電工與電子技術基礎（簡體書）

《高等職業教育規劃教材：電工與電子技術基礎》分為兩部分：電路部分及電子技術部分。電路部分包括直流電路、單相電路、三相電路；電子技術部分包括模擬電子技術及數字電子技術。電路部分的重點是基本定律的理解及應用，從直流電阻電路入手，有助於學生更快地理解電路的基本規律和電路分析的基本方法；單相、三相電路以典型電路的分析、應用為主；電子技術部分以常用電子器件功能及應用為主，要求學生掌握典型電子電路應用、常用集成電路典型應用，本部分為重點，並要求學生掌握查閱電工與電子器件的選型及常見電路的讀圖能力。

《高等職業教育規劃教材:電工與電子技術基礎》是高等職業教育規劃教材。

第1章 直流電路及其分析方法
1.1 電路的組成及作用
1.2 電路申的主要物理量
1.3 電路的工作狀態與電氣設備的額定值
1.4 電壓源和電流源及其等效變換
1.5 基爾霍夫定律
1.5.1 幾個相關的電路名詞
1.5.2 基爾霍夫電流定律（KCL）
1.5.3 基爾霍夫電壓定律（KVL）
1.6 電阻的連接
1.6.1 電阻
1.6.2 電阻的串聯
1.6.3 電阻的並聯
1.6.4 電阻的混聯
1.6.5 星形電阻網絡與三角形電阻網絡及其等效變換
1.7 支路電流法
1.8 疊加定理
1.9 戴維南定理
習題

第2章 單相正弦交流電路
2.1 正弦量的基本概念
2.1.1 正弦量的三要素
2.1.2 正弦量的相量表示
2.2 單一參數元件正弦交流電路
2.2.1 電阻元件交流電路
2.2.2 電感元件交流電路
2.2.3 電容元件交流電路
2.3 RLC串聯與並聯電路
2.4 正弦交流電路的功率及功率因數的提高
2.4.1 交流電路的功率
2.4.2 感性負載功率因數的提高
2.5 電路諧振
2.5.1 RLC串聯電路的諧振
2.5.2 RLC並聯電路的諧振
習題

第3章 三相交流電路及其應用
3.1 三相對稱電源
3.1.1 三相電源的知識
3.1.2 三相電源的連接
3.2 三相負載的星形連接
3.3 三相負載的三角形連接
3.4 三相電路的功率
習題

第4章 半導體器件及放大電路
4.1 半導體基本知識
4.1.1 半導體的特性
4.1.2 本征半導體
4.1.3 雜質半導體
4.1.4 PN結及特性
4.2 半導體二極管
4.2.1 二極管的結構及符號
4.2.2 二極管的伏安特性
4.2.3 二極管的主要參數
4.2.4 特殊用途二極管——穩壓管
4.3 半導體三極管
4.3.1 三極管的結構及符號
4.3.2 三極管的電流分配關係
4.3.3 三極管的伏安特性
4.3.4 三極管的主要參數
4.4 場效應管
4.5 基本放大電路
4.5.1 共發射極基本放大電路
4.5.2 放大電路中各電分量表示方法
……
第5章 集成運算放大器及其應用
第6章 正弦波振盪電路及直流穩壓電源
第7章 門電路與組合邏輯電路
第8章 時序邏輯電路
附錄1 Multisim 2001仿真軟件
附錄2 電阻與電容的型號命名法
附錄3 半導體器件相關知識
習題答案
參考文獻

由此可見，半導體中有自由電子和空穴兩種載流子，因而存在著電子導電和空穴導電兩種導電方式。這是半導體導電的最大特點，也是在導電原理上和金屬導電方式的本質區別。
由上述分析，外界的溫度和光照變化將影響半導體內部載流子的數量，因此溫度越高或光照越強，半導體的導電能力就越強。
在常溫時，本征半導體雖然存在著自由電子和空穴兩種載流子，但數目很少，因此導電能力很差。但如果在本征半導體中摻入微量的某種雜質后，其導電能力就可以增加幾十萬乃至幾百萬倍。
4.1.3雜質半導體
在本征半導體中摻人微量的雜質元素，就能制成具有特定導電性能的雜質半導體。根據摻入雜質元素性質的不同，雜質半導體可分為N型半導體和P型半導體兩大類。
1.N型半導體
在本征半導體硅（鍺）中摻人微量的五價元素，如磷（P），由于摻入磷的數量相對硅原子數量極少，所以本征半導體晶體結構不會改變，只是晶體結構中某些位置上的硅原子被磷原子取代，在磷原子的五個價電子中，只需四個價電子與相鄰的四個硅原子組成共價鍵結構，多余的一個價電子不參加共價鍵，只受磷原子核的微弱吸引，很容易脫離磷原子而成為自由電子，磷原子則因失去了一個電子變成了正離子，稱為空間電荷，如圖4—4（a）所示。每摻入一個磷原子就增加一個自由電子，由于摻入磷原子的絕對數量很多，因此自由電子的數量很多。這種半導體以自由電子導電為主，因而稱為電子導電型半導體，簡稱N型半導體。其中自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子。
2.P型半導體
在本征半導體硅（鍺）中摻入微量的三價元素，如硼（B），由于摻入硼的數量相對硅原子數量極少，所以本征半導體晶體結構不會改變，只是晶體結構中某些位置上的硅原子被硼原子取代，而硼原子只能提供三個價電子，它與相鄰的四個硅原子組成共價鍵時，必有一個共價鍵因缺少一個電子而出現空穴，這個空穴將吸引鄰近的價電子來填補，因而使硼原子成為負離子（空間電荷），如圖4—4（b）所示。一個硼原子就增加一個空穴，由于摻入硼原子的絕對數量很多，因此空穴的數量很多，這種半導體以空穴導電為主，因而稱為空穴導電型半導體，簡稱P型半導體。其中空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。