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商品簡介
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商品簡介
本書在介紹半導體照明器件——發光二極管的材料、機理及其制造技術的同時,詳細講解了器件的光電參數測試方法,器件的可靠性分析、驅動和控制方法,以及各種半導體照明的應用技術。本書內容系統、全面,通過理論聯系實際,重點突出了“半導體照明”主題,反映了國內外最新的應用技術。 本書可供半導體照明方面的科研人員和工程技術人員參考,也可作為高等院校相關專業的教學參考書。
目次
第1章 光 視覺 顏色
1.1 光
1.2 視覺
1.3 顏色
第2章 光源
2.1 自然光源
2.2 人工光源
第3章 半導體發光材料晶體導論
3.1 晶體結構
3.2 能帶結構
3.3 半導體晶體材料的電學性質
3.4 半導體發光材料的條件
第4章 半導體的激發與發光
4.1 PN結及其特性
4.2 注入載流子的復合
4.3 輻射與非輻射復合之間的競爭
4.4 異質結構和量子阱
第5章 半導體發光材料體系
5.1 砷化鎵
5.2 磷化鎵
5.3 磷砷化鎵
5.4 鎵鋁砷
5.5 鋁鎵銦磷
5.6 銦鎵氮
第6章 半導體照明光源的發展和特征參量
6.1 發光二極管的發展
6.2 發光二極管材料生長方法
6.3 高亮度發光二極管芯片結構
6.4 照明用LED的特征參數和要求
第7章 磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
7.1 磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(HVPE)
7.2 氫化物外延體系的熱力學分析
7.3 液相外延原理
7.4 磷化鎵的液相外延
7.5 鎵鋁砷的液相外延
第8章 鋁鎵銦磷發光二極管
8.1 AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
8.2 外延材料的規模生產問題
8.3 電流擴展
8.4 電流阻擋結構
8.5 光的取出
8.6 芯片制造技術
8.7 器件特性
第9章 銦鎵氮發光二極管
9.1 GaN生長
9.2 InGaN生長
9.3 InGaN LED
9.4 提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
第10章 LED芯片制造技術
10.1 光刻技術
10.2 氮化硅生長
10.3 擴散
10.4 歐姆接觸電極
10.5 ITO透明電極
10.6 表面粗化
10.7 光子晶體
10.8 激光剝離(Laser Liftoff,LLO)
10.9 倒裝芯片技術
10.10 垂直結構芯片技術
10.11 芯片的切割
10.12 LED芯片結構的發展
第11章 白光發光二極管
11.1 新世紀光源的研制目標
11.2 人造白光的最佳化
11.3 熒光粉轉換白光LED
11.4 多芯片白光LED
第12章 LED封裝技術
12.1 LED器件的設計
12.2 LED封裝技術
第13章 發光二極管的測試
13.1 發光器件的效率
13.2 電學參數
13.3 光電特性參數——光電響應特性
13.4 光度學參數
13.5 色度學參數
13.6 熱學參數(結溫、熱阻)
13.7 靜電耐受性
第14章 發光二極管的可靠性
14.1 LED可靠性概念
14.2 LED的失效分析
14.3 可靠性試驗
14.4 壽命試驗
14.5 可靠性篩選
14.6 例行試驗和鑒定驗收試驗
第15章 有機發光二極管
15.1 有機發光二極管材料
15.2 有機發光二極管的結構和原理
15.3 OLED實現白光的途徑
15.4 有機發光二極管的驅動
15.5 有機發光二極管研發現狀
15.6 白光OLED發展趨勢和實用化預測
第16章 半導體照明驅動和控制
16.1 LED驅動技術
16.2 LED驅動器
16.3 LED集成驅動電路
16.4 控制技術
第17章 半導體照明應用
17.1 半導體照明應用產品開發原則
17.2 LED顯示屏
17.3 交通信號燈
17.4 景觀照明
17.5 手機應用
17.6 汽車用燈
17.7 LCD顯示背光源
17.8 微型投影機
17.9 通用照明
