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應用正電子譜學(簡體書)
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應用正電子譜學(簡體書)

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商品簡介
作者簡介
目次

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正電子是電子的反粒子,是人類發現的第一個反物質。正電子遇電子發生湮沒,也可與一個電子結合形成電子偶素然后湮沒。正電子或電子偶素湮沒后均發射特征γ射線,利用現代核譜學方法可精確測量其湮沒參數,從而得到有關物質微觀結構的有用信息。經過數十年的發展,已形成一門獨具特色的新興交叉學科——應用正電子譜學,它以正電子為探針,以現代核譜學實驗方法為工具,重點研究低能正電子和物質相互作用。
《應用正電子譜學》系統介紹了正電子的產生及湮沒特性、電子偶素的形成與湮沒機制、正電子與固體和表面相互作用等基本理論,常用正電子湮沒實驗方法與低能正電子束實驗技術;并結合作者的科研成果,以豐富的實驗數據,詳盡介紹了正電子譜學在凝聚態物理、化學、原子分子物理以及若干重要材料如金屬和合金、聚合物、半導體、納米材料微結構研究中的應用;最后,對正電子發射斷層顯像儀(PET)在醫學診斷中的獨特應用以及近年正電子譜學的新進展進行了評述。
《應用正電子譜學》理論與實驗相結合,內容新穎.實用性強。可供凝聚態物理、材料科學、高分子物理與化學、醫學和正電子物理等領域的科研工作者閱讀,也可作為高等學校有關專業高年級學生和研究生的教科書和參考書。

作者簡介

王少階,男, 1942年生,湖北 武漢人。1966年 畢業于清華大 學,1986-1987 年任美國密蘇里 大學客座教授, 1988年任武漢大 學教授,1990年批準為博士生導師,1988-1991年任武漢大學物理系主任,1993-1994年任瑞士PaulScllerrerInstitute研究所客座科學家,2001年任武漢大學核固體物理實驗室主任。此外,1997-2003年任湖北省副省長,2003-2008年任湖北省政協副主席,2003年至今任全國政協常委。主要學術兼職有:199-2000年任湖北省核學會理事長,1992年至今任中國核學會理事、常務理事,199l一2000年任中國核物理學會常務理事、副理事長,1997-2006年任國際正電子湮沒顧問委員會委員,2002年至今任國際正電子與電子偶素化學委員會委員。
長期從事正電子物理與材料科學研究,致力于用正電子湮沒譜學研究凝聚態物質的微結構,并取得一批具有國際先進水平的成果。在國內外學術刊物發表科研論文220余篇,多次在國際學術會議上作邀請報告。主持的項目“用正電子湮沒研究凝聚態物質的缺陷與相變”及“用正電子譜學表征高聚物微結構”分別于1989年、1997年獲國家教委科技進步二等獎;“用正電子研究材料中納米尺度微結構”于2003年獲湖北省自然科學一等獎。

目次

總序
前言
第1章 正電子譜學基礎
1.1 引言
1.2 正電子湮沒
1.2.1 正電子湮沒圖像
1.2.2 正電子湮沒率
1.2.3 正電子波長
1.2.4 正電子在凝聚物質中的湮沒
1.2.5 正電子在固體中的注入深度
1.2.6 主要正電子湮沒參數
1.3 電子偶素的形成與湮沒
1.3.1 電子偶素能級和大小
1.3.2 湮沒選擇定則
1.3.3 湮沒率和壽命
1.3.4 湮沒能譜
1.3.5 電子偶素的形成和俄勒模型
1.3.6 電子偶素探測技術
1.4 正電子譜學的特點及應用
1.4.1 正電子譜學的特點
1.4.2 正電子譜學的主要應用領域
參考文獻

