相關商品
商品簡介
作者簡介
名人/編輯推薦
目次
商品簡介
本書是“十三五”江蘇省高等學校重點教材。內容從通俗性和實用性出發，全面介紹微電子科學與工程專業所需學習的各項基本理論和知識。全書共6章，主要包括：微電子學基礎(概論)、半導體物理基礎、半導體器件物理基礎、半導體集成電路製造工藝、集成電路基礎、新型微電子技術。並配套電子課件、習題參考答案等。本書可作為高等學校微電子科學與工程專業“微電子導論”課程的基礎教材，也可供相關領域的工程技術人員學習和參考。
作者簡介
方玉明，女，南京郵電大學教授，中國通信學會會員，長期從事微電子與集成電路領域教學和科研工作，承擔了多項國家級和省部級教研和科研項目。
名人/編輯推薦
◎ 配套電子課件、習題參考答案等。◎ 三條主線：半導體物理和半導體器件物理、集成電路工藝、集成電路設計通過學習本書，你可以：? 瞭解微電子與集成電路領域基本概念和發展。? 認識晶體結構、半導體物理基本概念。? 掌握半導體器件物理中的基本概念和工作原理。? 瞭解基本的半導體集成電路製造工藝。? 瞭解基本的集成電路概念、分類和發展。? 瞭解新技術和發展趨勢。? 對專業課程體系形成總體和全域概念：物理→器件→工藝→IC→新型微電子技術。
目次
目 錄
第1章 概論 1
1.1 微電子學的概念 1
1.2 微電子學的戰略地位 3
1.3 微電子學的發展歷史 7
1.3.1 晶體管的發展歷史 7
1.3.2 集成電路的發展歷史 9
1.4 集成電路的分類 12
1.5 微電子產業的發展現狀 15
1.6 微電子技術的發展 20
1.7 本章小結 26
思考題 27
第2章 半導體物理基礎 28
2.1 半導體材料及其基本性質 28
2.2 矽的晶格結構 29
2.3 矽晶體中的缺陷 32
2.4 半導體中的能帶理論 34
2.5 半導體的摻雜 36
2.6 費米分佈函數 39
2.7 載流子的輸運 40
2.7.1 半導體中的載流子 40
2.7.2 半導體中的載流子濃度 40
2.7.3 載流子的輸運機制 42
2.8 連續性方程 44
2.9 本章小結 45
2.10 擴展閱讀內容 45
2.10.1 載流子的漂移運動與遷移率
的推導 45
2.10.2 載流子擴散運動的推導 46
思考題 47
第3章 半導體器件物理基礎 48
3.1 PN結 48
3.1.1 平衡PN結 49
3.1.2 PN結能帶 50
3.1.3 正向偏置的PN結 51
3.1.4 反向偏置的PN結 52
3.1.5 PN結的伏安特性 53
3.1.6 PN結電容 54
3.1.7 PN結擊穿 55
3.1.8 PN結的應用 58
3.2 雙極型晶體管 60
3.2.1 晶體管的結構及類型 61
3.2.2 晶體管的電流放大原理 62
3.2.3 晶體管中載流子濃度分佈 63
3.2.4 晶體管的伏安特性曲線 65
3.2.5 晶體管的頻率特性 69
3.2.6 晶體管的大電流特性 71
3.3 MOSFET 76
3.3.1 N溝道增強型MOSFET的
器件結構 76
3.3.2 N溝道增強型MOSFET的
能帶圖 77
3.3.3 閾值電壓 79
3.3.4 工作原理 81
3.3.5 特性曲線 82
3.3.6 N溝道耗盡型MOSFET 83
3.3.7 P溝道MOSFET及不同類型MOSFET特性比較 84
3.3.8 MOS功率場效應晶體管 85
3.4 JFET 86
3.4.1 JFET的基本結構 86
3.4.2 JFET的工作原理 87
3.4.3 JFET的輸出特性曲線 88
3.5 MESFET的基本結構和工作
原理 89
3.6 本章小結 89
3.7 擴展閱讀內容 90
思考題 91
第4章 半導體集成電路製造工藝 93
4.1 單晶生長及襯底製備 93
4.1.1 單晶生長 93
4.1.2 襯底製備 95
4.2 光刻 96
4.3 刻蝕 101
4.4 摻雜技術 103
4.4.1 擴散 103
4.4.2 離子注入 106
4.5 制膜技術 108
4.5.1 氧化 109
4.5.2 化學氣相澱積 115
4.5.3 物理氣相澱積 122
4.6 接觸與互連 124
4.7 隔離技術 125
4.8 封裝技術 126
4.9 主要器件和工藝流程示例 127
4.9.1 PN結 127
4.9.2 晶體管的製造工藝 128
4.9.3 雙極型集成電路的工藝
流程 129
4.9.4 MOS集成電路的工藝
流程 132