17.10 光源效率和照明系統整體效率
第18章 半導體照明技術、市場現狀和展望
18.1 LED外延
18.2 LED芯片技術
18.3 LED封裝技術
18.4 LED發光效率的發展
18.5 市場現狀和預測
18.6 半導體照明發展目標
參考文獻
1.1 光
1.2 視覺
1.3 顏色
第2章 光源
2.1 自然光源
2.2 人工光源
第3章 半導體發光材料晶體導論
3.1 晶體結構
3.2 能帶結構
3.3 半導體晶體材料的電學性質
3.4 半導體發光材料的條件
第4章 半導體的激發與發光
4.1 PN結及其特性
4.2 注入載流子的復合
4.3 輻射與非輻射復合之間的競爭
4.4 異質結構和量子阱
第5章 半導體發光材料體系
5.1 砷化鎵
5.2 磷化鎵
5.3 磷砷化鎵
5.4 鎵鋁砷
5.5 鋁鎵銦磷
5.6 銦鎵氮
第6章 半導體照明光源的發展和特征參量
6.1 發光二極管的發展
6.2 發光二極管材料生長方法
6.3 高亮度發光二極管芯片結構
6.4 照明用LED的特征參數和要求
第7章 磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
7.1 磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(HVPE)
7.2 氫化物外延體系的熱力學分析
7.3 液相外延原理
7.4 磷化鎵的液相外延
7.5 鎵鋁砷的液相外延
第8章 鋁鎵銦磷發光二極管
8.1 AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
8.2 外延材料的規模生產問題
8.3 電流擴展
8.4 電流阻擋結構
8.5 光的取出
8.6 芯片制造技術
8.7 器件特性
第9章 銦鎵氮發光二極管
9.1 GaN生長
9.2 InGaN生長
9.3 InGaN LED
9.4 提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
第10章 LED芯片制造技術
10.1 光刻技術
10.2 氮化硅生長
10.3 擴散
10.4 歐姆接觸電極
10.5 ITO透明電極
10.6 表面粗化
10.7 光子晶體
10.8 激光剝離(Laser Liftoff,LLO)
10.9 倒裝芯片技術
10.10 垂直結構芯片技術
10.11 芯片的切割
10.12 LED芯片結構的發展
第11章 白光發光二極管
11.1 新世紀光源的研制目標
11.2 人造白光的最佳化
11.3 熒光粉轉換白光LED
11.4 多芯片白光LED
第12章 LED封裝技術
12.1 LED器件的設計
12.2 LED封裝技術
第13章 發光二極管的測試
13.1 發光器件的效率
13.2 電學參數
13.3 光電特性參數——光電響應特性
13.4 光度學參數
13.5 色度學參數
13.6 熱學參數(結溫、熱阻)
13.7 靜電耐受性
第14章 發光二極管的可靠性
14.1 LED可靠性概念
14.2 LED的失效分析
14.3 可靠性試驗
14.4 壽命試驗
14.5 可靠性篩選
14.6 例行試驗和鑒定驗收試驗
第15章 有機發光二極管
15.1 有機發光二極管材料
15.2 有機發光二極管的結構和原理
15.3 OLED實現白光的途徑
15.4 有機發光二極管的驅動
15.5 有機發光二極管研發現狀
15.6 白光OLED發展趨勢和實用化預測
第16章 半導體照明驅動和控制
16.1 LED驅動技術
16.2 LED驅動器
16.3 LED集成驅動電路
16.4 控制技術
第17章 半導體照明應用
17.1 半導體照明應用產品開發原則
17.2 LED顯示屏
17.3 交通信號燈
17.4 景觀照明
17.5 手機應用
17.6 汽車用燈
17.7 LCD顯示背光源
17.8 微型投影機
17.9 通用照明
17.10 光源效率和照明系統整體效率
第18章 半導體照明技術、市場現狀和展望
18.1 LED外延
18.2 LED芯片技術
18.3 LED封裝技術
18.4 LED發光效率的發展
18.5 市場現狀和預測
18.6 半導體照明發展目標
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