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低維量子器件物理(簡體書)
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作者簡介
目次

商品簡介

低維量子器件是微納電子技術研究的核心,低維量子器件物理是現代半導體器件物理的一個重組成部分。它的主要研究對象是低維量子器件的設計制作,器件性能與載流子輸運動力學等內容。《低維量子器件物理》主要以異質結雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、共振隧穿電子器件、單電子器件、量子結構激光器、量子結構紅外探測器和量子結構太陽電池為主,比較系統地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對自旋電子器件、單分子器件和量子計算機等內容進行了簡單介紹。

作者簡介

彭英才,河北大學電子信息工程學院教授,博士生導師,日本東京理科大學客座教授。多次赴日本豐橋技術科學大學、廣島大學和東京理科大學進行訪問研究。長期承擔半導體與微電子技術專業的研究生和本科生教學工作。主要從事納米半導體光電信息薄膜材料的制備、結構表征、光電特性與器件應用的研究,在國內外期刊上發表學術論文150余篇;作為第一編著者,出版學術專著3部:《納米光電子器件》、《納米太陽電池技術》和《硅基納米光電子技術》;研究生教材2部:《低維量子器件物理》和《低維半導體物理》。

目次


前言
第1章 緒論
1.1 低維量子器件的發展歷史
1.1.1 低維電子輸運器件
1.1.2 低維光電子器件
1.2 低維量子器件的未來預測
1.2.1 納米光子器件
1.2.2 磁性納米器件
1.2.3 有機納米器件
1.2.4 量子信息處理器件
參考文獻

第2章 低維量子結構的物理性質
2.1 低維量子結構的能帶特征
2.1.1 異質結的能帶特點
2.1.2 A1xGal-xAs/GaAs調制摻雜異質結
2.1.3 GexSil-x/Si異質結
2.1.4 超晶格的能帶結構
2.2 低維量子結構中的電子狀態
2.2.1 調制摻雜異質結三角形勢阱中的電子狀態
2.2.2 二維量子阱中的電子狀態
2.2.3 一維量子線中的電子狀態
2.2.4 零維量子點中的電子狀態
2.3 低維量子結構中的激子狀態
2.3.1 量子阱中的激子
2.3.2 量子點中的激子
2.4 低維量子結構中的載流子輸運
2.4.1 二維電子氣的散射機構
2.4.2 雙勢壘結構的共振隧穿輸運
2.4.3 異質結中熱電子的實空間轉移
2.4.4 零維體系的庫侖阻塞現象
2.5 低維量子體系的光學性質
2.5.1 量子阱中的二維激子特性
2.5.2 量子阱的發光特性
2.5.3 零維體系的量子尺寸效應
參考文獻

第3章 異質結雙極晶體管
3.1 HBT的器件結構
3.1.1 A1GaAs/GaAs HB
3.1.2 InGaP/GaAs HBT
3.1.3 InGaAs/InP HBT
3.1.4 SiGe/Si HBT
3.2 不同能帶形式的HBT
3.2.1 寬帶隙發射區HBT
3.2.2 緩變基區HBT
3.2.3 寬帶隙集電區HBT
3.3 HBT中的載流子輸運過程
3.3.1 寬帶隙發射區HBT中的載流子輸運
3.3.2 緩變基區HBT中的載流子輸運
3.3.3 HBT發射區一基區空間電荷區中的載流子復合
3.3.4 寬帶隙集電區HBT中的載流子輸運
3.4 HBT的器件特性
3.4.1 電流增益
3.4.2 電流電壓特性
3.4.3 頻率特性
3.4.4 溫度特性
3.5 SiGe/Si HBT的器件性能
參考文獻

第4章 高電子遷移率晶體管
4.1 調制摻雜異質結中的二維電子氣
4.1.1 2DEG的面密度
4.1.2 2DEG的遷移率
4.2 HEMT的工作特性
4.2.1 閾值電壓
4.2.2 跨導
……
第5章 共振隧穿電子器件
第6章 單電子輸運器件
第7章 量子結構激光器
第8章 量子結構紅外探測器
第9章 量子結構太陽電池
第10章 其他低維量子器件簡介
參考文獻

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