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目次
前言
第1章 緒論
1.1 低維量子器件的發展歷史
1.1.1 低維電子輸運器件
1.1.2 低維光電子器件
1.2 低維量子器件的未來預測
1.2.1 納米光子器件
1.2.2 磁性納米器件
1.2.3 有機納米器件
1.2.4 量子信息處理器件
參考文獻
第2章 低維量子結構的物理性質
2.1 低維量子結構的能帶特征
2.1.1 異質結的能帶特點
2.1.2 A1xGal-xAs/GaAs調制摻雜異質結
2.1.3 GexSil-x/Si異質結
2.1.4 超晶格的能帶結構
2.2 低維量子結構中的電子狀態
2.2.1 調制摻雜異質結三角形勢阱中的電子狀態
2.2.2 二維量子阱中的電子狀態
2.2.3 一維量子線中的電子狀態
2.2.4 零維量子點中的電子狀態
2.3 低維量子結構中的激子狀態
2.3.1 量子阱中的激子
2.3.2 量子點中的激子
2.4 低維量子結構中的載流子輸運
2.4.1 二維電子氣的散射機構
2.4.2 雙勢壘結構的共振隧穿輸運
2.4.3 異質結中熱電子的實空間轉移
2.4.4 零維體系的庫侖阻塞現象
2.5 低維量子體系的光學性質
2.5.1 量子阱中的二維激子特性
2.5.2 量子阱的發光特性
2.5.3 零維體系的量子尺寸效應
參考文獻
第3章 異質結雙極晶體管
3.1 HBT的器件結構
3.1.1 A1GaAs/GaAs HB
3.1.2 InGaP/GaAs HBT
3.1.3 InGaAs/InP HBT
3.1.4 SiGe/Si HBT
3.2 不同能帶形式的HBT
3.2.1 寬帶隙發射區HBT
3.2.2 緩變基區HBT
3.2.3 寬帶隙集電區HBT
3.3 HBT中的載流子輸運過程
3.3.1 寬帶隙發射區HBT中的載流子輸運
3.3.2 緩變基區HBT中的載流子輸運
3.3.3 HBT發射區一基區空間電荷區中的載流子復合
3.3.4 寬帶隙集電區HBT中的載流子輸運
3.4 HBT的器件特性
3.4.1 電流增益
3.4.2 電流電壓特性
3.4.3 頻率特性
3.4.4 溫度特性
3.5 SiGe/Si HBT的器件性能
參考文獻
第4章 高電子遷移率晶體管
4.1 調制摻雜異質結中的二維電子氣
4.1.1 2DEG的面密度
4.1.2 2DEG的遷移率
4.2 HEMT的工作特性
4.2.1 閾值電壓
4.2.2 跨導
……
第5章 共振隧穿電子器件
第6章 單電子輸運器件
第7章 量子結構激光器
第8章 量子結構紅外探測器
第9章 量子結構太陽電池
第10章 其他低維量子器件簡介
參考文獻
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