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  • 商品類型

    • 3繁體書
    • 1簡體書
  • 商品定價

    • 2$200~$399
    • 2$400~$599
  • 出版日期

    • 12017~2018
    • 32013~2014
  • 商品狀況

    • 3可訂購商品
    • 1無法訂購商品
  • 庫存狀況

    • 3有庫存
    • 1無庫存
  • 裝訂方式

    • 2平裝
  • 作者

    • 2莊福聰、張進成
    • 1張進成 等著
    • 1郝躍、張金風、張進成
  • 出版社/品牌

    • 3信樺文化
    • 1科學出版社
搜尋條件: 作者關鍵字:張進成
4筆商品,1/1頁
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    • 輕鬆學數學C總複習講義(附解答不分售)
    • 作者:張進成   出版社:信樺文化  出版日:2013/09/01
    • 售價:378 
    • 本書內容編輯特色如下:1.重點整理 本書重點表格化呈現,迅速掌握學習方向及重點,輕鬆易學,獲致事半功倍的效 果。2.範例精選 針對統測的命題趨勢精選例題,著重基礎觀念、簡單易懂。3.掌握命題趨勢 標示在部分範例之後,提示該節「命題趨勢」相對應題目所應用到的解題觀念。4.觀念100% 針對學生容易產生混淆、錯誤的觀念加以澄清,使學生獲得正確的數學概念。5.命題趨勢 透過歷屆試題練習,瞭解考題趨勢,在
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    • 氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件(簡體書)
    • 作者:郝躍;張金風;張進成  出版社:科學出版社  出版日:2013/03/01
    • 定價:516元  優惠價:87449 
      絕版無法訂購
    • 《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎,系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法,重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管(HEMT)與相關氮化物材料。全書共14章,內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝
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