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目次
第1章研究概述
1.1技術概況
1.1.1主要功率半導體器件的技術特點及應用
1.1.2產業現狀
1.1.3行業需求
1.2研究對象和方法
1.2.1技術分解
1.2.2數據檢索
1.2.3查全查準評估
1.2.4數據處理
1.2.5相關事項和約定
第2章功率半導體器件領域專利分析
2.1全球專利分析
2.1.1發展趨勢分析
2.1.2首次申請國家/地區分析
2.1.3目標國家/地區分析
2.1.4申請人分析
2.2中國專利分析
2.2.1中國專利申請發展趨勢分析
2.2.2主要技術分析
2.2.3專利申請的國別分析
2.2.4專利申請的省市/地區區域分佈
2.2.5國內外申請人的類型分析
2.2.6主要申請人分析
2.3結論
第3章IGBT領域專利申請分析
3.1 IGBT領域產業技術概況
3.1.1技術概況
3.1.2產業現狀
3.2全球專利申請現狀
3.2.1技術構成分析
3.2.2 IGBT結構的技術發展路線
3.2.3首次申請國家/地區分析
3.2.4目標國家/地區分析
3.2.5申請人分析
3.3中國專利申請現狀
3.3.1申請趨勢分析
3.3.2技術構成分析
3.3.3技術功效分析
3.3.4國外申請人區域分佈分析
3.3.5中國申請人區域分佈分析
3.3.6主要申請人分析
3.3.7小結
3.4結論
3.4.1全球申請
3.4.2中國申請
第4章SiC器件專利申請分析
4.1全球專利申請現狀
4.1.1申請趨勢分析
4.1.2技術生命週期分析
4.1.3技術構成分析
4.1.4申請人國家/地區分佈
4.1.5申請人分析
4.2中國專利申請現狀
4.2.1申請趨勢分析
4.2.2技術構成分析
4.2.3申請人分析
4.3 MOSFET柵氧化膜技術分析
4.3.1發展路線分析
4.3.2中國申請技術佈局
4.3.3未來需重點關注的相關申請
4.4結論
4.4.1全球申請狀況
4.4.2中國申請狀況
4.4.3 MOSFET柵氧化膜技術
第5章英飛凌公司專利申請分析
5.1專利申請現狀
5.1.1申請量趨勢分析
……
第6章ABB公司專利申請分析
第7章重要專利篩選及分析
第8章主要結論
附錄1重要專利列表
附錄2 SiCMOSFET器件柵氧化膜技術未來需要關注的相關申請
圖索引
表索引
書摘/試閱
(5)電子科技大學
電子科技大學在國內申請人中排名第一,申請量為43件。從技術構成方面來看,主要集中在元胞的設計上,也有3件專利涉及終端的發明。1994年,申請了第一件IGBT專利之后,多年鮮有專利申請,而從2006年開始申請了4件專利,而2011年申請了14件專利,幾年來出現了爆發性的發展趨勢。這應該與2006年的產業政策《信息產業科技發展“十一五”規劃》有很大的關系,但其專利有效性相對較少,分析其原因在于其很大一部分專利申請是在2011年提出,目前還在審批狀態,作為中國IGBT領域技術發展的第一生力軍,其在元胞、終端兩方面申請了專利。特別是在以陳星弼院士、張波等為代表的發明人的帶領下,其專利申請數量在國內申請中遙遙領先。可以看出,電子科技大學在IGBT方面也有很強的研發實力,其申請如此多的專利,相信也有產業化的準備,如后期能進行良好的產業運作,也將取得良好的發展。
(6)嘉興斯達
擁有美國耶魯大學碩士、美國麻省理工學院博士頭銜的沈華,于2005年在自己的故鄉嘉興投資2億多元創辦了嘉興斯達,力圖提升中國在功率模塊領域的實力。目前嘉興斯達已成為國內首屈一指的專業設計、制造、銷售功率半導體芯片和模塊的高科技企業,其研發的重點在于封裝和模塊的研究。
嘉興斯達的專利均是在2009~2010年提出的,其涉及的大多數是封裝結構的專利,而且近一半是實用新型的專利申請。嘉興斯達進入IGBT領域較晚,但是總申請量仍排在前列,可見,其將成為中國IGBT發展的一個新生力量。但是從其技術分布的專利類型來看,其在發明和實用新型專利申請量相當,因此,其仍需提高專利質量和影響度。
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