半導體器件基礎（簡體書）

《半導體器件基礎》是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識以及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型晶體管（BJT）和其他結型器件的基本物理特性，并給出了相關特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應器件，除了講解基礎知識之外，還分析了小尺寸器件相關的物理問題，并介紹了一些新型場效應器件。全書內容豐富、層次分明，兼顧了相關知識的深度與廣度，系統講解了解決實際器件問題所必需的分析工具，并且提供了大量利用計算機實現的練習與習題。
《半導體器件基礎》可作為微電子專業的本科生及研究生的教材或參考書，也是該領域工程技術人員的寶貴參考資料。

作者：（美國）皮埃羅（Robert F.Pierret） 譯者：黃如 王漪 王金延 等 合著者：韓汝琦

第一部分 半導體基礎
第1章 半導體概要
1.1 半導體材料的特性
1.1.1 材料的原子構成
1.1.2 純度
1.1.3 結構
1.2 晶體結構
1.2.1 單胞的概念
1.2.2 三維立方單胞
1.2.3 半導體晶格
1.2.4 密勒指數
1.3 晶體的生長
1.3.1 超純硅的獲取
1.3.2 單晶硅的形成
1.4 小結
習題

第2章 載流子模型
2.1 量子化概念
2.2 半導體模型
2.2.1 價鍵模型
2.2.2 能帶模型
2.2.3 載流子
2.2.4.帶隙和材料分類
2.3 載流子的特性
2.3.1 電荷
2.3.2 有效質量
2.3.3 本征材料內的載流子數
2.3.4 載流子數的控制——摻雜
2.3.5 與載流子有關的術語
2.4 狀態和載流子分布
2.4.1 密度
2.4.2 費米分布函數
2.4.3 平衡載流子分布
2.5 平衡載流子濃度
2.5.1 n型和p型的公式
2.5.2 n型和p型表達式的變換
2.5.3 n和載流子濃度乘積np
2.5.4 電中性關係
2.5.5 載流子濃度的計算
2.5.6 費米能級En的確定
2.5.7 載流子濃度與溫度的關係
2.6 小結
習題

第3章 載流子輸運
3.1 漂移
3.1.1 漂移的定義與圖像
3.1.2 漂移電流
3.1.3 遷移率
3.1.4 電阻率
3.1.5 能帶彎曲
3.2 擴：散
3.2.1 擴散的定義與圖像
3.2.2 熱探針測量法
3.2.3 擴散和總電流
3.2.4 擴散系數與遷移率的關係
3.3 復合一產生
3.3.1 復合一產生的定義與圖像
3.3.2 動量分析
3.3.3 R.G統計
3.3.4.少子壽命
3.4 狀態方程
3.4.1 連續性方程
3.4.2 少子的擴散方程
3.4.3 問題的簡化和解答
3.4.4 解答問題
3.5 補充的概念
3.5.1 擴散長度
3.5.2 準費米能級
3.6 小結
習題

第4章 器件制備基礎
4.1 制備過程
4.1.1 氧化
4.1.2 擴散
4.1.3 離子注入
4.1.4 光刻
4.1.5 薄膜淀積
4.1.6 外延
4.2 器件制備實例
4.2.1 pn結二極管的制備
4.2.2 計算機CPU的工藝流程
4.3 小結
第一部分補充讀物和復習
可選擇的／補充的閱讀資料列表
圖的出處／引用的參考文獻
術語復習一覽表
第一部分——復習題和答案

第二部分 Ap門結二極管
第5章 pn結的靜電特性
5.1 前言
5.1.1 結的相關術語／理想雜質分布
5.1.2 泊松方程
5.1.3 定性解
5.1.4 內建電勢(V)
5.1.5 耗盡近似
5.2 定量的靜電關係式
5.2.1 假設和定義
5.2.2 K=0條件下的突變結
5.2.3 K≠0條件下的突變結
5.2.4 結果分析
5.2.5 線性緩變結
5.3 小結
習題

第6章 pn結二極管：V特性
6.1 理想二極管方程
6.1.1 定性推導
6.1.2 定量求解方案
6.1.3 嚴格推導
6.1.4 結果分析
6.2 與理想情況的偏差
6.2.1 理想理論與實驗的比較
6.2.2 反向偏置的擊穿
6.2.3 復合一產生電流
6.2.4 Va-V時的大電流現象
6.3 一些需要特別考慮的因素
6.3.1 電荷控制方法
6.3.2 窄基區二極管
6.4 小結
習題

第7章 on結二極管：小信號導納
7.1 引言
7.2 反向偏置結電容
7.2.1 基本信息
7.2.2 C-V關係
7.2.3 參數提取和雜質分布
7.2.4 反向偏置電導
7.3 正向偏置擴散導納
7.3.1 基本信息
7.3.2 導納關係式
7.4 小結
習題

第8章 pn結二極管：瞬態響應
8.1 瞬態關斷特性
8.1.1 引言
8.1.2 定性分析
8.1.3 存貯延遲時間
8.1.4 總結
8.2 瞬態開啟特性
8.3 小結
習題

第9章 光電二極管
9.1 引言
9.2 光電探測器
9.2.1 pn結光電二極管
9.2.2 p-i-n和雪崩光電二極管
9.3 太陽能電池
9.3.1 太陽能電池基礎
9.3.2 效率研究
……
第二部分 B BJT和其他結型器件
第10章 BJT 基礎知識
第11章 BJT靜態特性
第12章 BJT動態響應模型
第13章 PNPN器件
第14章 MS接觸和肖特基二極管
第二部分補充讀物和復習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處 / 引用的參考文獻
術語復習一覽表
第二部分-復習題和答案

第三部分 場效應器件
第15章 場效應導言-J-FET和MESFET
第16章 MOS結構基礎
第17章 MOSFET器件基礎
第18章 非理想MOS
第19章 現代場效應管結構
第三部分 補充讀物和復習

可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處/引用的參考文獻
術語復習一覽表
第三部分-復習題和答案
附錄A 量子力學基礎
附錄B MOS半導體靜電特性-精確解
附錄C MOS C -V補充
附錄D MOS I -V補充
附錄E 符號表
附錄F MATLAB程序源代碼