光連化合物半導體特刊：化合物半導體技術路線圖

化合物半導體技術路線圖 特刊目錄

1. GaN半導體產業趨勢
作者：國立陽明交通大學 張翼、何旻穎
1.1 GaN半導體元件發展史, 應用與技術發展趨勢 P21
1.2 全球與台灣GaN半導體產業發展 P28
2. GaN半導體材料
作者：鎵聯通科技　翁佑晨、黃延儀
2.1 GaN 半導體材料特性 P34
2.2 GaN半導體材料異質結構 P36
2.3 GaN半導體材料磊晶技術 P38
2.4 GaN 晶圓基板之發展 P47
2.5 結語 P47
3. GaN HEMT RF元件於通訊領域的應用
作者：國立陽明交通大學　涂永義、許恒通
3.1 5G行動通訊技術 P51
3.2 GaN HEMT高頻功率放大器 P53
3.3 GaN於Sub-6G P57
3.4 GaN 於mmW P59
3.5 後5G 之展望 P61
4. GaN 功率元件之設計與應用
作者：國立陽明交通大學 吳佳勳、鍾錦翰
4.1 GaN HEMT功率元件概論 P63
4.2 空乏型與增強型GaN HEMT元件 P67
4.3 Cascode-GaN HEMT P68
4.4 P-GaN gate HEMT P69
4.5 GaN MIS-HEMT P71
4.6 增強型GaN元件技術比較與未來發展 P72
5. GaN元件製程
作者：國立陽明交通大學 胡瀚、林群雄
5.1 前言 P75
5.2 典型GaN HEMT 元件製程 P77
5.3 CMOS相容製程之GaN on Si HEMT製程技術 P84
5.4 垂直式GaN FET製程技術 P86
6. GaN 功率元件可靠度分析
作者：國立陽明交通大學 吳添立、湯順偉、黃振鴻
6.1 前言 P89
6.2 動態電阻 (Dynamic RON) P90
6.3 正向偏壓溫度不穩定性 (Positive Bias Temperature Instability) P93
6.4 偏壓依時間性崩潰 (Time Dependent Breakdown) P95
6.5 其他 P96
6.6 結論
7. 碳化矽半導體材料發展及未來應用
作者：青淨光能　李大青、台灣科技大學　張妤敬
7.1 碳化矽半導體材料發展歷史 P101
7.2 碳化矽半導體材料特性 P106
7.3 碳化矽半導體元件種類 P108
7.4 結論 P125
8. 新興氧化鎵Ga2O3功率半導體之發展現況
作者：國立陽明交通大學　洪瑞華、澹台富國
8.1 新興氧化鎵Ga2O3功率半導體之材料特性 P127
8.2 晶圓基板與磊晶發展 P131
8.3 氧化鎵元件特性與應用 P133
8.4 結論 P141
9. 化合物半導體晶圓檢測技術之發展現況與展望
作者：國立陽明交通大學 連德軒、陳柏智、南方科技　陳怡然、國家實驗研究院 陳仕誠、矽菱企業　王振展
9.1 前言 P144
9.2 晶圓缺陷對元件的影響 P145
9.3 晶圓檢測技術發展 P146
9.4 新式光學檢測技術 P147
9.5 結語 P148
10. GaN、SiC 化合物半導體技術發展路線圖