電子發射材料（簡體書）

近20年來，微波真空電子器件的性能突飛猛進，主要表現在器件功率水平、工作頻率和可靠性進一步提高。由于其優良的特性，在雷達、電子對抗、制導、通信等領域內得到了廣泛的應用，促進了這些領域的發展，反過來這些領域的發展對微波真空電子器件提出了新的要求。本書作者進行了多年電子發射材料的研究工作，在稀土難熔金屬基原子膜類陰極、擴散型陰極及次級發射材料等研究方面發表了多篇學術論文，在陰極材料研究方面具有一定的知名度，其研究成果受到了美國、韓國、德國及荷蘭等國學者的肯定及高度評價。本書以他們的研究為基礎，結合目前電子發射材料的最新進展，對電子發射材料進行較為全面系統的介紹，可以讓電真空領域的從業人員了解陰極材料的最新進展及研究熱點，同時對從事跨學科研究的學者也有一定借鑒意義。

王金淑，工學博士，教授，博士生導師，現任北京工業大學材料學院副院長。1999年入選北京市科技新星計劃；2002年獲第八屆霍英東青年教師基金獎：2003年及2004年分別獲教育部技術發明一等獎及國家技術發明二等獎；2005年入選教育部新世紀優秀人才支持計劃；2006年獲中國第三屆新世紀巾幗發明家稱號；2007年獲國防科工委技術發明二等獎，并獲首都女職工創新之星稱號；2008年獲茅以升科學技術獎之北京青年科技獎，入選新世紀百千萬人才工程北京市級入選，并享受國務院政府特殊津貼。中國電子學會真空電子學分會委員會委員，中國腐蝕與防護學會能源工程專業委員會委員，美國化學會、日本化學會、日本陶瓷學會會員。獲得中國發明專利14項，美國專利2項。在國內外學術期刊上發表論文百余篇，其中被SGI、EI收錄的論文90余篇。

前言
第1章緒論
1.1 真空電子器件的發展
1.2 陰極材料的種類及其發展
參考文獻
第2章與陰極發射相關的基本理論
2.1 金屬的自由電子模型
2.1.1 金屬的索末菲自由電子模型
2.1.2 金屬內自由電子的狀態
2.2 金屬的表面勢壘和逸出功
2.3 金屬的內電位、表面勢壘和逸出功
2.4 固體能帶理論
2.4.1 固體的周期場模型
2.4.2 固體能帶形成的定性說明
2.4.3 周期場里電子的波函數
2.4.4 電子在周期場里的運動，有效質量（m*）
2.5 半導體物理基礎
2.5.1 固體的接觸
2.5.2 固體的界面（表面）效應
參考文獻
第3章稀土-鉬熱陰極材料
3.1 純金屬的熱電子發射
3.1.1 電場作用下熱電子發射電流的流通規律
3.1.2 熱陰極的基本參數
3.2 鎢基絲狀陰極材料
3.2.1 純金屬陰極
3.2.2 原子膜陰極
3.3 稀土-鉬絲狀熱陰極材料
3.3.1 材料制備及微觀結構
3.3.2 稀土-鉬電子管的制作
3.3.3 陰極的發射性能
3.3.4 Mo-La2O3陰極有效功函數的計算
3.3.5 未碳化陰極發射前后陰極表面形貌、成分分析
3.3.6 碳化過程研究
3.3.7 碳化Mo-La2 03陰極發射過程中顯微組織變化的研究
3.3.8 碳化陰極表面b的價態
3.3.9 Mo-La2O3陰極的發射機理
3.3.10 碳化層的作用與發射壽命
3.3.11 MMo-La2O3陰極中La元素的蒸發與擴散
3.3.12 Mo-La2O3陰極發射穩定性及壽命機理探討
3.3.13 稀土-鉬陰極材料的成分優化
參考文獻
第4章稀土-鎢基鈧系擴散陰極
4.1 含鈧擴散型熱陰極的發展及特點
4.2 亞微米結構的陰極制備與性能測試方法
4.3 Sc2O3摻雜W粉特性
4.3.1 粉末成分及形貌
4.3.2 粉末細化機理
4.3.3 液液摻雜法獲得的w粉特性
4.4 Sc2O3摻雜W基體
4.4.1 基體成分及微觀結構
4.4.2 基體表面特性
4.4.3 對Sc2O3在基體表面富集的初步分析
4.5 陰極的發射能力
4.5.1 液液及液固方法制備的陰極的發射水平
4.5.2 陰極的高溫激活特性
4.5.3 陰極壽命
4.6 Sc2O3摻雜鈧鎢基浸漬型陰極工作機理
4.6.1 含鈧擴散型陰極機理研究現狀
4.6.2 陰極物相分析和微觀結構研究
4.6.3 陰極激活過程研究
4.6.4 激活后陰極表面活性層研究
參考文獻
第5章稀土-鉬次級電子發射材料
5.1 次級發射理論基礎
5.1.1 次級發射的物理本質
5.1.2 影響次級發射的主要因素
5.2 使用的主要次級電子發射陰極
5.2.1 氧化物陰極
5.2.2 ThO2金屬陶瓷陰極
5.2.3 合金陰極
5.2.4 冷陰極
5.2.5 擴散型陰極
5.3 新型稀土-鉬金屬陶瓷陰極材料
5.3.1 材料制備與測試
5.3.2 樣品次級發射性能的影響因素
5.3.3 復合稀土氧化物-鉬金屬陶瓷陰極壽命
5.3.4 稀土-鉬陰極材料活化處理
5.3.5 稀土-鉬材料中稀土氧化物研究
5.3.6 稀土-鉬陰極材料次級電子發射模式研究
參考文獻
第6章場發射冷陰極材料
6.1 場發射及其實質
6.1.1 場發射
6.1.2 場發射實質
6.1.3 場發射理論研究
6.2 場發射性能參數
6.3 場發射陰極結構
6.3.1 尖端場致電子發射
6.3.2 平面薄膜型場發射陰極
6.3.3 碳納米管
6.3.4 其他冷陰極材料
6.4 場發射的應用
6.4.1 場發射顯示器
6.4.2 場發射的其他應用
參考文獻
第7章光電陰極
7.1 光電發射的基本規律
7.1.1 斯托列托夫定律
7.1.2 愛因斯坦定律
7.1.3 光譜特性曲線
7.2 光電發射的理論解釋
7.3 半導體的光電子發射
7.3.1 電子躍遷
7.3.2 電子散射
7.3.3 光電子逸出
7.4 光電發射的影響因素
7.4.1 入射光的影響
7.4.2 陰極能帶結構的影響
7.4.3 陰極表面勢壘的影響
7.5 實用光電陰極
7.5.1 銀氧銫光電陰極
7.5.2 銻銫光電陰極
7.5.3 鉍銀氧銫光電陰極
7.5.4 多堿金屬光電陰極
7.5.5 負電子親和勢光電陰極
參考文獻