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古典詩詞的女兒-葉嘉瑩
Vertical Gan and Sic Power Devices

Vertical Gan and Sic Power Devices

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Compared with silicon, says Mochizuki, gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) have excellent physical properties relating to electrical and thermal conductivity, and many researchers expect them to be the ultimate materials for power devices used in highly efficient power-electronics systems. He introduces vertical GaN and SiC power devices to students, researchers, and engineering working in the field of crystal growth, processing, and design for power semiconductor devices. His topics include physical properties of GaN and SiC, effects of photon recycling, metal-semiconductor contacts and unipolar power diodes, and edge terminations. Annotation ©2018 Ringgold, Inc., Portland, OR (protoview.com)

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