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商品簡介
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與傳統半導體器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作為典型的銻基化合物半導體(ABCS)器件具備更高的電子遷移率和電子飽和漂移速度，在高速、低功耗、低噪聲等應用方面擁有良好的發展前景。特別在深空探測方面，InAs/AlSb HEMTs作為深空探測的低噪聲放大器(LNA)的候選核心器件具有無可比擬的優勢。因此，本文針對InAs/AlSb HEMTs器件開展了系統研究，在器件特性研究、模型建立、電路設計及製備工藝等方面進行了較為深入的探討。本書在體系上力求合理完整，可作為高等院校的微電子技術相關專業本科和研究生的科研參考資料，可作為電子製造工程師的參考書和微電子封裝企業職工教育培訓的教材。
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