滿額折
商品簡介
目次
相關商品
商品簡介
本書介紹寬禁帶電力電子器件的驅動電路原理分析與設計方法，內容包括：緒論；碳化硅器件的基本特性與電壓型驅動電路原理分析；適用於碳化硅器件的典型驅動集成電路和集成驅動板實例分析；氮化鎵器件的基本特性與驅動電路原理分析；適用於氮化鎵器件的典型驅動集成電路和集成驅動板實例分析；寬禁帶器件的特色驅動技術及其發展方向。
本書可作為高等院校電力電子技術、電機驅動技術以及新能源技術等專業的本科生、研究生和教師的參考書，也可供從事寬禁帶器件驅動電路設計的工程技術人員以及應用寬禁帶器件研制高性能電力電子裝置的工程技術人員參考。
本書可作為高等院校電力電子技術、電機驅動技術以及新能源技術等專業的本科生、研究生和教師的參考書，也可供從事寬禁帶器件驅動電路設計的工程技術人員以及應用寬禁帶器件研制高性能電力電子裝置的工程技術人員參考。
目次
第1章 緒論
1.1 硅器件的性能限制
1.2 寬禁帶半導體材料特性
1.2.1 碳化硅材料
1.2.2 氮化鎵材料
1.3 .寬禁帶電力電子器件發展概況
1.3.1 SiC基電力電子器件
1.3.2 GaN基電力電子器件
1.4 寬禁帶器件的驅動電路設計挑戰
參考文獻
第2章 碳化硅器件的基本特性及驅動電路設計考慮
2.1 SiC器件的基本特性與參數
2.1.1 通態特性及其參數
2.1.2 阻態特性及其參數
2.1.3 開關特性及其參數
2.1.4 柵極驅動特性及其參數
2.2 SiC器件對驅動電路的設計要求
2.2.1 SiC MOSFET對驅動電路的要求
2.2.2 其他SiC器件對驅動電路的要求
2.3 SiC MOSFET的電壓型驅動電路設計方法
2.3.1 單管驅動電路
2.3.2 橋臂驅動電路
2.3.3 模塊驅動電路
2.4 小結
參考文獻
第3章 SiC MOSFET用柵極驅動集成電路
3.1 IXYS公司柵極驅動集成電路
3.1.1 IXDN609SI單通道高速驅動芯片
3.1.2 IXDD614YI單通道高速驅動芯片
3.1.3 IXDN630Y1單通道高速驅動芯片
3.2 Infineon公司柵極驅動集成電路
3.2.11 ED020I12-F2集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.2.21 EDI20H12AH集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.3 Rohm公司柵極驅動集成電路
3.3.1 BM6104FV-C集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.3.2 BM60051FV-C集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.4 ST公司柵極驅動集成電路
3.4.1 STGAP1AS集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.4.2 STGAP2D集成保護功能的雙通道高速驅動芯片
3.5 Analog Devices公司柵極驅動集成電路
3.6 ON Semiconductor公司柵極驅動集成電路
3.7 NXP公司柵極驅動集成電路
3.8 小結
參考文獻
第4章 SiC MOSFET集成驅動板應用舉例
4.1 Cree公司柵極驅動板
4.1.1 CRD-001型SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.1.2 CGD15SG00D2型SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.1.3 PT62SCMD12型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.4 CGD15HB62P1型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.5 CGD15HB62LP型SiC MOSFET柵極驅動板
4.1.6 Cree公司CGD12HBXMP型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.7 CGD15FB45P型三相橋臂SiC MOSFET柵極驅動板
4.2 Rohm公司柵極驅動板
4.2.1 BM9499H型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.2.2 BP59A8H型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.3 Infineon公司柵極驅動板
