藝技術
6.1 濕法刻蝕
6.2 干法刻蝕
6.3 刻蝕技術新進展
參考文獻
7 制版工藝技術
7.1 制版工藝過程
7.2 超微粒干版制備的化學原理
7.3 鉻版制備技術
7.4 氧化鐵版制備的化學原理
參考文獻
8 外延生長技術
8.1 硅外延技術在IC發展中的作用
8.2 硅外延生長的化學原理
8.3 外延生長動力學
8.4 外延層中雜質濃度分布
8.5 硅烷熱分解法外延與選擇外延
8.6 外延層上的缺陷及檢驗
8.7 硅外延自摻雜效應及控制
8.8 硅外延片滑移線產生及消除技術
8.9 硅外延生長的工藝優化——反向補償法
參考文獻
9 金屬化處理技術
9.1 化學氣相沉積金屬過程
9.2 物理氣相沉積金屬過程
9.3 電極制備
參考文獻
10 電子封裝技術
10.1 封裝技術概述
10.2 陶瓷封裝
10.3 塑料封裝
10.4 封裝的化學原理
參考文獻
1.1 硅單晶的化學性質
1.2 硅化合物的化學性質
1.3 高純硅制備的化學原理
參考文獻
2 微電子技術中的高純水制備
2.1 天然水中的雜質
2.2 微電子技術工程用水
2.3 離子交換法制備純水
2.4 電滲析法制備純水的原理
2.5 反滲透法制備純水的原理
參考文獻
3 微電子技術中的化學清洗
3.1 晶片表面清洗的重要性
3.2 晶片清洗的基本理論和方法
3.3 顆粒吸附狀態分析及優先吸附模型
3.4 表面活性劑在化學清洗中的應用
3.5 硅片清洗的常用方法與技術
3.6 清洗工藝設備和安全操作
3.7 溶液清洗技術的現狀和發展方向
3.8 新型清洗技術
參考文獻
4 氧化工藝技術
4.1 二氧化硅膜在器件中的作用
4.2 二氧化硅的結構和性質
4.3 二氧化硅膜制備的化學原理
4.4 二氧化硅一硅界面的物理性質
4.5 二氧化硅玻璃中的雜質
4.6 雜質在二氧化硅中的擴散
4.7 二氧化硅膜質量的檢驗
參考文獻
5 擴散工藝技術
5.1 擴散原理與模型
5.2 常用擴散雜質的化學性質
5.3 擴散分布的測量分析
參考文獻
6 刻蝕工藝技術
6.1 濕法刻蝕
6.2 干法刻蝕
6.3 刻蝕技術新進展
參考文獻
7 制版工藝技術
7.1 制版工藝過程
7.2 超微粒干版制備的化學原理
7.3 鉻版制備技術
7.4 氧化鐵版制備的化學原理
參考文獻
8 外延生長技術
8.1 硅外延技術在IC發展中的作用
8.2 硅外延生長的化學原理
8.3 外延生長動力學
8.4 外延層中雜質濃度分布
8.5 硅烷熱分解法外延與選擇外延
8.6 外延層上的缺陷及檢驗
8.7 硅外延自摻雜效應及控制
8.8 硅外延片滑移線產生及消除技術
8.9 硅外延生長的工藝優化——反向補償法
參考文獻
9 金屬化處理技術
9.1 化學氣相沉積金屬過程
9.2 物理氣相沉積金屬過程
9.3 電極制備
參考文獻
10 電子封裝技術
10.1 封裝技術概述
10.2 陶瓷封裝
10.3 塑料封裝
10.4 封裝的化學原理
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