現代半導體集成電路（簡體書）

本書全面介紹了現代半導體集成電路的基礎知識、分析與設計方法。全書共分為5個部分，第一部分（第1~2章）為集成電路的基礎知識，主要介紹各種集成器件的結構和模型、集成電路的典型工藝。第二部分（第3~5章）為雙極集成電路，包括TTL、ECL及IIL邏輯門及邏輯擴展、雙極差分放大器及雙極運放電路等。第三部分（第6~8章）為CMOS數字集成電路，分為CMOS基本邏輯電路、CMOS數字子系統和現代半導體存儲器、第四部分（第9~13章）為CMOS模擬集成電路，包括基本模擬電路單元、運算放大器、開關電容電器、數據轉換器和鎖相環。第五部分（第14~16章）為半導體集成電路設計的共性知識，介紹了集成電路的版圖設計、可靠性設計、可測性設計和SOC的設計方法學、軟硬件協同設計及仿真等。每章后面都附有習題。 本書可作為大專院校微電子學、電子科學與技術、電子信息工程等本科專業的教材，也可供有關專業的本科生，研究生和工程技術人員閱讀參考。

第1章 集成電路器件與模型
1.1 PN結與二極管
1.1.1 半導體與PN結
1.1.2 PN結二極管基本原理
1.1.3 集成化的肖特基勢壘二極管
1.2 MOS晶體管及模型
1.2.1 MOS晶體管基本工作原理
1.2.2 MOS晶體管大信號模型及體效應
1.2.3 MOS晶體管小信號模型
1.2.4 NMOS晶體管的亞閾值特性
1.2.5 MOS晶體管的短溝道效應
1.3 雙極型晶體管及模型
1.3.1 Bipolar晶體管基本工作原理
1.3.2 Bipolar晶體管大信號模型
1.3.3 Bipolar晶體管小信號模型
1.4 集成電路無源元件
1.4.1 CMOS集成電容
1.4.2 CMOS集成電阻
1.5 MOS Spice器件模型
1.5.1 Spice Levell模型
1.5.2 Spice Level2模型
1.5.3 Spice Level3模型
1.5.4 Spice BSIM3V3模型
習題一
第2章 集成電路制造技術
2.1 集成電路基本制造技術
2.1.1 硅晶圓的制造
2.1.2 氧化技術
2.1.3 擴散與離子注入
2.2 基本CMOS工藝與器件結構
2.2.1 基本n阱／雙阱CMOS工藝步驟
2.2.2 CMOS版圖設計規則
2.3 基本Bipolar工藝與器件結構
2.3.l PN結隔離與基本工序步驟
2.3.2 Bipolar版圖設計規則
2.3.3 Bipolar工藝的光刻版次
2.4 基本BiCMOS工藝
2.4.1 以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
2.4.2 以Bipolar工藝為基礎的BiCMOS工藝
2.4.3 典型的BiCMOS的光刻版次
習題二
第3章 晶體管一晶體管邏輯（TTL）電路
3.1 六管單元TTL與非門
3.1.1 工作原理
3.1.2 電壓傳輸特性
3.1.3 瞬態特性
3.1.4 電路特點
3.2 STTL和LSTTL電路
3.2.1 STTL電路
3.2.2 1 SITL電路
3.3 TTL門電路邏輯擴展
3.4 簡化邏輯門
3.4.1 簡化邏輯門
3.4.2 單管邏輯門
習題三
第4章 發射極耦合邏輯與集成注入邏輯電路
4.1 ECL電路
4.1.1 基本工作原理
4.1.2 射極耦合電流開關
4.1.3 射極輸出器
4.1.4 參考電壓源
4.1.5 ECL邏輯擴展
4.2 I2L電路
4.2.1 I2L電路單元工作原理
4.2.2 I2L電路特性分析
4.2.3 I2L電路邏輯組合
4.2.4 I2I與TTL之間的接口電路
4.3 ECL和I2L工藝與版圖設計
4.3.1 ECL電路工藝與版圖設計
4.3.2 I2L電路工藝與版圖設計
習題四
第5章 雙極模擬集成電路
5.1 Bipolar基本放大器
5.1.1 Darlington放大器
……
第6章　CMOS基本邏輯電路
第7章　CMOS數字電路子系統
第8章　現代半導體存儲器
第9章　CMOS基本模擬電路
第10章　CMOS運算放大器
第11章　CMOS開關電容電路
第12章　CMOS數據轉換器
第13章　CMOS鎖相環（PLL）
第14章　集成電路版圖設計
第15章　集成電路可靠性設計與可測性設計
第16章　片上系統（SoC）設計初步
參考文獻