4.4 ST公司柵極驅動板
4.4.1 EVALSTGAP1AS型 SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.4.2 EVALSTGAP2DM型 SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.5 Mircrosemi公司柵極驅動板
4.5.1 MSCSICMDD型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.5.2 MSCSICSP3型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.6 ON Semiconductor公司柵極驅動板
4.7 NXP公司柵極驅動板
4.8 小結
參考文獻
第5章 GaN器件的基本特性與驅動電路設計考慮
5.1 GaN器件的基本特性與參數
5.1.1 eGaN HEMT的特性與參數
5.1.2 Cascode GaN HEMT的特性與參數
5.1.3 GaN GIT的特性與參數
5.2 GaN器件驅動電路設計挑戰與要求
5.2.1 eGaN HEMT對驅動電路的要求
5.2.2 其他GaN器件對驅動電路的要求
5.3 GaN器件的驅動電路原理與設計
5.3.1 eGaN HEMT的驅動電路設計
5.3.2 Cascode GaN HEMT的驅動電路設計
5.3.3 GaN GIT的驅動電路原理與設計
5.4 小結
參考文獻
第6章 GaN HEMT用柵極驅動集成電路及集成驅動器
6.1 TI公司柵極驅動集成電路
6.2 Silicon Labs公司柵極驅動集成電路
6.2.1 Si8271GB-IS單通道高速驅動芯片
6.2.2 Si8230雙通道高速驅動芯片
6.3 Panasonic公司柵極驅動集成電路
6.4 Infineon公司柵極驅動集成電路
6.5 GalN集成驅動器實例分析
6.5.1 低壓eGaN HEMT的驅動電路
6.5.2 高壓eGaN HEMT的驅動電路
6.5.3 Cascode GaN HEMT的驅動電路
6.5.4 GaN GIT的驅動電路
6.5.5 CoolGaN HEMT的驅動電路
6.6 小結
參考文獻
第7章 寬禁帶器件驅動技術的發展
7.1 柵極主動驅動控制技術
7.2 高溫驅動技術
7.2.1 分立元件高溫驅動技術
7.2.2 SOI高溫驅動技術
7.2.3 全SiC高溫驅動技術
7.3 集成驅動技術
7.4 小結
參考文獻
1.1 硅器件的性能限制
1.2 寬禁帶半導體材料特性
1.2.1 碳化硅材料
1.2.2 氮化鎵材料
1.3 .寬禁帶電力電子器件發展概況
1.3.1 SiC基電力電子器件
1.3.2 GaN基電力電子器件
1.4 寬禁帶器件的驅動電路設計挑戰
參考文獻
第2章 碳化硅器件的基本特性及驅動電路設計考慮
2.1 SiC器件的基本特性與參數
2.1.1 通態特性及其參數
2.1.2 阻態特性及其參數
2.1.3 開關特性及其參數
2.1.4 柵極驅動特性及其參數
2.2 SiC器件對驅動電路的設計要求
2.2.1 SiC MOSFET對驅動電路的要求
2.2.2 其他SiC器件對驅動電路的要求
2.3 SiC MOSFET的電壓型驅動電路設計方法
2.3.1 單管驅動電路
2.3.2 橋臂驅動電路
2.3.3 模塊驅動電路
2.4 小結
參考文獻
第3章 SiC MOSFET用柵極驅動集成電路
3.1 IXYS公司柵極驅動集成電路
3.1.1 IXDN609SI單通道高速驅動芯片
3.1.2 IXDD614YI單通道高速驅動芯片
3.1.3 IXDN630Y1單通道高速驅動芯片
3.2 Infineon公司柵極驅動集成電路
3.2.11 ED020I12-F2集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.2.21 EDI20H12AH集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.3 Rohm公司柵極驅動集成電路
3.3.1 BM6104FV-C集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.3.2 BM60051FV-C集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.4 ST公司柵極驅動集成電路
3.4.1 STGAP1AS集成保護功能的單通道高速驅動芯片
3.4.2 STGAP2D集成保護功能的雙通道高速驅動芯片
3.5 Analog Devices公司柵極驅動集成電路
