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模擬CMOS集成電路設計(第2版)(簡體書)
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模擬CMOS集成電路設計(第2版)(簡體書)

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商品簡介

商品簡介

拉紮維教授編著的《模擬CMOS集成電路設計》一書出版於2001年。由於其內容編排合理,講述方式由淺入深,注重電路直觀分析能力的培養,並安排了大量的例題及課後習題,該書一經面世,即在世界範圍內引起了強烈反響,迅速被國內外各大高校採用為微電子、電子工程等專業的本科生或研究生教材,成為與P.R.Gray等編著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齊名的模擬集成電路經典教材。
但是,從2001年至今,CMOS工藝已經發生了巨大變化,晶體管特徵尺寸不斷縮小,導致衡量晶體管性能的電路參數(跨導效率、特徵頻率和本征增益)發生了很大變化,加之電源電壓不斷下降導致傳統電路拓撲結構的應用受到限制,期間也出現了新的模擬集成電路分析與設計方法,以上的這些因素都要求對原來的教材內容進行改寫。本書第二版正是在此背景下編寫的。該版在保留第一版編寫特色的前提下,大幅增加了電路設計的敘述篇幅,如第11章專門討論了納米CMOS工藝下的電路設計策略和循序漸進的運算放大器設計方法,有利於培養讀者的電路設計能力。該版本還引入了波特圖和MiddleBrook分析法來分析反饋網絡的特性,增加了奈奎斯特穩定性判據、鰭式晶體管(FinFET)、新偏置電路技術及低壓能隙基準源等內容,有利於讀者跟蹤最新的模擬集成電路設計技術。該版本還增加了很多新的例題,並更新了課後習題。我相信改版後的這本教材更加適合於現階段相關專業本科生和研究生課程教學的需要,也適合作為一線工作的集成電路設計工程師的常用參數書。
由McGraw-Hill出版社出版的《模擬CMOS集成電路設計(第2版)》共包含19章內容。清華大學出版社在引進影印版本時,根據國內教育教學情況進行了刪減:(1)考慮到振盪器和鎖相環屬￿高頻電路內容,專門的通信電路或射頻電路教材均會對其進行詳細介紹,將原版本中的第15章“振盪器”和第16章“鎖相環”相關內容刪除;(2)考慮到國內相關專業普遍開設了專門的“半導體器件物理”“集成電路工藝”等課程,將原版本中的第16章“MOS器件與模型”和第17章“CMOS製造工藝”相關內容刪除。

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