漫步LED世界：驅動電路設計篇（簡體書）

《漫步LED世界（驅動電路設計篇）》共5章，深入淺出地闡述了大功率LED、大功率LED襯底及基板、大功率LED熱設計、大功率LED驅動電路設計、LED驅動電路熱設計等內容，《漫步LED世界（驅動電路設計篇）》題材新穎實用，內容豐富，深入淺出，語言通俗易懂，具有很高的實用價值，是從事大功率LED驅動電路設計和應用的工程技術人員的必備讀物。
《漫步LED世界（驅動電路設計篇）》可供電子、通信、航天、汽車、國防、建築、景觀照明等領域從事大功率LED研發、設計、應用和生產企業的工程技術人員及高等院校、職業技術學院相關專業的師生閱讀參考。

《漫步LED世界(驅動電路設計篇)》可供電子、通信、航天、汽車、國防、建筑、景觀照明等領域從事大功率LED研發、設計、應用和生產企業的工程技術人員及高等院校、職業技術學院相關專業的師生閱讀參考。

第1章大功率LED
1.1大功率LED技術指標及結構
1.1.1大功率LED技術指標
1.1.2大功率LED結構及優點
1.2大功率白光LED效率及封裝技術
1.2.1大功率白光LED的量子效率及研發動向
1.2.2大功率白光LED封裝技術
1.3照明用白光LED及研發動態
1.3.1照明用白光LED
1.3.2照明用白光LED研發動態

第2章大功率LED襯底及基板
2.1大功率LED襯底
2.1.1大功率LED外延片與襯底材料
2.1.2LED襯底分類
2.1.3基於藍寶石襯底的垂直結構GaN基LED
2.1.4基於矽襯底的功率型GaN基LED
2.2大功率LED散熱基板類型
2.2.1LED散熱基板
2.2.2金屬基印製板（MCPCB）
2.2.3陶瓷散熱基板
2.2.4矽散熱基板

第3章大功率LED熱設計
3.1LED熱設計作用及熱管理目的
3.1.1LED熱設計作用
3.1.2LED熱管理
3.2LED芯片結溫
3.2.1LED的熱量產生原因及結溫熱分析
3.2.2LED結溫對性能的影響
3.3大功率LED熱分析
3.3.1大功率LED熱特性
3.3.2影響大功率LED散熱因素分析
3.3.3大功率LED熱擴散技術
3.4大功率LED熱阻計算及散熱設計
3.4.1大功率LED熱阻計算
3.4.2大功率LED簡化熱模型及熱建模技術
3.4.3大功率LED散熱技術
3.4.4大功率LED散熱和導熱整體解決方案

第4章大功率LED驅動電路設計
4.1大功率LED驅動器
4.1.1LED驅動器特性
4.1.2大功率LED驅動電路拓撲結構
4.1.3大功率LED驅動器解決方案
4.2大功率LED驅動電路設計
4.2.1大功率LED驅動電路設計要素
4.2.2大功率LED驅動器的優化設計

第5章LED驅動電路熱設計
5.1LED驅動電路PCB熱設計
5.1.1LED驅動電路PCB熱設計的基本原則
5.1.2PCB的熱設計與熱分析技術
5.1.3表面貼裝器件的熱設計
5.2LED驅動電路的散熱控制方案
5.2.1LED驅動電路熱管理
5.2.2LED驅動電路溫度補償原理
5.2.3LED驅動電路熱保護
參考文獻

2.2.3陶瓷散熱基板
1.陶瓷基板的特點
散熱陶瓷因高功率LED的發展逐漸被重視，這是因陶瓷本身因具有絕緣、耐熱及穩定等優良特性，不但可使板材能抵抗高壓、不變形、不氧化與不黃化，更有與LED芯片相接近的熱膨脹系數等優勢。而散熱陶瓷就工藝分類可分為HTCC（High Temperature Co—firedCeramics）與LTCC（Low Temperature Co—fired Ceramics）兩種工藝，LTCC陶瓷是在軟烤而成的生胚上打孔定位，接著以850℃的工藝條件下共燒而成，雖然此技術易塑形，但所燒出的陶瓷密度低，導致熱導率低、機械強度與絕緣特性都不佳，最重要的是生胚經燒結后會有收縮的問題，導致尺寸準確度問題尚待突破。所以較為精細的線路多改用HTCC陶瓷，此陶瓷使用1300℃～1600℃的高溫燒結而成，使其具有比LTCC陶瓷較優越的機械特性，進一步在基板表面進行鉆孔定位而沒有尺寸精度的問題。
陶瓷材料因本身具有優良的絕緣、耐熱及穩定等先天特性，所以被大量運用在電氣設備的絕緣上，又因陶瓷金屬化技術的成熟，近幾年更被應用于LED陶瓷散熱基板與載板的線路敷設。陶瓷材料金屬化技術主要分為DBC（Direct Bonded Copper）及DPC（Direct PlatedCopper）。然而，隨著使用元件的縮小，對尺寸精度要求更精密，現有DBC工藝已不敷使用，所以多數改以DPC作為陶瓷金屬化的主要技術，因此DPC的技術日趨被受重視。
DPC陶瓷金屬化工藝技術包含濺鍍、黃光顯影、電鑄與化鍍等工藝，其中又以濺鍍技術的優劣對線路強度與穩定度影響最深。濺鍍是電漿物理氣相沉積的一種，當腔體內的惰性氣體被高能電子撞擊形成帶正電離子，此離子經電場加速后沖擊到固體表面，進一步對靶材表面下原子造成擠壓使其發生移位而碰撞出去，此具有強大動能的原子，最終鑲嵌在目標基板上形成薄膜，此現象稱之為濺射。
一般濺鍍工藝多直接在兩極間施加直流電壓，通常是利用氣體的輝光放電效應，產生正離子束撞擊靶原子，但氣體中的電子僅會沿著電場方向作直線運動，在真空狀態下與氣體碰撞機率低，無法使大量的游離氣體被加速而產生濺鍍，導致濺鍍效率降低。
以磁控濺鍍所沉積于基板上的膜層通常都非常薄，所以本身需靠基板的強度去支撐，所以與基板黏著特性就格外的重要，而薄膜與基板的結合強度主要取決于材料介面，所以薄膜的結合強度也可稱為介面強度。薄膜結合強度不只由單面所決定，還與介面兩側的材料種類相關，當兩面材料的表面特性差別過大時，須加入一層與兩側材料特性都相近的中介層來增加結合強度，通常陶瓷材料多以Ni、Cr、Ti與W等元素作為中介層，以增加線路的穩定性。除此上述方式外，還可使用前處理降低表面污染，調整參數以降低鍍層的顯微缺陷與應力集中等問題，以大幅提升陶瓷基板與線路的結合強度。濺鍍法不但不易受材料硬度溶點限制，亦可廣泛地應用在各材料中，還具有與基板非常優秀的結合力，所以目前已被大量的導入DPC陶瓷金屬化工藝上。