第2章 正電子譜學實驗方法
2.1 正電子源
2.2 γ光子探測技術
2.2.1 γ射線與物質相互作用
2.2.2 γ光子探測器
2.3 正電子壽命測量
2.3.1 快一慢符合壽命譜儀
2.3.2 快一決符合正電子壽命譜儀
2.3.3 正電子壽命譜儀能窗調節方法
2.3.4 正電子壽命譜的分析
2.4 多普勒展寬測量
2.4.1 多普勒展寬測量原理及裝置
2.4.2 多普勒展寬譜的分析
2.5 雙探頭符合多普勒展寬技術
2.6 角關聯測量技術
參考文獻

第3章 正電子與固體的相互作用
3.1 正電子的熱化和擴散
3.1.1 正電子的背散射
3.1.2 溝道效應
3.1.3 正電子的熱化
3.1.4 正電子的擴散
3.2 正電子的捕獲與湮沒過程
3.2.1 正電子的捕獲
3.2.2 正電子與表面的相互作用
3.2.3 正電子的湮沒過程
3.2.4 電子偶素的形成
3.3 正電子的捕獲模型
3.3.1 捕獲模型
3.3.2 正電子捕獲系數
參考文獻

第4章 慢正電子束及其在表面和界面研究中的應用
4.1 引言一
4.2 正電子束發展簡史
4.3 正電子束的產生和輸運
4.3.1 正電子源
4.3.2 正電子慢化
4.3.3 正電子束流的輸運
4.3.4 慢正電子的加速
4.3.5 脈沖束和正電子壽命測量
4.3.6 靶室及探測系統
4.4 缺陷深度分布
4.4.1 慢正電子與固體表面相互作用
4.4.2 正電子注入深度分布
4.4.3 缺陷深度分布
4.5 慢正電子束在材料表面、界面和薄膜研究中的應用
4.5.1 半導體薄膜材料中的缺陷
4.5.2 異質結構界面特性
4.5.3 離子注入產生的缺陷
4.5.4 低介電常數材料孔洞分布
4.5.5 聚合物表面結構
4.6 慢正電子束技術的新進展
4.6.1 低能正電子衍射
4.6.2 正電子誘發俄歇電子能譜
4.6.3 正電子微束
4.6.4 自旋極化正電子束
參考文獻

第5章 正電子與電子偶素化學
5.1 液滴模型
5.2 電子偶素形成機制
5.3 液體中的正電子和電子偶素
5.3.1 氣泡模型
5.3.2 自由體積模型
5.3.3 氣泡模型與角關聯實驗
5.3.4 電子偶素的化學淬滅
5.4 氣體中的正電子和電子偶素
5.4.1 氣體介質中正電子的熱化
5.4.2 純氣體介質中正電子的湮沒率
5.4.3 氣體介質中o一Ps湮沒率
5.5 電子偶素的磁淬滅
5.6 應用
5.6.1 甲烷中的電子偶素湮沒特性
5.6.2 電子偶素微探針在化學中的應用
參考文獻

第6章 正電子譜學在金屬和合金研究中的應用
6.1 引言
6.2 金屬間化合物空位形成焓的測定
6.3 淬火、輻照及形變
6.4 氫脆及氫化物的研究
6.4.1 氫脆
6.4.2 氫化物
6.5 金屬和合金的相變
6.5.1 時效硬化
6.5.2 晶體結構轉變
6.5.3 馬氏體相變
6.6 腐蝕和疲勞缺陷
6.6.1 腐蝕
6.6.2 疲勞
6.7 非晶、準晶及納米晶的研究
6.7.1 非晶
6.7.2 準晶
6.7.3 微晶和納米晶
6.8 正電子微束的應用
6.9 無損檢測的研究
6.10 結語
參考文獻

第7章 聚合物中的正電子湮沒
7.1 聚合物的結構與自由體積
7.2 聚合物中的正電子湮沒、壽命譜的離散和連續譜分析
……
第8章 正電子譜學半導體缺陷研究中的應用
第9章 納米材料微結構的正電子研究
第10章 正電子在醫學中的應用
第11章 正電子譜學的新進展
參考文獻
附錄A 正電子學科歷屆國際、國內會議的舉辦時間、地點及單位
后記

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