無機納米線 應用、性能和表徵：材料科學與應用進展（簡體書）

《材料科學與應用進展?無機納米線:應用、性能和表征(導讀版)》首先簡述納米技術的發展歷程。在描述納米材料分類的基礎上將全書的主題轉至無機納米線，簡述無機納米線的潛在應用領域，回顧一維線材料的發展歷史。然後圍繞無機納米線的合成綜述了包括無機納米線的合成方法、納米線生長的熱力學和動力學及納米線生長過程的理論模擬方面的研究進展。其次分門別類地介紹了各種類型的無機納米線（半導體納米線、相轉變納米線、金屬納米線、氧化物納米線、氮化物納米線和其他納米線等）。最後圍繞無機納米線最可能取得突破的應用領域，介紹了其在電子、光電子、傳感和能量轉換器件中的應用。
全面綜述了無機納米線生長方法及其在納米器件中的應用。利用經典熱力學和動力學觀點介紹無機納米線的生長過程。內容豐富、圖文并茂，附有大量參考文獻以供參考。適合材料、化學化工、電子學等領域的師生、科研人員閱讀參考。

作者：邁亞潘 (M. Meyyappan) (美國)Mahendra K.Sunkara

邁亞潘(M.Meyyappan)是位于美國加利福尼亞州莫菲特場的國家航空航天局埃姆斯研究中心納米技術中心有關勘探技術的首席科學家。直到2006年6月，他擔任納米技術中心的主任和資深科學家。他是科學技術政策局(OSTP)建立的納米技術跨部門工作小組(IWGN)的創始成員。IWGN是負責美國國家納米先導計劃的組織。
M.Meyyappan博士是超過175篇同行評議論文的作者或共同作者，在全世界范圍內就納米技術主題做了超過200場邀請／主題／大會報告。他的研究興趣包括碳納米管和不同的無機納米線的生長、表征及其在生物和化學傳感器、儀器儀表、電子和光電子領域的應用。
M.Meyyappan博士是電氣和電子工程師學會(IEEE)、電化學會、美國真空協會(AVS)、材料研究會和加州科學和技術委員會的特別會員。此外，他還是美國機械工程師學會(ASME)和美國化學工程師學會的會員。另外，他還是IEEE納米技術理事會納米技術方面的杰出講師；IEEE電子器件協會杰出講師；ASME學會納米技術方面的杰出講師(2004-2006)。他還在2006-2007年擔任了IEEE納米技術理事會主席。
由于M.Meyyappan博士在納米技術領域的貢獻和領導，他獲得了很多的榮譽，包括一次總統卓越貢獻獎、美國航空航天局的杰出領導獎章、亞瑟弗萊明基金會和喬治華盛頓大學授予的亞瑟弗萊明獎；IEEE的朱迪思雷斯尼克獎、IEEE美國哈利鉆石獎和納米科學與工程論壇獎。由于在納米技術方面的持續貢獻，2009年2月M.Meyyappan博士人選硅谷工程協會名人堂。他還獲得了來自美國宇航局教育辦公室的優秀貢獻獎；美國航空和航天研究所(AIAA)舊金山節授予的年度工程師獎(2004年)；IEEE - EDS教育獎以表彰他在納米技術教育領域的貢獻。
Mahendra K.Sunkara目前是路易斯維爾大學(Uofl)先進材料和可再生能源研究所(IAM - RE)的化學工程教授和創建人。他分別在1986年于安得拉大學(印度，安得拉邦)獲得化學工程學士學位；1988年于克拉克森大學(波茨坦，紐約)獲得化學工程碩士學位；并最終在1993年于凱斯西保留地大學(俄亥俄州克利夫蘭)獲得化學工程博士學位。1993-1996年，他在位于俄亥俄州代頓市的智原科技有限公司擔任項目工程師，作為技術主管/課題負責人負責幾項使用電化學技術進行環境整治和腐蝕傳感與緩解的課題。