4.10 本章小結 134
思考題 134
第5章 集成電路基礎 136
5.1 集成電路概述 136
5.1.1 集成電路的性能指標 136
5.1.2 集成電路的組成要素 137
5.1.3 集成電路的分類 138
5.1.4 集成電路的發展 138
5.2 數字集成電路 139
5.2.1 數字邏輯簡介 139
5.2.2 CMOS反相器性能指標 141
5.2.3 CMOS邏輯門電路 148
5.2.4 CMOS集成電路的特點 154
5.3 雙極型和BiCMOS集成電路 155
5.3.1 雙極型集成電路 155
5.3.2 BiCMOS集成電路 156
5.4 模擬集成電路 157
5.4.1 放大器的性能指標 157
5.4.2 3種組態放大器 159
5.4.3 差分放大器 165
5.4.4 基準電壓源 167
5.4.5 基準電流源 168
5.4.6 運算放大電路 168
5.5 集成電路版圖 170
5.5.1 版圖設計規則 170
5.5.2 布圖規則及佈局佈線技術 172
5.5.3 數字電路版圖設計 174
5.5.4 模擬電路版圖設計 175
5.6 集成電路設計工具介紹 176
5.6.1 概述 176
5.6.2 Cadence工具介紹 176
5.6.3 ADS工具介紹 177
5.6.4 Aether工具介紹 179
5.7 大規模集成電路基礎 180
5.7.1 按比例縮小的基本理論――CE理論 181
5.7.2 按比例縮小的CV理論 182
5.7.3 按比例縮小的QCV理論 183
5.8 集成電路設計方法學 183
5.9 本章小結 184
思考題 185
第6章 新型微電子技術 187
6.1 SoC技術 187
6.1.1 SoC技術現狀及其分類 187
6.1.2 SoC發展中的焦點技術 188
6.1.3 SoPC 190
6.2 微機電系統(MEMS)技術 191
6.2.1 微機電系統的特點 191
6.2.2 微機電系統的分類 192
6.2.3 微機電系統的工藝材料 193
6.2.4 微機電系統的應用領域 194
6.3 生物芯片技術 195
6.3.1 生物芯片發展歷史 195
6.3.2 生物芯片分類 196
6.3.3 生物芯片的應用前景 196
6.4 納電子技術 196
6.4.1 納電子器件 197
6.4.2 納電子材料 199
6.5 納米相關技術 200
6.6 本章小結 203
思考題 204
參考文獻 205
第1章 概論 1
1.1 微電子學的概念 1
1.2 微電子學的戰略地位 3
1.3 微電子學的發展歷史 7
1.3.1 晶體管的發展歷史 7
1.3.2 集成電路的發展歷史 9
1.4 集成電路的分類 12
1.5 微電子產業的發展現狀 15
1.6 微電子技術的發展 20
1.7 本章小結 26
思考題 27
第2章 半導體物理基礎 28
2.1 半導體材料及其基本性質 28
2.2 矽的晶格結構 29
2.3 矽晶體中的缺陷 32
2.4 半導體中的能帶理論 34
2.5 半導體的摻雜 36
2.6 費米分佈函數 39
2.7 載流子的輸運 40
2.7.1 半導體中的載流子 40
2.7.2 半導體中的載流子濃度 40
2.7.3 載流子的輸運機制 42
2.8 連續性方程 44
2.9 本章小結 45
2.10 擴展閱讀內容 45
2.10.1 載流子的漂移運動與遷移率
的推導 45
2.10.2 載流子擴散運動的推導 46
思考題 47
第3章 半導體器件物理基礎 48
3.1 PN結 48
3.1.1 平衡PN結 49
3.1.2 PN結能帶 50
3.1.3 正向偏置的PN結 51
3.1.4 反向偏置的PN結 52
3.1.5 PN結的伏安特性 53
3.1.6 PN結電容 54
3.1.7 PN結擊穿 55
3.1.8 PN結的應用 58
3.2 雙極型晶體管 60
3.2.1 晶體管的結構及類型 61
3.2.2 晶體管的電流放大原理 62
3.2.3 晶體管中載流子濃度分佈 63
3.2.4 晶體管的伏安特性曲線 65
3.2.5 晶體管的頻率特性 69
3.2.6 晶體管的大電流特性 71
3.3 MOSFET 76
3.3.1 N溝道增強型MOSFET的
器件結構 76
3.3.2 N溝道增強型MOSFET的
能帶圖 77
3.3.3 閾值電壓 79
3.3.4 工作原理 81
3.3.5 特性曲線 82
3.3.6 N溝道耗盡型MOSFET 83
