Utilisation de l'hyperfréquence supérieure

Il existe de nombreuses bandes de fr廦uences larges et non attribu嶪s dans les fr廦uences sub-terahertz (au-dessus de 100 GHz) qui sont int廨essantes pour les applications ?large bande. Le potentiel de cette bande de t廨ahertz sans licence et inutilis嶪, situ嶪 entre les micro-ondes et le spectre optique, comme l'幯orme largeur de bande, la tr鋊 petite taille, les d嶵its de donn嶪s tr鋊 幨ev廥 pour les applications de communication sans fil de puce ?puce et le moindre risque d'interf廨ence externe, est un d嶨i non seulement pour les applications spatiales, mais aussi pour les applications de d嶨ense. La faiblesse des tubes ?vide (encombrants et discrets) peut 皻re surmont嶪 si les tubes ?vide sont fabriqu廥 par des technologies de nanofabrication en silicium et si le m嶰anisme de fonctionnement passe de l'幦ission thermoionique ?l'幦ission de champ. Ce travail de dipl獽e pr廥ente la conception, ?l'aide d'outils logiciels appropri廥, d'un transistor ?canal sous vide de 150 nm. Ce transistor fonctionne ?une fr廦uence sup廨ieure au spectre des micro-ondes et inf廨ieure au spectre optique, donc entre 100 GHz et 3 THz, en utilisant le processus traditionnel du silicium.