《材料科學與應用進展?無機納米線:應用、性能和表征(導讀版)》是由科學出版社出版的。

序言
作者
1.介紹
參考文獻

2.歷史淵源
參考文獻

3.生長方法
3.1 簡介
3.2 液相方法
3.2.1 模板法
3.2.1.1 模板制備
3.2.1.2 沉積方法
3.2.2 無模板法
3.2.2.1 水熱法
3.2.2.2 超聲化學法
3.2.2.3 表面活性劑輔助生長：軟導向劑
3.2.2.4 催化劑輔助溶液生長法
3.3 氣相方法
3.3.1 一維生長機理
3.3.1.1 使用客體金屬簇的氣一液一固模式
3.3.1.2 使用低熔點金屬簇的氣一液一固途徑
3.3.1.3 使用大尺寸、熔化金屬簇的氣一液一固模式
3.3.1.4 氣一液一固模式
3.3.1.5 氧氣輔助生長（OAG）模式
3.3.2 氣相納米線合成所需原料的產生和反應器
3.3.2.1 熱蒸發
3.3.2.2 激光燒蝕法
3.3.2.3 金屬有機化學氣相沉積
3.3.2.4 化學和分子束外延
3.3.2.5 等離子電弧放電方法
3.4 批量生產方法
3.4.1 熱絲化學氣相沉積法
3.4.2 超臨界流體方法
3.4.3 等離子體直接氧化法
3.4.4 使用等離子體放電的直接反應法
3.5 未來的發展方向
參考文獻

4.納米線生長過程的熱力學和動力學
4.1 簡介
4.2 氣-液-固法生長的熱力學考量
4.2.1 熔化的金屬液滴的熱力學考量
4.2.1.1 Gibbs-Thompson方程
4.2.1.2 從熔化的金屬合金液滴中成核
4.2.1.3 從不同的熔化金屬液滴中成核
4.2.1.4 自發成核過飽和的熱力學評估
4.2.1.5 尖端誘導納米線生長所需金屬的合理選擇（避免成核）
4.2.1.6 改善熔化金屬尖端誘導生長的實驗條件
4.2.2 界面能和尖端誘導生長
4.2.2.1 界面能在納米線生長穩定性中的作用
4.2.2.2 界面能在納米線晶面選擇中的作用
4.2.2.3 界面能在納米線生長方向中的作用
4.3 VLS生長方法制備納米線的動力學考量
4.3.1 氣-液-固平衡的動力學
4.3.2 直接碰撞在生長動力學中的作用
4.3.3 表面擴散在生長動力學中的作用
4.3.4 直接碰撞和表面擴散
4.3.5 表面擴散在金屬液滴上的作用
4.3.6 納米線間距的作用
參考文獻

5.納米線生長模擬
5.1 簡介
5.2 穩定晶面的表面能：以硅納米線為例
5.3 單跟納米線生長模擬
5.3.1 模擬策略
5.3.2 動力學蒙特卡羅模擬結果
5.3.3 生長方向和晶面上的實證結果
5.4 多核模擬和一維結構生長
5.5 納米線陣列的生長模擬
參考文獻

6.半導體納米線
6.1 簡介
……
7.相轉變材料
8.金屬納米線
9.氧化物納米線
10.氮化物納米線
11.其他納米線
12.在電子裝置中的應用
13.在光電子裝置中的應用
14.在傳感器中的應用
15.在能量領域的應用
16.其他應用
索引

6.4 Catalyst Choice
Interestingly, the VLS growth is not actually a catalytic process and the seedmetalis not really a catalyst. The metal droplet just receives the source material and when supersaturation is reached, the excess material precipitates outof the droplet in the form of a nanowire. Thus, the seed metalis only a softtemplate [80] to collect the material and facilitate nanowire precipitation,guidance, and elongation in the axial direction. Johannsson et al. [81] provide .a more rigorous evidence to prove that the metalis not a catalyst. A catalyst,as well known in chemistry literature and chemical industry, is a materialthat increases the rate of a chemical reaction while remaining intact in theprocess. The activation energy for SiNW growth using gold seeds and sili-con thin film growth in microelectronics industry （with no seeds, of course）is about the same at 130kj/mol, indicating that gold does not aid inincreasing the reaction rate.