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直拉單晶矽工藝技術(簡體書)
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直拉單晶矽工藝技術(簡體書)

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目次
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本書共8章,包括:單晶硅的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶硅生長技術、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術等內容。
本書可作為高職高專太陽能光伏產業硅材料技術專業的教材,同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材,還可供相關專業工程技術人員學習參考。

目次

緒論
第1章 單晶硅的基本知識
 1.1 晶體和非晶體
 1.2 單晶和多晶
 1.3 空間點陣和晶胞
 1.4 晶面和晶向
 1.5 晶體的熔化和凝固
 1.6 結晶過程的宏觀特征
 1.7 晶核的形成
 1.8 二維晶核的形成
 1.9 晶體的長大
 1.10 生長界面結構模型
 習題
第2章 直拉單晶爐
 2.1 直拉單晶爐設備簡介
 2.2 直拉單晶爐的結構
 2.3 機械部分
 2.4 電氣部分
 2.5 直拉單晶爐的工作環境
 習題
第3章 直拉單晶爐的熱系統及熱場
 3.1 熱系統
 3.2 熱系統的安裝與對中
 3.3 熱場
 3.4 溫度梯度與單晶生長
 3.5 熱場的調整
 習題
第4章 晶體生長控制器
 4.1 CGC-101A型晶體生長控制器功能簡介
 4.2 CGC-101A型晶體生長控制器的開關狀態說明
 4.3 CGC-101A型晶體生長控制器的鍵盤操作說明5
 4.4 CGC-101A型晶體生長控制器參數設置及定義
 4.5 CGC-101A型晶體生長控制器使用說明
 習題
第5章 原輔材料的準備
 5.1 硅原料
 5.2 石英坩堝
 5.3 摻雜劑與母合金
 5.4 其他材料
 5.5 原輔材料的腐蝕和清洗
 5.6 腐蝕原理及安全防護
 5.7 自動硅料清洗機簡介
 習題
第6章 直拉單晶硅生長技術
 6.1 直拉單晶硅工藝流程
 6.2 拆爐及裝料
 6.3 抽空及熔料
 6.4 引晶及放肩
 6.5 轉肩及等徑
 6.6 收尾及停爐
 6.7 拉速、溫校曲線的設定
 6.8 堝升速度的計算方法
 6.9 異常情況及處理方法
 習題
第7章 鑄錠多晶硅工藝
 7.1 光伏產業簡介
 7.2 鑄錠多晶硅爐的結構
 7.3 鑄錠多晶硅工藝流程
 7.4 鑄錠多晶硅的優缺點
 習題
第8章 摻雜技術
 8.1 雜質
 8.2 導電型號
 8.3 熔硅中的雜質效應
 8.4 雜質的分凝效應
 8.5 Keff與K0的關系
 8.6 結晶后固相中的雜質分布規律
 8.7 摻雜
 習題
附錄1 硅的物理化學性質(300K)
附錄2 硅中雜質濃度和電阻率關系
附錄3 元素周期表
附錄4 立方晶系各晶面(或晶向)間的夾角
附錄5 無塵室的分級標準
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