半導體物理學(第四版)（簡體書）

本書全面地論述了半導體物理的基礎知識，內容包括半導體的晶格結構、半導體中的電子狀態、雜質和缺陷能級、載流子的統計分布、非平衡載流子及載流子的運動規律；討論了p—n結、異質結、金屬半導體接觸、表面及MIS結構等半導體表面和界面問題；介紹了半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象；最后較全面地介紹了非晶態半導體的基本特性。
本書為高等學校工科電子類半導體器件與微電子學專業教材，亦可供從事半導體方面工作的技術人員閱讀參考。

主要參數符號表
第1章 半導體中的電子狀態
1.1 半導體的晶格結構和結合性質
1.2 半導體中的電子狀態和能帶
1.3 半導體中電子的運動 有效質量
1.4 本征半導體的導電機構 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結構
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
習題
參考文獻
第2章 半導體中雜質和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質能級
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級
2.3 缺陷、位錯能級
習題
參考文獻
第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡并半導體
補充材料：電子占據雜質能級的概率
習題
參考文獻
第4章 半導體的導電性
4.1 載流子的漂移運動 遷移率
4.2 載流子的散射
4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關係
4.4 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關係
4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統計理論
4.6 強電場下的效應 熱載流子
4.7 多能谷散射 耿氏效應
習題
參考文獻
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復合
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準費米能級
5.4 復合理論
5.5 陷阱效應
5.6 載流子的擴散運動
5.7 載流子的漂移運動 愛因斯坦關係式
5.8 連續性方程式
習題
參考文獻
第6章 p-n結
6.1 p-n結及其能帶圖
6.2 p-n結電流電壓特性
6.3 p-n結電容
6.4 p-n結擊穿
6.5 p-n結隧道效應
習題
參考文獻
第7章 金屬和半導體的接觸
7.1 金屬半導體接觸及其能級圖
7.2 金屬半導體接觸整流理論
7.3 少數載流子的注入和歐姆接觸
習題
參考文獻
第8章 半導體表面與MIS結構
8.1 表面態
8.2 表面電場效應
8.3 MIS結構的電容-電壓特性
8.4 硅-二氧化硅系統的性質
8.5 表面電導及遷移率
8.6 表面電場對p-n結特性的影響
習題
參考文獻
第9章 異質結
9.1 異質結及其能帶圖
9.2 異質結的電流輸運機構
9.3 異質結在器件中的應用
9.4 半導體超晶格
習題
參考文獻
第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象
10.1 半導體的光學常數
10.2 半導體的光吸收
10.3 半導體的光電導
10.4 半導體的光生伏特效應
10.5 半導體發光
10.6 半導體激光
習題
參考文獻
第11章 半導體的熱電性質
11.1 熱電效應的一般描述
11.2 半導體的溫差電動勢率
11.3 半導體的珀耳貼效應
11.4 半導體的湯姆孫效應
11.5 半導體的熱導率
11.6 半導體熱電效應的應用
習題
參考文獻
第12章 半導體磁和壓阻效應
12.1 霍耳效應
12.2 磁阻效應
12.3 磁光效應
12.4 量子化霍耳效應
12.5 熱磁效應
12.6 光磁電效應
12.7 壓阻效應
12.8 聲波和載流子的相互作用
習題
參考文獻
第13章 非晶態半導體
13.1 非晶態半導體的結構
13.2 非晶態半導體中的電子態
13.3 非晶態半導體中的缺陷、隙態與摻雜效應
13.4 非晶態半導體中的電學性質
13.5 非晶態半導體中的光學性質
13.6 α-Si：H的p-n結與金-半接觸特性
參考文獻
附錄
附錄1 常用物理常數和能量表達變換表
附表1-1 常用物理常數表
附表1-2 能量表達變換表
附錄2 半導體材料物理性質表
附表2-1 Ⅳ族半導體材料的性質
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的性質
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的性質
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半導體材料的性質
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導體材料的性質
參考文獻