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本書共11章，主要內容包括輻射環境、輻射效應相關的半導體基礎知識、輻射效應的一般概念、半導體材料的輻射效應、Si器件的輻射效應、GaAs半導體器件的輻射效應、光電子器件的輻射效應、Si集成電路的輻射效應及加固技術、納米級CMOS集成電路的輻射效應及加固技術、半導器件輻射效應的一些新研究動向、輻射效應模擬試驗及測試技術。
作者簡介
劉忠立，長期從事輻射加固集成電路、微傳感器及半導體功率器件研究。現任中國科學院微電子研究所特聘研究員，傳感技術國家重點實驗室學術委員會委員、北京市傳感技術實驗室學術委員會委員、中國電子學會核輻射電磁脈衝專委會委員。 高見頭，男，碩士，中國科學院微電子研究所高級工程師,長期從事半導體集成電路與功率器件輻照能力評估與抗輻照加固工作,在NSREC、TNS等國內外會議、期刊發表論文數十篇。
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目錄 第1章 輻射環境 1.1 引言 1.2 輻射環境的種類 1.3 小結 第2章 輻射效應相關的半導體基礎知識 2.1 引言 2.2 本征半導體及非本征半導體 2.3 半導體中載流子的產生及複合 2.4 載流子的遷移率 2.5 pn結二級管 2.6 肖特基結二極管 2.7 MOS電容及MOSFET 2.8 直接有輻射環境的半導體工藝 2.9 小結 第3章 輻射效應的一般概念 3.1 引言 3.2 輻射劑量學 3.3 電離輻射效應 3.4 位移損傷 3.5 輻射損傷對器件特性的影響 3.6 常用輻射缺陷分析方法概述3.7 小結 第4章 半導體材料的輻射效應。 4.1 引言 4.2 Si的輻射效應 4.3 Ge的輻射效應 4.4 SiGe的輻射效應 4.5 GaAs的輻射效應 4.6 SiC的輻射效應 4.7 小結 第5章 Si器件的輻射效應 5.1 引言 5.2 Si雙極器件的輻射效應 5.3 Si 場效應器件的輻射效應 5.4 小結 第6章 GaAs半導體器件的輻射效應 6.1 引言 6.2 GaAsMESFET的輻射效應 6.3 GaAsHEMT的輻射效應 6.4 GaAsHBT的輻射效 6.5 小結 第7章 光電子器件的輻射效應7.1 引言 7.2 光電器件的結構及工作 7.3 基本的輻射效應及材料問題 7.4 光電器件的輻射效應 7.5 小結 第8章 Si集成電路的輻射效應及加固技術 8.1 引言 8.2 Si雙極集成電路的輻射效應及加固技術 8.3 SiCMOS集成電路的輻射效應及加固技術 8.4 小結 第9章 納米級CMOS集成電路的輻射效應及加固技術 引言 9.2 納米級CMOS集成電路的發展概況 9.3 CMOS集成電路縮比過程中的重要改進 9.4 納米級CMOS集成電路的輻射效應研究概況 9.5 小結 第10章 半導器件輻射效應的一些新研究動向10.1 引言 10.2 航空及地面的單粒子效應 10.3 綜合輻射環境下的輻射效應 10.4. 重離子引起的半導體器件微劑量效應及微損傷效應 10.5 寬帶隙SiC及GaN半導體功率器件的輻射效應 10.6 小結 第11章 輻射效應模擬試驗及測試技術 11.1 引言 11.2 電離總劑量輻射的模擬試驗及測試技術 11.3 瞬態劑量率輻射的模擬試驗及測試技術 11.4 單粒子輻射模擬試驗及測試技術 11.5 中子輻射的模擬試驗及測試技術 11.6 小結
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