信息功能材料手冊(上)（簡體書）

《信息功能材料手冊》涉及信息的獲取、傳輸、存儲、顯示和處理等主要技術用的材料與器件，對各種材料的結構、性能、制備工藝以及電子器件的製造和應用都進行了詳細的介紹。本書不僅全面系統地反映了國外信息功能材料研究領域的現狀、最新進展和發展趨勢，而且也特別注重我國在該領域的研發和產業化方面取得的成果，力圖使其具有實用性、先進性和權威性。本書的出版，將有力推動我國信息技術和信息產業的健康發展。
本書主要供從事信息功能材料的科研工作者和工程技術人員查閱使用。

第1篇 概論
第1章 信息功能材料在信息技術中的戰略地位
第2章 信息功能材料的發展現狀和趨勢
第2篇 半導體硅材料
第1章 概述
第2章 硅單晶的制備
第3章 硅晶體的機械性質
第4章 硅晶體表面性質
第5章 硅晶體的腐蝕
第6章 硅晶片加工工藝
第7章 硅單晶的缺陷
第8章 硅單晶中輕元素雜質
第9章 硅單晶中的過渡族金屬雜質和吸雜
第10章 其它硅材料
第11章 硅材料的發光
第3篇 集成電路製造技術
第1章 集成電路設計技術
第2章 微細加工技術
第3章 集成電路工藝技術
第4章 CMOS器件及電路製造技術
第5章 雙極型器件及電路製造技術
第6章 半導體功率器件及電路
第7章 化合物半導體器件和電路
第8章 集成電路封裝技術
第4篇 硅基異質結構材料和器件
第1章 概論
第2章 SiGe的晶體結構
第3章 SiGe的能帶結構
第4章 SiGe的力學性質、熱學性質和Raman光譜
第5章 SiGe的電學性質和磁學性質
第6章 SiGe的光學性質
第7章 SiGe（001）的原子再構和表面性質
第8章 SiGeC/Si異質結
第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半導體異質結構
第10章 SOI材料和器件
第11章 硅基二氧化硅材料 第
第12章 Si基異質結構的外延生長
第13章 Si基異質結構電子器件
第14章 硅基光電子器件
第5篇 化合物半導體材料
第1章 CaAs和InP的結構和性質
第2章 GaAs和InP的制備
第3章 GaAs和InP中的雜質和缺陷
第4章 GaAs和InP測試表征
第5章 GaAs和InP的應用
第6章 其他常見化合物半導體材料
第6篇 寬帶隙半導體及其應用
第1章 導論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料
第3章 Ⅲ族氮化物半導體基本物理性質
第4章 Ⅲ族氮化物半導體器件應用
第5章 氧化鋅（ZnO）半導體
第6章 碳化硅半導體
第7章 金剛石半導體
第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
第9章 寬禁帶稀釋磁性半導體材料