現代集成電路製造技術原理與實踐（簡體書）

本書介紹當代集成電路製造的基礎工藝，重點介紹基本原理，並就當前集成電路芯片製造技術的最新發展做了較為詳盡的闡述。本書共18章，主要內容包括：硅材料及襯底制備、外延生長工藝原理、氧化介質薄膜生長、半導體的高溫摻雜、離子注入低溫摻雜、薄膜氣相澱積工藝、圖形光刻工藝原理、掩模制備工藝原理、集成電路工藝仿真、集成結構測試圖形、電路管芯鍵合封裝、集成電路性能測試、工藝過程理化分析、管芯失效及可靠性、超大規模集成工藝、芯片產業質量管理、可製造性設計工具和可製造性設計理念等。
受美國新思科技（Synopsys Inc.）授權，本書在國內首次發佈新一代納米級TCAD系列仿真工具：Sentaurus TCAD設計工具的相關技術內容細節。本書免費提供習題答案，立體化教程同步出版。
本書可作為高等學校電子科學與技術、微電子、集成電路設計等專業的高年級本科生和研究生教材，也可供集成電路芯片製造企業工程技術人員學習參考。

李惠軍，1975年畢業於南京郵電學院半導體器件專業。山東大學信息科學與工程學院教授、山東大學孟堯微電子研發中心主任。從事超大規模集成電路製造工藝技術的教學及超深亞微米集成化器件工藝與器件物理特性級TCAD可製造性設計的研究。曾獲山東省科學技術進步二等獎、山東省省教委科技進步一等獎、山東省省級教學成果一等獎、山東省省級教學成果二等獎各一項。出版著作5部。

緒論
本章小結
習題
第1章 硅材料及襯底制備
1.1 半導體材料的特徵與屬性
1.2 半導體材料硅的結構特徵
1.3 半導體單晶制備過程中的晶體缺陷
1.4 集成電路技術的發展和硅材料的關係
1.5 關於半導體硅材料及硅襯底晶片的制備
1.6 半導體硅材料的提純技術
　1.6.1 精餾提純四氯化硅技術及其提純裝置
1.6.2 精餾提純四氯化硅的基本原理
1.7 直拉法生長硅單晶
1.7.1 晶體生成技術的發展現狀
1.7.2 晶體生長技術的分類
1.7.3 硅直拉單晶生長技術
1.7.4 硅直拉單晶設備
1.7.5 硅直拉單晶工藝步驟
1.8 硅單晶的各向異性特徵在管芯製造中的應用
本章小結
習題
本章參考文獻
第2章 外延生長工藝原理
2.1 關於外延生長技術
2.2 外延生長工藝方法概論
2.2.1 典型的水平反應器硅氣相外延生長系統簡介
2.2.2 硅化學氣相澱積外延生長反應過程的一般描述
2.3 常規硅氣相外延生長過程的動力學原理
2.4 常規硅氣相外延生長過程的結晶學原理
2.5 關於氣相外延生長的工藝環境和工藝條件
2.5.1 外延生長過程中的摻雜
2.5.2 外延生長速率與反應溫度的關係
2.5.3 外延生長層內的雜質分佈
2.5.4 外延生長缺陷
2.5.5 外延生長之前的氯化氫氣相拋光
2.5.6 典型的外延生長工藝流程
2.5.7 工業化外延工序的質量控制
2.6 發生在硅氣相外延生長過程中的二級效應
2.6.1 外延生長過程中基片襯底雜質的再分佈效應
2.6.2 外延生長過程中摻入雜質的再分佈
本章小結
習題
本章參考文獻
第3章 氧化介質薄膜生長
3.1 氧化硅介質膜的基本結構
3.2 二氧化硅介質膜的主要性質.
3.3 氧化硅介質膜影響雜質遷移行為的內在機理
3.4 氧化硅介質膜的熱生長動力學原理
3.5 典型熱生長氧化介質膜的常規生長模式
本章小結
習題
本章參考文獻
第4章 半導體的高溫摻雜
4.1 固體中的熱擴散現象及擴散方程
4.2 常規高溫熱擴散的數學描述
　4.2.1 恆定表面源擴散問題的數學分析
4.2.2 有限表面源擴散問題的數學分析
4.3 常規熱擴散工藝簡介
4.4 實際擴散行為與理論分佈的差異
4.4.1 發生在氧化硅一硅界面處的雜質再分佈行為
4.4.2 發生在氧化過程中的氧化增強擴散行為
4.5 擴散行為的仿真及影響擴散行為的效應
4.5.1 雜質熱擴散及熱遷移工藝模型
4.5.2 氧化增強擴散模型
4.5.3 對雜質在可動界面處變化的一維描述
4.5.4 對雜質在可動界面處變化的二維描述
4.5.5 對常規擴散行為進行的二維描述
4.6 深亞微米工藝仿真系統所設置的小尺寸效應模型
本章小結
習題
本章參考文獻
第5章 離子注入低溫摻雜
5.1 離子注入摻雜技術的特點
　……
第6章 薄膜氣相澱積工藝
第7章 圖形光刻工藝原理
第8章 掩模制備工藝原理
第9章 集成電路工藝仿真
第10章 集成結構測試圖形
第11章　電路管芯鍵合封裝
第12章 集成電路性能測試
第13章　工藝過程理化分析
第14章　管芯失效及可靠性
第15章　超大規模集成工藝
第16章　芯片產業質量管理
第17章　可製造性設計工具
第18章　可製造性設計理念
附錄A　集成電路製作技術專業術語大全
附錄B 現代集成電路製造技術縮略語