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商品簡介
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目次
書摘/試閱

商品簡介

《電子技術基礎(普通高等院校電工類十二五規劃教材)》(作者諸志龍)是普通高等院校電工類“十二五”規劃教材,《電子技術基礎(普通高等院校電工類十二五規劃教材)》講述了模擬電子技術基礎、數字電子技術基礎及仿真軟件EWB等內容。模擬電子技術基礎主要包括半導體二極管、三極管、基本放大電路、集成運算放大器、直流穩壓電源等內容;數字電子技術基礎主要包括門電路、組合邏輯電路、觸發器、時序邏輯電路、半導體存儲器等內容。書后附錄提供了常用國產半導體器件型號命名方法、國標半導體集成電路型號命名方法以及部分習題參考答案。
本書可作為開設“電子技術”課程的授課教材,供普通高等工科院校非電類專業本科生使用,也可作為大專學生、工程技術人員系統學習電子技術的參考用書。
本書與高文根主編的《電工技術基礎》配套,二者涵蓋了電工電子技術的基本內容。

名人/編輯推薦

《普通高等院校電工類"十二五"規劃教材:電子技術基礎》后附錄提供了常用國產半導體器件型號命名方法、國標半導體集成電路型號命名方法以及部分習題參考答案。《普通高等院校電工類"十二五"規劃教材:電子技術基礎》可作為開設“電子技術”課程的授課教材,供普通高等工科院校非電類專業本科生使用,也可作為大專學生、工程技術人員系統學習電子技術的參考用書。