3.3.7 P溝道MOSFET及不同類型MOSFET特性比較 84
3.3.8 MOS功率場效應晶體管 85
3.4 JFET 86
3.4.1 JFET的基本結構 86
3.4.2 JFET的工作原理 87
3.4.3 JFET的輸出特性曲線 88
3.5 MESFET的基本結構和工作
原理 89
3.6 本章小結 89
3.7 擴展閱讀內容 90
思考題 91
第4章 半導體集成電路製造工藝 93
4.1 單晶生長及襯底製備 93
4.1.1 單晶生長 93
4.1.2 襯底製備 95
4.2 光刻 96
4.3 刻蝕 101
4.4 摻雜技術 103
4.4.1 擴散 103
4.4.2 離子注入 106
4.5 制膜技術 108
4.5.1 氧化 109
4.5.2 化學氣相澱積 115
4.5.3 物理氣相澱積 122
4.6 接觸與互連 124
4.7 隔離技術 125
4.8 封裝技術 126
4.9 主要器件和工藝流程示例 127
4.9.1 PN結 127
4.9.2 晶體管的製造工藝 128
4.9.3 雙極型集成電路的工藝
流程 129
4.9.4 MOS集成電路的工藝
流程 132
4.10 本章小結 134
思考題 134
第5章 集成電路基礎 136
5.1 集成電路概述 136
5.1.1 集成電路的性能指標 136
5.1.2 集成電路的組成要素 137
5.1.3 集成電路的分類 138
5.1.4 集成電路的發展 138
5.2 數字集成電路 139
5.2.1 數字邏輯簡介 139
5.2.2 CMOS反相器性能指標 141
5.2.3 CMOS邏輯門電路 148
5.2.4 CMOS集成電路的特點 154
5.3 雙極型和BiCMOS集成電路 155
5.3.1 雙極型集成電路 155
5.3.2 BiCMOS集成電路 156
5.4 模擬集成電路 157
5.4.1 放大器的性能指標 157
5.4.2 3種組態放大器 159
5.4.3 差分放大器 165
5.4.4 基準電壓源 167
5.4.5 基準電流源 168
5.4.6 運算放大電路 168
5.5 集成電路版圖 170
5.5.1 版圖設計規則 170
5.5.2 布圖規則及佈局佈線技術 172
5.5.3 數字電路版圖設計 174
5.5.4 模擬電路版圖設計 175
5.6 集成電路設計工具介紹 176
5.6.1 概述 176
5.6.2 Cadence工具介紹 176
5.6.3 ADS工具介紹 177
5.6.4 Aether工具介紹 179
5.7 大規模集成電路基礎 180
5.7.1 按比例縮小的基本理論――CE理論 181
5.7.2 按比例縮小的CV理論 182
5.7.3 按比例縮小的QCV理論 183
5.8 集成電路設計方法學 183
5.9 本章小結 184
思考題 185
第6章 新型微電子技術 187
6.1 SoC技術 187
6.1.1 SoC技術現狀及其分類 187
6.1.2 SoC發展中的焦點技術 188
6.1.3 SoPC 190
6.2 微機電系統(MEMS)技術 191
6.2.1 微機電系統的特點 191
6.2.2 微機電系統的分類 192
6.2.3 微機電系統的工藝材料 193
6.2.4 微機電系統的應用領域 194
6.3 生物芯片技術 195
6.3.1 生物芯片發展歷史 195
6.3.2 生物芯片分類 196
6.3.3 生物芯片的應用前景 196
6.4 納電子技術 196
6.4.1 納電子器件 197
6.4.2 納電子材料 199
6.5 納米相關技術 200
6.6 本章小結 203
思考題 204
參考文獻 205
您曾經瀏覽過的商品
購物須知
大陸出版品因裝訂品質及貨運條件與台灣出版品落差甚大，除封面破損、內頁脫落等較嚴重的狀態，其餘商品將正常出貨。
特別提醒：部分書籍附贈之內容(如音頻mp3或影片dvd等)已無實體光碟提供，需以QR CODE 連結至當地網站註冊“並通過驗證程序”，方可下載使用。
無現貨庫存之簡體書，將向海外調貨：
海外有庫存之書籍，等候約45個工作天;
海外無庫存之書籍，平均作業時間約60個工作天，然不保證確定可調到貨，尚請見諒。
為了保護您的權益，「三民網路書店」提供會員七日商品鑑賞期(收到商品為起始日)。
若要辦理退貨，請在商品鑑賞期內寄回，且商品必須是全新狀態與完整包裝(商品、附件、發票、隨貨贈品等)否則恕不接受退貨。