集成電路芯片製造工藝技術（簡體書）

《集成電路芯片制造工藝技術》主要講述集成電路芯片制造工藝技術，主要有13章，內容包括集成電路芯片制造工藝概述、氧化技術、擴散技術、光刻技術、刻蝕、離子注入、化學氣相淀積、金屬化、表面鈍化、電學隔離技術、集成電路制造工藝流程、缺陷控制、真空與設備等內容。附錄一中還介紹了硅材料基礎知識和硅材料的制備，附錄二給出了Fab廠常用術語的中英文對照。
《集成電路芯片制造工藝技術》力求在技術體系合理完整的基礎上，使內容由淺人深，從制造技術的原理出發，緊密地聯系生產實際，方便讀者理解這些原本復雜的工藝和流程。《集成電路芯片制造工藝技術》可作為高職高專院校微電子技術及相關專業的教學用書，也可作為工程技術人員的參考用書。

《集成電路芯片制造工藝技術》是高職高專電子制造類專業規劃教材,英特爾公司推薦教材。

第1章 集成電路芯片制造工藝概述
1.1 集成電路概述
1.1.1 集成電路的概念
1.1.2 集成電路的分類
1.2 制造工藝技術在集成電路發展中的作用
1.2.1 集成電路發展簡史
1.2.2 集成電路的發展規律
1.2.3 集成電路的發展展望
1.2.4 硅微電子技術發展的幾個趨勢
1.2.5 硅技術以外的半導體微電子技術發展方向
1.2.6 集成電路發展面臨的問題
1.3 國內半導體工藝技術現狀
1.4 集成電路芯片工藝基本技術
1.4.1 工藝制造中的核心步驟
1.4.2 窗口、圖形的確定與掩模板的作用
1.4.3 主要工藝技術
思考題

第2章 氧化技術
2.1 SiO2的結構、性質及用途
2.1.1 SiO2的結構
2.1.2 Si02的主要性質和作用
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.2.1 雜質在SiO2中的存在形式
2.2.2 雜質在SiO2中的擴散系數
2.2.3 SiO2掩蔽層厚度的確定
2.3 高溫氧化(熱氧化)
2.4 熱氧化過程
2.5 決定氧化速率常數的各種因素
2.5.1 氧化劑分壓的影響
2.5.2 氧化溫度的影響
2.5.3 硅表面晶向的影響
2.5.4 雜質的影響
2.6 熱氧化過程中雜質的再分布
2.6.1 雜質的再分布
2.6.2 再分布對硅表面雜質濃度的影響
思考題

第3章 擴散技術
3.1 概述
3.2 擴散機構
3.2.1 間隙式擴散
3.2.2 替位式擴散
3.3 半導體中雜質原子擴散的濃度分布
3.4 常用雜質的擴散方法
3.4.1 硼擴散
3.4.2 磷擴散
3.4.3 砷擴散
3.4.4 銻擴散
3.4.5 金擴散
3.5 雜質擴散後結深和方塊電阻的測量
3.5.1 結深的測量
3.5.2 擴散層電阻
3.5.3 方塊電阻的測量
思考題

第4章 光刻技術
4.1 概述
4.1.1 光刻的基本要求
4.1.2 光刻的工藝流程
4.2 光刻膠及其特性
4.2.1 光刻膠的類型及感光機理
4.2.2 光刻膠的性能
4.3 光刻技術
思考題

第5章 刻蝕
5.1 VLSI對圖形轉移的要求和刻蝕方法
5.1.1 VLSI對圖形轉移的要求
5.1.2 刻蝕方法
5.2 等離子刻蝕
5.2.1 等離子體刻蝕原理
5.2.2 等離子刻蝕裝置
5.2.3 等離子刻蝕的性能
5.3 反應離子刻蝕(RIE)與離子束刻蝕
思考題

第6章 離子注入
6.1 離子注入設備
6.2 注入離子的濃度分布與退火
6.2.1 注入離子濃度分布
6.2.2 晶格損傷和退火
6.3 離子注人的特點和應用
6.3.1 離子注入的特點
6.3.2 離子注入的應用
思考題

第7章 化學氣相淀積
7.1 化學氣相淀積的化學過程及薄膜分類
7.1.1 化學氣相淀積的過程
7.1.2 化學氣相淀積的薄膜分類及工藝特點
7.2 化學氣相淀積生長動力學
7.2.1 薄膜生長過程
7.2.2 化學氣相淀積模型
7.2.3 襯底表面氣體邊界層厚度6(附面層)與HG的關系
7.3 化學氣相淀積系統
7.3.1 APCVD工藝
7.3.2 LPCVD工藝
思考題

第8章 金屬化
8.1 概述
8.1.1 金屬化工藝的作用
8.1.2 集成電路對金屬化系統的要求
8.1.3 金屬一半導體接觸
8.2 金屬化薄膜的制備
8.2.1 真空蒸發
8.2.2 濺射
8.2.3 其他淀積技術
8.3 金屬化互連技術
8.3.1 金屬化系統
8.3.2 常用金屬化系統及其特點
8.3.3 金屬化互連系統中的失效及改進措施
思考題

第9章 表面鈍化
9.1 概述
9.1.1 介質膜(絕緣膜)的作用
9.1.2 介質膜的一般要求
9.1.3 介質膜的種類
9.2 si-SiO2系統
9.2.1 Si-SiO2系統中的電荷
9.2.2 Si-si02系統中的電荷對器件性能的影響
9.2.3 Si-SiO2結構性質的測試分析
9.3 主要的鈍化方法
9.3.1 含氯氧化
9.3.2 磷硅玻璃(PsG)和硼磷硅玻璃(BPSG)鈍化
9.3.3 氮化硅(Si3N。)鈍化膜
……
第10章 電學隔離技術
第11章 集成電路制造工藝流程
第12章 缺陷控制
第13章 真空與設備
附錄一芯片制造材料
思考題
附錄二Fab廠常用術語的中英文
對照
參考文獻

第11章 集成電路制造工藝流程
前10章介紹了集成電路制造的基本工藝環節，為了讓大家對集成電路加工工藝過程有一個全局的認識，并對各種工序在整個過程中的作用和意義有所了解，本章選取具有代表性的雙極集成電路和cM0s集成電路作為例子，向大家介紹這兩種集成電路的整個工藝流程，使大家對集成電路制造工藝有一個整體的了解。
11.1 典型的雙極集成電路工藝雙極集成電路最主要的應用領域是模擬和超高速集成電路，集成電路中的雙極型晶體管與分立晶體管的主要區別是集成電路中的所有晶體管都必須制作在集成電路芯片表面，而且每個晶體管之間必須在電學上相互隔開，以防止器件之間的相互影響。早期的雙極集成電路主要采用背靠背的PN結隔離，這種PN結隔離方法占用的面積較大，寄生電容較高，因此在現代集成電路工藝中廣泛采用的是厚場氧化層隔離的方法和先進的溝槽隔離方法。在集成電路中，通常將硅片上用于制作各種元器件的區域叫有源區，其他沒有制作器件的區域叫做場區。場氧化層和溝槽隔離技術滿足了現代集成電路集成密度高、可以進行等比例縮小等的要求，因此廣泛采用。