目次

第1章 半導體器件
1.1 半導體的基本知識
1.1.1本征半導體
1.1.2雜質半導體
1.1.3 PN結
1.2半導體二極管
1.2.1 普通二極管
1.2.2 穩壓二極管
1.2.3 發光二極管
1.2.4 光電二極管
1.3 半導體三極管
1.3.1 基本結構與類型
1.3.2 電流分配和放大原理
1.3.3 特性曲線
1.3.4 主要參數
1.3.5 特殊三極管
1.4 場效應管
1.4.1 結型場效應管
1.4.2 絕緣柵型場效應管(MOS管)
1.4.3 場效應管的符號與特性曲線
1.4.4 晶體三極管和場效應管的比較
習題
第2章 基本放大電路
2.1 共發射極電壓放大電路
2.1.1 電路組成
2.1.2 靜態分析
2.1.3 動態分析
2.2 靜態工作點自穩定放大電路
2.2.1 電路組成
2.2.2 靜態分析
2.2.3 動態分析
2.3 共集電極放大電路
2.3.1 電路組成
2.3.2 靜態分析
2.3.3 動態分析
2.4 功率放大電路
2.4.1 功率放大電路概述
2.4.2 OCL功率放大電路
2.4.3 OTL功率放大電路
2.4.4 集成功率放大電路
2.5 差分放大電路
2.5.1 差分放大電路的工作原理
2.5.2 典型差分放大電路
2.5.3 差分放大電路對差模信號的放大
2.5.4 共模抑制比
2.6’場效應晶體管放大電路
2.6.1 靜態分析
2.6.2 動態分析
習題
第3章 集成運算放大器
3.1 集成運算放大器
3.1.1 集成運算放大器的組成與特點
3.1.2 集成運算放大器的主要技術參數
3.1.3 理想運算放大器及其分析方法
3.2 放大電路中的反饋
3.2.1 反饋的基本概念與分類
3.2.2 負反饋電路4種組態的判別
3.2.3 負反饋對放大電路性能的改善與影響
3.3 運算放大器組成的基本運算電路
3.3.1 比例運算
3.3.2 加法運算
3.3.3 減法運算
3.3.4 積分運算
3.3.5 微分運算
3.4 運算放大器組成的信號處理電路
3.4.1 電壓比較器
3.4.2 有源濾波電路
3.5 運算放大器組成的波形產生電路
習題
第4章 直流穩壓電源
4.1 整流電路
4.1.1 單相半波整流電路
4.1.2 單相全波整流電路
4.1.3 單相橋式整流電路
4.1.4 三相橋武整流電路
4.2濾波電路
4.2.1 E容濾波器(c濾波器)
4.2.2 電感電容濾波器(Lc濾波器)
4.2.3"n形濾波器
4.3 穩壓電路
4.3.1 穩壓二極管穩壓電路
4.3.2 調恒壓源穩壓電路
4.3.3 串聯電壓負反饋型穩壓電路
4.3.4 集成穩壓電路
習題
第5章 組合邏輯電路
5.1 數字電路與數字信號
5.1.1 數字電路
5.1.2 數字信號與邏輯信號
5.1.3 數字信號的主要參數
5.2邏輯代數基礎
5.2.1 數制與碼制
5.2.2 邏輯代數中的基本邏輯關系
5.2.3 邏輯代數的基本公式
5.2.4 邏輯函數的表示方法
5.2.5 邏輯函數的公式化簡法
5.2.6 邏輯函數的卡諾圖化簡法
5.3基本門電路
5.3.1 二極管與三極管開關等效電路
5.3.2 二極管與門電路
5.3.3 二極管或門電路
5.3.4 三極管非門電路
5.4 CMOS門電路
5.4.1 CMOS非門
5.4.2 CMOS與非門和或非門
5.4.3 CMOS三態門
5.5 TTL門電路
5.5.1 TTL非門
5.5.2 TTL非門的電壓傳輸特性
5.5.3 TTL與非門
5.5.4 TTL集電極開路的門電路
5.6 門電路的其他問題
5.6.1 門電路多余輸入端的處理
5.6.2 門電路帶負載的處理
5.7 組合邏輯電路的分析與設計
5.7.1 組合邏輯電路的分析方法
5.7.2 組合邏輯電路的設計方法
5.8 加法器
5.8.1 半加器
5.8.2 全加器
5.8.3 集成加法器及其應用
5.9 編碼器
5.9.1 普通二進制編碼器
5.9.2 優先二進制編碼器
5.9.3 優先二一十進制編碼器
5.10 譯碼器
5.10.1 二進制譯碼器
5.10.2 二一十進制譯碼器
5.10.3 顯示譯碼器
5.10.4 譯碼器的應用
5.11 數據選擇器
5.11.14選1數據選擇器
5.11.2 集成數據選擇器
5.12 數值比較器
5.12.11位數值比較器
5.12.2 集成數值比較器
習題
第6章 時序邏輯電路
6.1 觸發器
6.1.1 SR觸發器
6.1.2 JK觸發器
6.1.3 T觸發器和D觸發器
6.2 寄存器
6.2.1 數碼寄存器
6.2.2 移位寄存器
6.3 同步時序邏輯電路的分析方法
6.4 計數器
6.4.1 二進制計數器
6.4.2 十進制計數器
6.4.3 任意進制計數器的構成
6.5555定時器及其應用
6.5.1555定時器
6.5.2 施密特觸發器
6.5.3 多諧振蕩器
習題
第7章 半導體存儲器
7.1 只讀存儲器
7.1.1 ROM的分類
7.1.2 ROM的結構及工作原理
7.1.3 ROM的應用
7.1.4 可編程ROM
7.1.5 可擦可編程ROM
7.2 隨機存儲器
7.2.1 RAM的分類
7.2.2 RAM的基本結構及工作原理
7.2.3 RAM容量的擴展
習題
第8章 電子電路仿真軟件EWB簡介
8.1 Electronics.Workbench簡介
8.2 EWB的基本界面
8.2.1 EWB主界面
8.2.2 菜單欄(menus)
8.2.3 工具欄(toolbars)
8.2.4 元器件庫欄(parts.bin.toolbar)
8.3 EWB電路的生成及儀器的使用
8.3.1 電路的生成
8.3.2 虛擬儀器的使用
8.4 EWB仿真電路舉例
附錄Ⅰ 國產半導體器件型號命名方法
附錄Ⅱ 常用半導體分立器件的參數
附錄Ⅲ 國標半導體集成電路型號命名方法
附錄Ⅳ 基本邏輯單元圖形符號對照表
附錄Ⅴ 部分習題參考答案
參考文獻

書摘/試閱



場效應管的柵極、漏極和源極分別對應于三極晶體管的基極、集電極和發射極,現對它們比較如下。
(1)場效應管用柵—源電壓UGS控制漏極電流ID,柵極基本不取電流。晶體管工作時基極總要索取一定的電流。因此,要求輸入電阻高的電路應選用場效應管;而若信號源可以提供一定的電流,則可選用晶體管。
(2)場效應管只有多子參與導電,晶體管內既有多子也有少子參與導電,而少子數目受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。所以在環境條件變化很大的情況下應選用場效應管。
(3)場效應管的噪聲系數很小,所以低噪聲放大器的輸入級及要求信噪比較高的電路應選用場效應管。當然也可選用特制的低噪聲晶體管。
(4)場效應管的漏極與源極可以互換使用,互換后特性變化不大。晶體管的集電極和發射極互換后特性差異很大,因此只有在特殊需要時才互換。
(5)場效應管比晶體管的種類多,因而在組成電路時場效應管比晶體管更靈活,如耗盡型MOS管,當柵一源電壓是正值、負值或零時,均能控制漏極電流。
(6)場效應管和晶體管均可用于放大電路和開關電路,它們構成了品種繁多的集成電路。但由于場效應管集成工藝更簡單,且具有耗電省、工作電壓范圍大等優點,因此場效應管越來閱讀地用于大規模和超大規模集成電路中。

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