模擬電子技術學習指導與習題解答（簡體書）

《模擬電子技術學習指導與習題解答》是為配合郭業才教授、黃友銳教授主編的《模擬電子技術》（清華大學出版社，2011年）教材而編寫的教學輔導資料，其主要內容包括二極管及其電路、半導體三極管及其放大電路、場效應管及其放大電路、集成運算放大電路、放大電路中的反饋、信號運算與處理電路、信號產生電路、功率放大電路、直流穩壓電源、電子電路識圖和模擬電子線路的Multisim仿真等。每章有六部分內容，即教學要求、基本概念、重點難點分析、學習方法指導、典型例題分析和習題詳解。小書可作為高等學校電子信息與電氣學科各專業的課程教學參考書，也可作為自學和考研學生的復習資料。

《模擬電子技術學習指導與習題解答》旨在讓學生學會分析問題與解決問題的方法，提高學習效率。列明“教學基本要求”，便于學生規劃學習進度：總結“基本概念”，便于學生課後復習。給出重難點分析、學習方法指導和典型例題分析，便于學生把握重點，突破難點，做到舉一反三。

第1章 緒論
1.1 教學要求
1.2 基本概念
1.3 學習方法指導

第2章 二極管及其電路
2.1 教學要求
2.2 基本概念
2.3 重點難點分析
2.4 學習方法指導
2.5 典型例題分析
2.6 習題詳解

第3章 半導體三極管及其放大電路
3.1 教學要求
3.2 基本概念
3.3 重點難點分析
3.3.1 三極管
3.3.2 靜態分析
3.3.3 動態分析
3.3.4 共基、共集電路分析
3.3.5 差分放大電路
3.3.6 頻率響應
3.4 學習方法指導
3.5 典型例題分析
3.6 習題詳解

第4章 場效應管及其放大電路
4.1 教學要求
4.2 基本概念
4.3 重點難點分析
4.4 學習方法指導
4.5 典型例題分析
4.6 習題詳解

第5章 集成運算放大電路
5.1 教學要求
5.2 基本概念
5.3 重點難點分析
5.4 學習方法指導
5.5 典型例題分析
5.6 習題詳解

第6章 放大電路中的反饋
6.1 教學要求
6.2 基本概念
6.3 重點難點分析
6.4 學習方法指導
6.5 典型例題分析
6.6 習題詳解

第7章 信號運算與處理電路
7.1 教學要求
7.2 基本概念
7.2.1 基本運算電路
7.2.2 有源濾波電路
7.3 重點難點分析
7.3.1 運放線性應用和非線性應用的特點
7.3.2 集成運放在信號模擬運算中的應用
7.3.3 有源濾波電路
7.4 學習方法指導
7.5 典型例題分析
7.6 習題詳解

第8章 信號產生電路
8.1 教學要求
8.2 基小概念
8.3 重點難點分析
8.4 學習方法指導
8.5 典型例題分析
8.6 習題詳解

第9章 功率放大電路
9.1 教學要求
9.2 基本概念
9.3 重點難點分析
9.4 學習方法指導
9.5 典型例題分析
9.6 習題詳解

第10章 直流穩壓電源
10.1 教學要求
10.2 基本概念
10.3 重點難點分析
10.4 學習方法指導
10.5 典型例題分析
10.6 習題詳解

第11章 電子電路識圖
11.1 教學要求
11.2 基本概念
11.3 重點難點分析
11.4 學習方法指導
11.5 典型例題分析
11.6 習題詳解

第12章 模擬電子線路的仿真
12.1 教學要求
12.2 基本概念
12.2.1 現實元器件和虛擬元器件
12.2.2 虛擬儀表
12.2.3 分析工具
12.3 重點難點分析
12.4 學習方法指導
12.5 典型例題分析
12.6 習題詳解
參考文獻

（1）本征半導體是指完全純凈的、結構完整的半導體晶體。半導體中有兩種載流子參與導電（這也是其與導體區別的一個重要特征）。自由電子與空穴的電量相等，極性相反，遷移方向相反。半導體中的載流子數目越多，導電電流就可能越大。半導體的一個重要特性就是其導電性能對溫度很敏感。
本征半導體的導電能力很弱（載流子濃度低），不能滿足電子電路的要求。在本征半導體中摻入微量的不同價的其他元素（雜質），可大大提高載流子的濃度，從而改善導電性能。
常在硅或鍺半導體中摻入五價元素（磷、銻）形成N型半導體。N型半導體中：多子為電子；少子為空穴。提供電子的雜質元素稱為“施主雜質”。在硅或鍺半導體中摻入三價元素（硼、銦）形成P型半導體。P型半導體中：多子為空穴；少子為電子。提供空穴的雜質元素稱為“受主雜質”。多數載流子的濃度決定于摻雜濃度，少數載流子的濃度與溫度有關。
（2）PN結是構成各種半導體器件的基礎。PN結的形成原理是：由于摻雜不同，P、N間存在多子濃度的差異（P區的多子為空穴；N區的多子為電子）；濃度差引起多子的擴散運動，且其在交界處產生復合，留下由于晶格化而不能運動的正負離子（不參與導電），稱為空間電荷。空間電荷區平衡時，產生的電壓一般為零點幾伏，又稱為“接觸電位差”。擴散運動繼續進行，空間電荷區加寬。同時空間電荷區產生內電場（方向為正離子區指向負離予區），其作用是阻止擴散，而使少子產生漂移運動。最終達到動態平衡（這時電場力等于擴散力），空間電荷區不再加寬。空間電荷區的幾種稱謂包括：耗盡層、阻擋層、勢壘區。從半導體的導電角度來看，非空間電荷區呈現低電阻特性，而空間電荷區則具有阻止電流的作用，呈現高阻特性。空間電荷區越寬，電阻值越大，反之亦然。