三維射頻集成應用是矽通孔（TSV）三維集成技術的重要應用發展方向。隨著5G與毫米波應用的興起，基於高阻矽TSV晶圓級封裝的薄膜體聲波諧振器（FBAR） 器件、射頻微電子機械系統（RF MEMS）開關器件等逐漸實現商業化應用，TSV三維異質射頻集成逐漸成為先進電子信息裝備領域工程化應用的關鍵技術。本書全面闡述面向三維射頻異質集成應用的高阻矽TSV轉接板技術，包括設計、工藝、電學特性評估與優化等研究，從TSV、共面波導傳輸線（CPW）等基本單元結構入手，到集成無源元件（IPD）以及集成樣機，探討金屬化對高頻特性的影響規律；展示基於高阻矽TSV的集成電感、微帶交指濾波器、天線等IPD元件；詳細介紹了2.5D集成四通道L波段接收組件、5～10GHz信道化變頻接收機、集成微流道散熱的2～6GHz GaN 功率放大器模塊等研究案例。本書也系統綜述了高阻矽TSV三維射頻集成技術的國內外最新研究進展，並做了詳細的對比分析與歸納總結。本書兼顧深度的同時，力求從較為全面的視角，為本領域研究人員提供啟發思路，以助力我國在TSV三維射頻異質集成技術研究的發展進步。本書可供微電子先進封裝以及射頻模組領域研究人員、工程技術人員參考，也可供相關專業高等院校研究生及高年級本科生學習參考。
