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Compound Semiconductor Epitaxy:VOLUME340
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Compound Semiconductor Epitaxy:VOLUME340

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The April 1994 symposium focused on the materials issues of III-V and II-V epitaxy for electronic and optoelectronic applications. The work presented in this volume contains new research results as well as comprehensive overviews, and is organized in nine sections: MBE growth issues and devices; MOVPE growth issues and devices; MOMBE/CBE growth issues; surfaces and interfaces; doping and traps; strain and relaxed structures; heteroepitaxy; wide bandgap II-VI heterostructures; and other II-VIs and related compound semiconductors. Annotation copyright Book News, Inc. Portland, Or.

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