電晶體原理(簡體書)

本書主要講述了雙極型集體管和場效應晶體管的基本原理和它們的頻率特性,功率特性,開關特性及其描述這些特性的有關參數.為適應計算機模擬和計算機輔助設計需要,書中還介紹了常用的器件模型。此外，本書還簡單介紹了一些新型器件及特點。 本書適用于微電子學與微電子專業本科生教材。也可供相關專業研究生和本科生及從事微電子技術相關工作的科研與工程技術人員閱讀參考。

第1章 半導體、物理與工藝概要
1.1 晶體結構和能帶結構
1.2 半導體中的載流子
1.3 載流子的運動
1.4 半導體中的基本控制方程組
1.5 PN結的電學特性
1.6 基本器件工藝
習題
參考文獻
第2章 晶體管的直流特性
2.1 晶體管的基本結構及其雜質分布
2.2 晶體管的放大機理
2.3 晶體管的直流伏安特性
2.4 直流電流增益
2.5 反向電流和擊穿電壓
2.7 特性曲線
2.8 晶體管模型
習題
參考文獻
第3章 晶體管的頻率特性
3.1 基本概念
3.2 電流增益的頻率變化關系——截止頻率和特征頻率
3.3 高頻功率增益和最高振頻率
3.4 雙極晶體管的噪聲特性
習題
參考文獻
第4章 雙極型晶體管的功率特性
4.1 基區大注入效應對電流放大系數的影響
4.2 基區擴展效應
4.3 發射極電流集邊效應
4.4 發射極極單位周長電流容量
4.5 晶體管最大耗散功率P
4.6 二次擊穿和安全工作區
習題
參考文獻
第5章 開關特性
5.1 晶體管的開關作用
5.2 晶體管的開關過程和開關時間
5.3 開關管正向壓降和飽和壓降
習題
參考文獻
第6章 結型場效應晶體管
6.1 結型場效應晶體管（JFET）的基本工作原理
6.2 JFET的直流參數和低頻小信號交流參數
6.3 結型場效應晶體管的頻率特性
6.4 結型場效應晶體管結構舉例
習題
參考文獻
第7章 MOS場效應晶體管
7.1 MOSEFT的基本工作原理和分類
7.2 MOSEFT的閾值電壓
7.3 MOSEFT的直流特性
7.4 MOSEFT的頻率特性
7.5 MOSEFT的擊穿特性
7.6 MOSEFT的功率特性和功率MOSEFT的結構
7.7 MOSEFT的開關特性
7.8 MOSEFT的溫度特性
7.9 MOSEFT的噪聲特性
7.10 MOSEFT的短溝道和窄溝道效應
習題
參考文獻