3.6 ON Semiconductor公司柵極驅動集成電路
3.7 NXP公司柵極驅動集成電路
3.8 小結
參考文獻
第4章 SiC MOSFET集成驅動板應用舉例
4.1 Cree公司柵極驅動板
4.1.1 CRD-001型SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.1.2 CGD15SG00D2型SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.1.3 PT62SCMD12型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.4 CGD15HB62P1型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.5 CGD15HB62LP型SiC MOSFET柵極驅動板
4.1.6 Cree公司CGD12HBXMP型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.1.7 CGD15FB45P型三相橋臂SiC MOSFET柵極驅動板
4.2 Rohm公司柵極驅動板
4.2.1 BM9499H型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.2.2 BP59A8H型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.3 Infineon公司柵極驅動板
4.4 ST公司柵極驅動板
4.4.1 EVALSTGAP1AS型 SiC MOSFET單管柵極驅動板
4.4.2 EVALSTGAP2DM型 SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.5 Mircrosemi公司柵極驅動板
4.5.1 MSCSICMDD型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.5.2 MSCSICSP3型SiC MOSFET橋臂柵極驅動板
4.6 ON Semiconductor公司柵極驅動板
4.7 NXP公司柵極驅動板
4.8 小結
參考文獻
第5章 GaN器件的基本特性與驅動電路設計考慮
5.1 GaN器件的基本特性與參數
5.1.1 eGaN HEMT的特性與參數
5.1.2 Cascode GaN HEMT的特性與參數
5.1.3 GaN GIT的特性與參數
5.2 GaN器件驅動電路設計挑戰與要求
5.2.1 eGaN HEMT對驅動電路的要求
5.2.2 其他GaN器件對驅動電路的要求
5.3 GaN器件的驅動電路原理與設計
5.3.1 eGaN HEMT的驅動電路設計
5.3.2 Cascode GaN HEMT的驅動電路設計
5.3.3 GaN GIT的驅動電路原理與設計
5.4 小結
參考文獻
第6章 GaN HEMT用柵極驅動集成電路及集成驅動器
6.1 TI公司柵極驅動集成電路
6.2 Silicon Labs公司柵極驅動集成電路
6.2.1 Si8271GB-IS單通道高速驅動芯片
6.2.2 Si8230雙通道高速驅動芯片
6.3 Panasonic公司柵極驅動集成電路
6.4 Infineon公司柵極驅動集成電路
6.5 GalN集成驅動器實例分析
6.5.1 低壓eGaN HEMT的驅動電路
6.5.2 高壓eGaN HEMT的驅動電路
6.5.3 Cascode GaN HEMT的驅動電路
6.5.4 GaN GIT的驅動電路
6.5.5 CoolGaN HEMT的驅動電路
6.6 小結
參考文獻
第7章 寬禁帶器件驅動技術的發展
7.1 柵極主動驅動控制技術
7.2 高溫驅動技術
7.2.1 分立元件高溫驅動技術
7.2.2 SOI高溫驅動技術
7.2.3 全SiC高溫驅動技術
7.3 集成驅動技術
7.4 小結
參考文獻
您曾經瀏覽過的商品
購物須知
大陸出版品因裝訂品質及貨運條件與台灣出版品落差甚大，除封面破損、內頁脫落等較嚴重的狀態，其餘商品將正常出貨。
特別提醒：部分書籍附贈之內容(如音頻mp3或影片dvd等)已無實體光碟提供，需以QR CODE 連結至當地網站註冊“並通過驗證程序”，方可下載使用。
無現貨庫存之簡體書，將向海外調貨：
海外有庫存之書籍，等候約45個工作天;
海外無庫存之書籍，平均作業時間約60個工作天，然不保證確定可調到貨，尚請見諒。
為了保護您的權益，「三民網路書店」提供會員七日商品鑑賞期(收到商品為起始日)。
若要辦理退貨，請在商品鑑賞期內寄回，且商品必須是全新狀態與完整包裝(商品、附件、發票、隨貨贈品等)否則恕不接受退貨。