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《納米半導體器件與技術》(作者印紐斯基)這本 書由來自工業界和學術界的國際頂級專家參與撰寫， 是 一本對未來納米制造技術有濃厚興趣的人必讀的書。
《納米半導體器件與技術》介紹了半導體工藝從 標準的CMOS硅工藝到新型器件結構的演變，包括碳納 米管、 石墨烯、量子點、III-V族材料。本書涉及納米電子 器件的研究現狀，提供了包羅萬象的關 于材料和器件結構的資源．包括從微電子到納電子的 革命。
本書分三個部分： 半導體材料(例如，碳納米管，憶阻器及自旋有 機器件)； 硅器件與技術(如BICMOS，SOI，各種三維集成和 RAM技術．以及太陽能電池)； 復合半導體器件與技術。
本書探索了能夠在微電子系統性能上超越傳統 CMOS的新興材料。討論的主題涉及碳納 米管的電子輸運GAN HEMTS技術及應用。針對萬億美 元納米技術產業的真實市場需求和技 術壁壘，本書提供了新型元器件結構的重要信息．而 這將使其向未來的發展邁出一大步。
《納米半導體器件與技術》介紹了半導體工藝從 標準的CMOS硅工藝到新型器件結構的演變，包括碳納 米管、 石墨烯、量子點、III-V族材料。本書涉及納米電子 器件的研究現狀，提供了包羅萬象的關 于材料和器件結構的資源．包括從微電子到納電子的 革命。
本書分三個部分： 半導體材料(例如，碳納米管，憶阻器及自旋有 機器件)； 硅器件與技術(如BICMOS，SOI，各種三維集成和 RAM技術．以及太陽能電池)； 復合半導體器件與技術。
本書探索了能夠在微電子系統性能上超越傳統 CMOS的新興材料。討論的主題涉及碳納 米管的電子輸運GAN HEMTS技術及應用。針對萬億美 元納米技術產業的真實市場需求和技 術壁壘，本書提供了新型元器件結構的重要信息．而 這將使其向未來的發展邁出一大步。
目次
第一部分 半導體材料
第1章 碳納米管中的電子運動：從電子動力學到電路模型
1．1 引言
1．2 碳納米管的電子動力學
1．2．1 概述
1．2．2 碳納米管的能帶結構
1．2．3 碳納米管的構造
1．2．4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數量
1．3 電磁學中的應用：碳納米管作為一種新型的散射材料
1．3．1 概述
1．3．2 碳納米管散射的電磁學模型
1．4 電路中的應用：碳納米管作為一種新型的互連材料
1．4．1 納米級互連中的碳納米管
1．4．2 碳納米管互連的TL模型
1．4．3 束狀碳納米管作為新型的芯片封裝的互連材料
1．5 結論
參考文獻
第2章 碳納米管與cMos的單片集成
第3章 便捷的、可擴展的外圍電化學方法制備二氧化鈦憶阻器
第4章 有機半導體中的自旋傳輸：最初八年的簡要概述
第二部分 硅器件和技術
第5章 siGc BicMoS技術與器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例：極限FDSOI多柵MOSFET和多勢壘促進柵極共振隧穿FET
第7章 三維芯片集成技術的發展
第8章 嵌入式STT―MRAM
第9章 非易揮發性存儲器件：阻變存儲器
第10章 DRAM技術
第11章 單晶硅太陽能電池的優化和模型
第12章 硅器件的輻射效應
第三部分 復合半導體器件與技術
第13章 使用直接生長技術的GaN／InGaN雙異質結雙極晶體管
第14章 氮化鎵高電子遷移率晶體管技術與應用
第15章 基于CaN的金屬-氧化物-半導體高電子遷移率晶體管的表面處理、工藝和性能
第16章 下一代高功率／高溫器件――大尺度硅襯底氮化鎵基HEMT器件
第17章 應用于手機終端的砷化鎵異質結雙極型晶體管及功率放大器設計
第18章 Ⅲ族氯化物的負微分電阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半導體子能帶光電學的新發展
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