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《低維半導體復合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》介紹了Ⅱ-Ⅵ族低維半導體復合結構中的載流子動力學過程及其光學性質，并對Ⅱ-Ⅵ族低維量子體系中材料的表征、穩態和瞬態光譜測量技術、物理特性和應用方面進行較為系統地介紹。主要內容包括低維半導體的基本性質，低維結構中的光學測量方法，znTe基復合量子阱中的載流子行為和znse基量子阱／量子點復合結構中的激子行為。
《低維半導體復合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》可供從事低維半導體物理和超快光譜技術研究的科技人員和相關領域的師生參考。
《低維半導體復合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》可供從事低維半導體物理和超快光譜技術研究的科技人員和相關領域的師生參考。
作者簡介
金華，女，1978年11月3日出生，籍貫吉林省長春市。1996—2000年在吉林大學電子工程系電子材料與器件專業攻讀學士學位。2000—2005年在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所凝聚態物理專業攻讀博士學位，指導教師為申德振研究員。讀博期間參與的課題和取得的成果如下： 作為主要成員參加了“十一·五”國家科技支撐計劃，公安部應用創新計劃，中科院知識創新項目。同時還參加了863計劃項目，國家自然科學基金和中科院百人計劃的研究工作。
目次
第一章 緒論
參考文獻
第二章 低維半導體的基本性質及發展概況
2.1 低維半導體的概況
2.2 低維半導體的電子態
2.2.1 量子阱的電子態
2.2.2 量子線和量子點的電子態
2.3 低維半導體材料的制備和表征
2.3.1 低維半導體材料的制備
2.3.2 半導體低維材料的表征方法
2.4 Ⅱ-Ⅵ族低維半導體材料的應用及研究進展
2.4.1 藍綠色發光器件及激光器
2.4.2 激子隧穿器件
2.4.3 非線性光學雙穩器件
參考文獻
第三章 低維結構中的光學測量方法
3.1 穩態光譜測量方法
3.1.1 吸收光譜和激發光譜
3.1.2 發射光譜
3.1.3 喇曼散射譜
3.2 超快光譜技術
3.2.1 超短脈沖激光技術
3.2.2 白光超短脈沖產生
3.2.3 超快光譜測量技術
3.2.4 超快光譜在低維半導體材料中的應用
參考文獻
第四章 ZnTe基和znSe基低維復合結構中的載流子動力學過程
4.1 激子隧穿的基本性質
4.1.1 非對稱量子阱的電子和空穴隧穿
4.1.2 非對稱量子阱的激子隧穿
4.2 CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe復合量子阱的載流子行為
4.2.1 znSeTe/znTe多量子阱的能級結構和激子動力學過程
4.2.2 cdznTe/znTe/seznTe復合量子阱的載流子行為
4.3 CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點復合結構的激子隧穿
小結
參考文獻
第五章 ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點復合結構中的激子復合
參考文獻
第二章 低維半導體的基本性質及發展概況
2.1 低維半導體的概況
2.2 低維半導體的電子態
2.2.1 量子阱的電子態
2.2.2 量子線和量子點的電子態
2.3 低維半導體材料的制備和表征
2.3.1 低維半導體材料的制備
2.3.2 半導體低維材料的表征方法
2.4 Ⅱ-Ⅵ族低維半導體材料的應用及研究進展
2.4.1 藍綠色發光器件及激光器
2.4.2 激子隧穿器件
2.4.3 非線性光學雙穩器件
參考文獻
第三章 低維結構中的光學測量方法
3.1 穩態光譜測量方法
3.1.1 吸收光譜和激發光譜
3.1.2 發射光譜
3.1.3 喇曼散射譜
3.2 超快光譜技術
3.2.1 超短脈沖激光技術
3.2.2 白光超短脈沖產生
3.2.3 超快光譜測量技術
3.2.4 超快光譜在低維半導體材料中的應用
參考文獻
第四章 ZnTe基和znSe基低維復合結構中的載流子動力學過程
4.1 激子隧穿的基本性質
4.1.1 非對稱量子阱的電子和空穴隧穿
4.1.2 非對稱量子阱的激子隧穿
4.2 CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe復合量子阱的載流子行為
4.2.1 znSeTe/znTe多量子阱的能級結構和激子動力學過程
4.2.2 cdznTe/znTe/seznTe復合量子阱的載流子行為
4.3 CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點復合結構的激子隧穿
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第五章 ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點復合結構中的激子復合
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