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MSP430FRMA鐵電單片機原理及C程序設計(簡體書)
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MSP430FRMA鐵電單片機原理及C程序設計(簡體書)

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商品簡介
作者簡介
名人/編輯推薦
目次
書摘/試閱

商品簡介

《MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設計》詳細介紹了TI公司的MSP430FRAM系列單片機的特性和優勢,主要內容包括MSP430FRAM單片機的基礎部分和實際應用設計部分。其中,基礎部分包括通用FRAM鐵電概述、TI FRAM鐵電單片機產品功能特點、TI FRAM開發工具和最新的軟件庫;應用設計部分包括功能模塊程序設計及常見問題解答、EMC電磁兼容性設計因素考量、TI FRAM產品應用。
《MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設計》程序採用結構化的C語言編寫,並編譯調試通過,均達到設計預期功能。
《MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設計》既可作為高等院校電子技術、通信、計算機及自動化類專業的本、專科學生和研究生的教學參考用書,也可作為大學生參加電子設計競賽和工程技術人員進行開發設計的技術輔導資料。.

作者簡介

呼志強,自由撰稿人,圖書策劃人。2002年投身圖書出版行業。涉獵廣泛,曾與多家出版社合作,曾出版過《想問就問吧》、《祝酒辭》、《職場潛伏秘籍》、《歷史不忍細嚼》、《國學其實很有趣兒》等書。.

名人/編輯推薦

《MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設計》既可作為高等院校電子技術、通信、計算機及自動化類專業的本、專科學生和研究生的教學參考用書,也可作為大學生參加電子設計競賽和工程技術人員進行開發設計的技術輔導資料。

目次

第一篇 基礎部分
第1章 FRAM鐵電概述
1.1 FRAM介紹
1.2 FRAM的基礎知識
1.2.1 FRAM物理效應
1.2.2 FRAM優勢
第2章 TIFRAM鐵電單片機產品功能特點
2.1 MSP430FRAM功能概述
2.2 MSP430FRAM的選型表
2.3 MSP430FRAM產品與Flash芯片實際對比測試
2.3.1 最大的寫入速度和寫入功耗測試
2.3.2 FRAM優化數據保存
2.3.3 最大化FRAM的寫入速度
2.4 MSP430FRAM工具
2.4.1 MSP-EXP430FR5739實驗板
2.4.2 MSP-FET430U40A工具
2.5 MSP430FR57xx與其他FRAM單片機的比較
2.5.1 與Ramtron公司的VRS51L3174比較
2.5.2 與FUJITSU公司的FRAM比較
2.6 從TIMSP430到TIMSP430FRAM
2.6.1 系統級功能移植的考慮
2.6.2 外設功能的移植
2.7 MSP430FRAM系統設計部分
2.7.1 電源供電
2.7.2 複位電路的可靠性設計
2.7.3 MSP430FRAM系列單片機外部晶振電路的設計
2.7.4 低功耗設計
2.7.5 與5V控制系統的接口設計
第3章 TIFRAM常用開發工具
3.1 TIFRAM硬件調試工具
3.1.1 TIMSP430調試工具
3.1.2 TIMSP430編程軟件
3.2 TIFRAM軟件調試開發環境
3.2.1 MSP-EXP430FR5739FRAM實驗板介紹
3.2.2 MSP-EXP430FR5739在IAR和CCS下的使用方法
3.2.3 常用的在線編程軟件FET-Pro430和MSP430 Flasher
3.2.4 GangProgrammer離線編程工具I
3.3 MSP430彙編與C語言混合編程
3.3.1 JAR的C編譯器中函數間變量傳遞的定義
3.3.2 彙編函數被C調用
3.3.3 編譯C和彙編函數
3.3.4 編譯庫文件
3.3.5 在觀察窗口中觀察彙編變量
3.4 MSP430在CCS下的圖形化插件Grace
3.4.1 如何讓代碼飛起來-MSP430圖形可視化仿真
3.4.2 如何讓程序寫起來容易-MSP430Grace插件的使用
3.5 MSP430Ware軟件庫
3.5.1 MSP430Ware概述
3.5.2 在新工程下使用軟件庫(DriverLib)
3.5.3 MSP430Ware驅動庫使用例程

第二篇 應用設計部分
第4章 TIFRAM功能模塊程序設計及常見問題解答
4.1 實驗板原理圖
4.2 I/O口寄存器以及程序設計
4.2.1 I/O口寄存器操作
4.2.2 C程序設計
4.3 ADC功能及C程序設計
4.4 比較器及C程序設計
4.5 定時器TA和TB及C程序設計
4.6 串行接口SPI/UART/12C及C程序設計
4.7 看門狗定時器WTD及C程序設計
4.8 MPU寫保護功能及C程序設計
4.9 低功耗模式及C程序設計
……
參考文獻.

書摘/試閱



2.5.1 與Ramtron公司的VRS51L3174比較
Ramtron公司的VRS51L3174,其供電電壓范圍3.1~3.6 V。而TI FRAM供電電壓范圍2.0~3.6 V。Ramtron的封裝為QFP—64、PLCC44、QFP44,而TIFRAM的封裝為RHA、DA、PW、RGE,可選的封裝形式多一些,目前TI FRAM可選擇的芯片系列從MSP430FR5720到MSP430FR5739,種類繁多。
2.5.2 與FUJXTSU公司的FRAM比較
MB95R203A是富士通家族F2MC—8FX中的8位MCUs。FRAM可以擦除和反復寫入100萬億次,數據保持保證在10年左右。The MB95R203A MCU采用8 KB的FRAM,可以被分為ROM或者RAM,可以方便地交互數據和工作存儲區。
Fujitsu MB95R203A工作電壓范圍l。8~3.6 V(1.8 V供電用于家庭醫療保健設備,如血壓計和血糖儀)。采用單線的片上調試方式,只需要占用MCU一個引腳。內置晶振電路。MB95R203A有24—pin DIP和20—pin SOP封裝。
2.6 從TI MSP430到TI MSP430FRAM
本節主要講述MSP430FR57xx家族新的特性以及新的模塊,介紹F2xx系列和FR57xx的不同。以MSP430F2xx為例,講述從MSP430F2xx移植到MSP430FR57xx家族應注意的幾點,包括編程以及系統級設計,外圍功能移植的考量等。主要是強調了兩者的不同之處。這里所介紹的從MSP430F2xx移植到鐵電微處理器的方法,也可以借鑒到MSP430F1xx/4xx家族中。
2.6.1 系統級功能移植的考慮
系統級設計部分主要包括電源管理以及對于非易失性存儲器的操作。關于指令集部分,MSP430FR57xx完全兼容現有的MSP430家族。代碼移植時主要影響寄存器以及外圍特征功能的改變,指令系統和原有的是保持一致的。鐵電FRAM是非易失性的存儲器,其表現類似于靜態存儲器SRAM,然而兩者有明顯的不同之處,FRAM在掉電時,數據內容依然保存。FR57xx系列鐵電存儲器訪問速度為8 MHz,和其他的閃存存儲器相比,FRAM特點如下:
①易于編程,不需要額外的配置。
②存儲區不是分段形式的,每一個位都可以單獨地擦除、寫入和尋址。
③在寫入前,不需要進行擦除操作。
④允許低功耗寫入(不需要充電泵)。

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