半導體異質結物理(第二版)（簡體書）

本書總結了國內外半導體異質結方面的研究成果，系統地介紹了半導體異質結的基本物理原理和特性。全書共分10章，內容包括半導體異質結材料特性，能帶圖，伏安特性，異質結晶體管，二維電子氣及調制摻雜器件，異質結結中非平衡載流子特性、半導體異質結激光器、半導體異質結的光電特性、氮化鎵異質結、超晶格和多量子阱。本書可供已學過半導體物理的高年級本科生、研究生及相關人員閱讀。

第二版前言
第一版前言
第1章 序言
參考文獻
第2章 半導體異質結的組成與生長
　2.1 材料的一般特性
2.1.1 晶格結構
2.1.2 能帶結構
2.1.3 有效質量和等效態密度
　2.2 異質結界面的晶格失配
　2.3 異質結的生長
2.3.1 液相外延法(LPE)
2.3.2 金屬有機化學氣相沉積法(M0cvD)
2.3.3 分子束外延(MBE)
　思考題
　參考文獻
第3章 半導體異質結的能帶圖
　3.1 理想突變異質結的能帶圖
3.1.1 異型異質結——Anderson模型
3.1.2 同型異質結
3.1.3 對pN異質結的修正
　3.2 異質結的能帶帶階
3.2.1 Anderson定則及有關爭議
3.2.2 測量能帶帶階的方法
　3.3 有界面態的突變異質結能帶圖
3.3.1 界面態密度較小
3.3.2 界面態密度較大
3.3.3 界面態密度很大
　3.4 漸變異質結的能帶圖
　思考題
　參考文獻
第4章 半導體異質結的伏安特性和異質結晶體管
　4.1 異質結的注入比
　4.2 異質結中的超注入現象
　4.3 理想突變異質結的伏安特性
4.3.1 pN異質結
4.3.2 nN異質結
　4.4 有界面態的異質結的伏安特性
4.4.1 熱電子發射和多階隧道的并聯模型
4.4.2 界面能級的電離對伏安特性的影響
4.4.3 空間電荷區的復合電流
4.4.4 完全經由界面態的復合電流
4.4.5 表面復合對伏安特性的影響
　4.5 伏安特性的微商研究法
　4.6 異質結雙極晶體管
4.6.1 理論分析
4.6.2 異質結雙極晶體管的制備
　4.7 GezSi-x／Si異質結器件
4.7.1 GexSi-／Si異質結的基本特性
4.7.2 遷移率和輸運特性
4.7.3 GexSi-x／Si雙極晶體管和場效應晶體管
　思考題
　參考文獻
第5章 半導體異質結構中的二維電子氣及調制摻雜器件
　5.1 方形勢阱中粒子運動的特性
5.1.1 一維方形勢阱
5.1.2 方形溝道勢阱中的粒子
　5.2 異質結量子勢阱中的二維電子氣
5.2.1 方形勢阱的簡單分析
5.2.2 異質結界面的量子阱
5.2.3 勢阱中的面電子密度
5.2.4 界面組分漸變對勢阱的影響
　5.3 二維電子氣的輸運
5.3.1 二維弛豫時間近似
5.3.2 二維電子氣的散射
……
第6章 半導體異質結中的非平衡載流子
第7章 半導體異質結激光器及光波導
第8章 半導體異質結的光電特性
第9章 氮化鎵材料及其異質結特性
第10章 半導體超晶格和多量子阱
部分參考答案
常用物理常數表