CMOS數字集成電路-分析與設計-(第三版)（簡體書）

本書詳細講述了CMOS數字集成電路，反映了現代技術的發展水平，提供了電路設計的最新資料。本書共有十五章。前八章詳細討論了MOS晶體管的相關特性和工作原理、基本反相器電路設計、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結構與工作原理；第9章介紹應用于先進VLSI芯片設計的動態邏輯電路；第10章介紹先進的半導體存儲電路；第11章介紹低功耗CMOS邏輯電路；第12章介紹雙極型晶體管基本原理和BiCMOS數字電路設計；第13章詳細介紹芯片的I/O設計；第14章和第15章分別討論電路的可制造性設計和可測試性設計這兩個重要問題。

Sung-Mo Kang：于加州大學伯克利分校獲得電子工程博士學位。美國加州大學Merced分校教授（2007年起任該校校長）。他還是IEEE超大規模集成電路系統學報的總編輯及創刊人，IEEE及諸多國際性期刊的編委會委員，IEEE、ACM和AAAS會員。曾獲LIEEE Third Millennium ，IEEE研究生教育技術領域獎，加州大學伯克利分校杰出校友獎，SRC卓越技術獎，IEEE電路與系統協會技術成就獎，美國洪堡高級科學家獎，IEEE電路與系統分會達靈頓論文獎KBS獎以及諸多最佳論文獎。

第1章 概論
　1.1 發展歷史
　1.2 本書的目標和結構
　1.3 電路設計舉例
　1.4 VLSI設計方法綜述
　1.5 VLSI設計流程
　1.6 設計分層
　1.7 規范化、模塊化和本地化的概念
　1.8 VLSI的設計風格
　1.9 設計質量
　1.10 封裝技術
　1.11 計算機輔助設計技術
　1.12 習題
第2章 MOS場效應管的制造
　2.1 引言
　2.2 制造工藝的基本步驟
　2.3 CMOS n阱工
　2.4 版圖設計規劃
　2.5 全定制掩膜版圖設計
　2.6 習題
第3章 MOS日體管
　3.1 金屬-氧化物-半導體（MOS）結構
　3.2 外部偏置上下的MOS系統
　3.3 MOS場效應管（MOSFET）的結構和作用
　3.4 MOSFET的電流-電壓特性
　3.5 MOSFET的收容和不尺寸效應
　3.6 MOSFET電容
　3.7 習題
第4章 用SPICE進行MOS管建模
　4.1 概述
　4.2 基本概念
　4.3 一級模型方程
　4.4 二級模型方程
　4.5 三維模型方程
　4.6 選進的MOSFT模型　
　4.7 電容模型
　4.8 SPICE　MOSFET模型的比較
　4.9 附錄
　4.10 習題
第5章 MOS反相器的靜態特性
　5.1 概述
　5.2 電阻負載型反相器
　5.3 n型MOSFET負載反相器
　5.4 CMOS反相器
　5.5 習題
第6章 MOS反相器的開關特性和體效應
　6.1 概論
　6.2 延遲時間的定義
　6.3 延遲時間的計算
　6.4 延遲限制下的反相器設計
　6.5 互連線電容的估算
　6.6 互連線延遲的計算
　6.7 CMOS反相器的開關功耗
　6.8 附錄
　6.9 習題
第7章 組合MOS邏輯電路
　7.1 概述
　7.2 帶耗盡型nMOS負載的MOS邏輯電路
　7.3 CMOS邏輯電路
　7.4 復合邏輯電路
　7.5 CMOS傳輸門
　7.6 習題
第8章 時序MOS邏輯電路
第9章 動態邏輯電路
第10章 半導體存儲器
第11章 低功耗CMOS邏輯電路
第12章 BICMOS邏輯電路
第13章 芯片輸入輸出電路
第14章 產品化設計
第15章 可測性設計
參考文獻