VLSI設計基礎(第二版)（簡體書）

本教材為“普通十一五國家級規劃教材”，全書共有10章。第1~3章重點介紹了VLSI設計的大基礎，包括三個主要部分：信息接收、傳輸、處理體系結構及與相關硬件的關係。第4~6章介紹了數字VLSI設計的技術與方法。第7章介紹了數字系統的測試問題和可測試性設計技術。第8章介紹了VLSI中的模擬單元和變換電路的設計技術。第9章介紹了微機電系統（MEMS)及其在系統集成中的關鍵技術。第10章主要介紹了設計系統、HDL，對可製造性設計（DFM)的一些特殊問題進行了討論。

第1章 VLSI設計概述
　1.1 系統及系統集成
1.1.1 信息鏈
1.1.2 模塊與硬件
1.1.3 系統集成
　1.2 VLSI設計方法與管理
1.2.1 設計層次與設計方法
1.2.2 復雜性管理
1.2.3 版圖設計理念
　1.3 VLSI設計技術基礎與主流製造技術
　1.4 新技術對VLSI的貢獻
　1.5 設計問題與設計工具
　1.6 一些術語與概念
　1.7 本書主要內容與學習方法指導
　練習與思考一
第2章 MOS器件與工藝基礎
　2.1 MOS晶體管基礎
2.1.1 MOS晶體管結構及基本工作原理
2.1.2 MOS晶體管的閾值電壓VT
2.1.3 MOS晶體管的電流—電壓方程
2.1.4 MOS器件的平方律轉移特性
2.1.5 MOS晶體管的跨導gm
2.1.6 MOS器件的直流導通電阻
2.1.7 MOS器件的交流電阻
2.1.8 MOS器件的最高工作頻率
2.1.9 MOS器件的襯底偏置效應
2.1.10 CMOS結構
　2.2 CMOS邏輯部件
2.2.1 CMOS倒相器設計
2.2.2 CMOS與非門和或非門的結構及其等效倒相器設計方法
2.2.3 其他CMOS邏輯門
2.2.4 D觸發器
2.2.5 內部信號的分布式驅動結構
　2.3 MOS集成電路工藝基礎
2.3.1 基本的集成電路加工工藝
2.3.2 CMOS工藝簡化流程
2.3.3 Bi-CMOS工藝技術
　2.4 版圖設計
2.4.1 簡單MOSFET版圖
2.4.2 大尺寸MOSFET的版圖設計
2.4.3 失配與匹配設計
　2.5 發展的MOS器件技術
2.5.1 物理效應對器件特性的影響
2.5.2 材料技術
2.5.3 器件結構
　練習與思考二
第3章 設計與工藝接口
　3.1 設計與工藝接口問題
3.1.1 基本問題——工藝線選擇
3.1.2 設計的困惑
3.1.3 設計與工藝接口
　3.2 工藝抽象
3.2.1 工藝對設計的制約
3.2.2 工藝抽象
　3.3 電學設計規則
3.3.1 電學規則的一般描述
3.3.2 器件模型參數
3.3.3 模型參數的離散及仿真方法
　3.4 幾何設計規則
3.4.1 幾何設計規則描述
3.4.2 一個版圖設計的例子
　3.5 工藝檢查與監控
3.5.1 PCM（Process Control Monitor）
3.5.2 測試圖形及參數測量
　本章結束語
　練習與思考三
第4章 晶體管規則陣列設計技術
　4.1 晶體管陣列及其邏輯設計應用
4.1.1 全NMOS結構ROM
4.1.2 ROM版圖
　4.2 MOS晶體管開關邏輯
　4.3 PLA及其拓展結構
4.3.1 “與非—與非”陣列結構
4.3.2 “或非—或非”陣列結構
4.3.3 多級門陣列(MGA)
　4.4 門陣列
4.4.1 門陣列單元
4.4.2 整體結構設計準則
4.4.3 門陣列在VLSI設計中的應用形式
　4.5 晶體管規則陣列設計技術應用示例
　練習與思考四
第5章 單元庫設計技術
第6章 微處理器
第7章 測試技術和可測試性設計
第8章 模擬單元與變換電路
第9章 微機電系統（MEMS）
第10章 設計系統與設計技術
結束語
參考文獻