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王月、王春杰所著的《非真空法制備薄膜太陽能電池》介紹了一種新穎的基于非真空法制備薄膜太陽能電池的方法，共分五章，第1章介紹了太陽能電池的研究背景；第2章介紹了太陽能電池的基本原理，側重點是PN結和太陽能電池的等效電路等；第3章介紹了太陽能電池分類，并詳細介紹了CISS薄膜太陽能電池的發展和現狀。第4章介紹了CuInSxSe2-x (CISS)薄膜的制備及其性能研究，該章分為兩部分，納米粒子的制備過程以及納米粒子的成膜過程。第5 章介紹了基于非真空法制備CISS 薄膜太陽能電池的方法及其相關太陽能電池性能研究。
《非真空法制備薄膜太陽能電池》內容涉及電池的基本原理、分類、制備工藝及過程，是從事太陽能電池行業研究人員的入門讀物，同時也可以作為本科生和碩士研究生學習薄膜太陽能電池的入門課程。
《非真空法制備薄膜太陽能電池》內容涉及電池的基本原理、分類、制備工藝及過程，是從事太陽能電池行業研究人員的入門讀物，同時也可以作為本科生和碩士研究生學習薄膜太陽能電池的入門課程。
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《非真空法制備薄膜太陽能電池》內容涉及電池的基本原理、分類、制備工藝及過程，是從事太陽能電池行業研究人員的入門讀物，同時也可以作為本科生和碩士研究生學習薄膜太陽能電池的入門課程。
目次
1 太陽能電池的研究背景與簡介 1．1 太陽能電池研究背景 1．2 太陽能電池簡介 參考文獻 2 太陽能電池的基本原理 2．1 金屬與半導體的導電機理 2．1．1 自由電子 2．1．2 金屬電導率 2．1．3 半導體的導電機理 2．2 半導體二極管的單向導電現象 2．3 半導體的能帶結構 2．4 P型半導體和N型半導體 2．4．1 P型半導體 2．4．2 N型半導體 2．4．3 PN結 2．5 太陽能電池的等效電路及主要技術參數 2．5．1 標準測試條件 2．5．2 太陽能電池的等效電路 2．5．3 太陽能電池的主要技術參數 2．5．4 影響電池效率的一些因素 參考文獻 3 太陽能電池的分類 3．1 硅基太陽能電池 3．1．1 單晶硅太陽能電池 3．1．2 多晶硅太陽能電池 3．1．3 非晶硅薄膜太陽能電池 3．1．4 多晶硅薄膜太陽能電池 3．2 有機聚合物太陽能電池 3．2．1 有機／聚合物太陽能電池的原理 3．2．2 發展歷程 3．3 染料敏化太陽能電池(DSC) 3．4 量子點敏化太陽能電池 3．4．1 量子表面效應 3．4．2 量子限域效應 3．4．3 量子尺寸效應 3．4．4 多激子激發效應 3．5 無機半導體納米晶薄膜太陽能電池 3．5．1 碲化鎘太陽能電池 3．5．2 砷化鎵太陽能電池 3．5．3 銅銦硫硒(CIS)太陽能電池 參考文獻 4 CuInSxSe2-x(CISS)薄膜的制備及其性能研究 4．1 實驗部分 4．1．1 CIS納米粒子合成 4．1．2 CISS薄膜制備 4．2 主要測試儀器 4．3 CuInS2納米顆粒的合成 4．3．1 CuInS2納米顆粒的合成過程 4．3．2 CuInS2納米顆粒的實驗結果 4．4 CISS薄膜的制備 4．4．1 襯底的選擇與處理 4．4．2 旋涂法制備CuIns2薄膜 4．4．3 結果與討論 參考文獻 5 CISS薄膜太陽能電池的制備及其性能研究 5．1 實驗部分 5．1．1 實驗藥品 5．1．2 主要實驗儀器 5．2 薄膜性質的測試 5．2．1 基本性質的表征 5．2．2 太陽能電池性質的測試 5．3 緩沖層CdS的制備 5．3．1 CdS材料的特性 5．3．2 旋涂法制備CdS薄膜 5．3．3 Cds薄膜的基本性質 5．4 窗口層i—ZnO與ITO的制備 5．4．1 窗口層i—ZnO材料的特性 5．4．2 磁控濺射法濺射i-ZnO和ITO薄膜 5．4．3 i-ZnO和ITO薄膜的性質 5．5 上電極的制備 5．6 電池效率 參考文獻
書摘/試閱
如果在金屬兩端施加一定的外加電壓，自由電子的運動就要受到電場力的作用。盡管它在運動中還是會與其他原子和電子相碰撞，但每次碰撞之后會在電場力的作用下，順著電場力的方向加速運動（電子帶負電荷，電場力的方向正好與電場的方向相反），其總的運動結果好像是自由電子在與電場力的方向相反的方向上作直線運動。有直線運動就有直線速度。顯然這個直線速度是與電場強度成正比的。將單位電場強度（每厘米長度的電壓差為1V，即1V／cm）下的直線速度叫做自由電子的“遷移率”，用u來表示。
當電壓作用于一個導體上時，其中的自由電子都會以一定的速度從導體的一端遷移到另一端，也就是電荷從一端流向另一端。這就是導體傳導電流的過程。很明顯，一個物體的導電能力的大小，就依賴于自由電子濃度（用n表示，單位是個／cm3）的高低和其遷移率u（pm3／（S·V））的大小。
2.1.3半導體的導電機理
半導體從廣義上來講，就是在常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。其導電能力要比導體小得多，而比絕緣體大得多。半導體與金屬導體導電的機理有本質的不同。與金屬導體相比，半導體的電導率比金屬的電導率至少小2～3個數量級，這只是半導體與金屬導體在電導率量上的區別，更重要的是它們還有本質上的區別。金屬和半導體的電導率隨溫度的變化趨勢是完全相反的。隨溫度的變化，金屬中自由電子的濃度是始終保持不變的，即使把溫度降到絕對零度，濃度還是不會發生改變，溫度和外來雜質只是稍微影響其遷移率的大小。因此金屬的電導率與溫度、雜質的關系比較小。
