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商品簡介
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Sr/Si界面在晶形高介電常數(k)氧化物-半導體體系的外延生長中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的緩衝界面層。本書深入研究了不同Sr/Si再構表面的幾何及電子結構，並探討相關的物理機制。主要 分為以下3個部分：（1）第一部分：Si（100）襯底上的 Sr／Si再構；（2）第二部分：Si（111）襯底上的Sr／Si 再構；（3）第三部分：超薄SrTiO3膜的高溫晶化。
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