脈衝功率技術在軍事和工業的眾多領域都有著廣泛應用。脈衝功率開關是脈衝功率系統的核心器件之一,由於半導體器件具有體積小、壽命長、可靠性高等優點,脈衝功率開關出現了半導體化的趨勢。本書首先對脈衝功率開關的發展歷程進行了總體概述,然後分別論述了電流控制型器件(具體包括GTO晶閘管、GCT和IGCT、非對稱晶閘管)和電壓控制型器件(具體包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的結構、工作原理、特性參數、封裝技術、可靠性及其在脈衝功率系統中的應用,特別討論了幾種新型專門用於脈衝功率領域的半導體開關(包括反向開關晶體管、半導體斷路開關、漂移階躍恢復二極管、光電導開關和快速離化晶體管)的機理模型和實際運用等問題 ,論述了部分新型碳化矽基器件,最後闡述了脈衝功率應用技術。
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