半導體材料(第三版)（簡體書）

《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材：半導體材料（第3版）》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材，介紹了主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為矽、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為矽外延生長；第6章為Ⅲ-V族化合物半導體；第7章為Ⅲ-V族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-V族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為低維結構半導體材料；第11章為氧化物半導體材料；第12章為照明半導體材料；第13章為其他半導體材料。
《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材：半導體材料（第3版）》也可以作為從事與半導體相關研究工作的科研人員和相關專業研究生的參考書。

《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材:半導體材料(第3版)》是普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材之一。主要介紹半導體材料的制備方法及性能控制的原理。全書共13章，內容包括：硅和鍺的化學制備，區熔提純，晶體生長，硅、鍺晶體中的雜質和缺陷，硅外延生長等。

第三版前言
前言
緒論

第1章矽和鍺的化學製備
1-1矽和鍺的物理化學性質
1-2高純矽的製備
1-3鍺的富集與提純

第2章區熔提純
2-1分凝現象與分凝係數
2-2區熔原理
2-3鍺的區熔提純

第3章晶體生長
3-1晶體生長理論基礎
3-2熔體的晶體生長
3-3矽、鍺單晶生長

第4章矽、鍺晶體中的雜質和缺陷
4-1矽、鍺晶體中雜質的性質
4-2矽、鍺晶體的摻雜
4-3矽、鍺單晶的位錯
4-4矽單晶中的微缺陷

第5章矽外延生長
5-1外延生長概述
5-2矽襯底製備
5-3矽的氣相外延生長
5-4矽外延層電阻率的控制
5-5矽外延層的缺陷
5-6矽的異質外延

第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性
6-2砷化鎵單晶的生長方法
6-3砷化鎵單晶中雜質的控制
6-4砷化鎵單晶的完整性
6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的製備

第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長
7-1氣相外延生長（VPE）
7-2金屬有機物氣相外延生長（MOVPE）
7-3液相外延生長（LPE）
7-4分子束外延生長（MBE）
7-5化學束外延生長（CBE）
7-6其他外延生長技術

第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體
8-1異質結與晶格失配
8-2GaAIAs外延生長
8-3InCaN外延生長
8-4InCaAsP外延生長
8-5超品格與量子阱
8-6應變超晶格
8-7能帶工程

第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的製備
9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的點缺陷與自補償現象
9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料

第10章低維結構半導體材料
10-1低維結構半導體材料的基本特性
10-2低維結構半導體材料的製備
10-3低維結構半導體材料的現狀及未來

第11章氧化物半導體材料
11-1氧化物半導體材料的製備
11-2氧化物半導體材料的電學性質
11-3氧化物半導體材料的應用

第12章照明半導體材料
12-1LED的基本結構
12-2外延生長GaN襯底材料的選擇
12-3外延生長的發展趨勢
12-4外延片結構改進

第13章其他半導體材料
13-1窄帶隙半導體
13-2黃銅礦型半導體
13-3非晶態半導體材料
13-4有機半導體材料
參考文獻

只有體單晶材料不能滿足日益發展的各種半導體器件制作的需要，1959年末開發了薄層單晶材料生長技術——外延生長。
外延生長就是在一定條件下，在經過切、磨、拋等仔細加工的單晶襯底上，生長一層合乎要求的單晶層的方法。由于所生長的單晶層是襯底晶格的延伸，所以所生長的材料層叫做外延層。
根據外延層的性質，生長方法和器件制作方式不同，可以把外延分成不同的種類。
如果外延層與襯底是同種材料，則稱為同質外延，在硅上外延生長硅，在GaAs上外延生長GaAs均屬于同質外延。如果襯底材料和外延層是不同種材料則稱為異質外延，在藍寶石上外延生長硅，在GaAs上外延生長GaAlAs等屬于異質外延。若器件制作在外延層上叫正外延，而器件制作在襯底上外延層只起支撐作用，叫做反外延。
由外延生長方法來看，外延又分為直接外延和間接外延兩種。
直接外延是用加熱、電子轟擊或外加電場等方法使生長的材料原子獲得足夠能量，直接遷移沉積在襯底表面上完成外延生長的方法，如真空淀積、濺射、升華等。但此類方法對設備要求苛刻，如真空淀積要求真空度在10Pa以下。另外薄膜的電阻率、厚度的重復性差，因此一直未能用于硅外延生產中。
間接外延法是利用化學反應在襯底表面上沉積生長外延層，廣義上稱為化學氣相淀積（chemical vapor deposition，CVD）。但CVD所生長的薄膜不一定是單晶，因此嚴格地講只有生長的薄膜是單晶的CVD才是外延生長。這種方法設備簡單，外延層的各種參數較容易控制，重復性好。目前硅外延生長主要是利用這種方法。