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Silicon-Based Optoelectronic Materials：VOLUME298
商品資訊
系列名：MRS Proceedings
ISBN13：9781558991941
出版社：Cambridge University Press
作者：Edited by M. A. Tischler ; R. T. Collins ; M. L. W. Thewalt ; G. Abstreiter
出版日：1993/09/28
裝訂：平裝
版次：1
定價
：NT$ 1710 元優惠價
：90 折 1539 元
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商品簡介
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商品簡介
Proceedings of a symposium held in San Francisco, April 1993. Papers discuss luminescence studies of MBE grown Si/SiGe quantum wells, investigation of colloidal Si prepared from porous silicon, reducing dislocation density by sequential implantation of Ge and C in Si, chemical and reactive ion etching for the selective removal of silicon-germanium, hydrogen radical annealing effect on the growth of microcrystalline silicon, and a study on mechanism of visible luminescence from porous silicon. Annotation copyright Book News, Inc. Portland, Or.
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