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銅銦鋁硒(CIAS)薄膜太陽能電池關鍵材料:製備和性能(簡體書)
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銅銦鋁硒(CIAS)薄膜太陽能電池關鍵材料:製備和性能(簡體書)

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商品簡介

本書主要介紹太陽能電池、銅銦硒(CIS)類太陽能電池及其關鍵材料。闡述了銅銦鋁硒(CIAS)薄膜及CdS、ZnS薄膜的制備和表征方法。研究了不同硒化工藝對CIAS薄膜性能的影響,以及Al相對含量對CIAS薄膜性能的影響,并從成膜一般規律與制備過程探討了真空蒸發多層膜(VEMF)法與中頻孿生非平衡磁控濺射(FTUMS)技術兩種方法制備薄膜的成膜過程與機理。研究不同工藝條件對CdS、ZnS薄膜性能的影響,并從化學水浴法(CBD)的成膜原理探討了CdS和ZnS薄膜的成膜過程。

名人/編輯推薦

《銅銦鋁硒(CIAS)薄膜太陽能電池關鍵材料――制備和性能》編輯推薦:太陽能的利用無疑是21世紀重點發展的技術之一,而傳統的硅系太陽能電池存在著效率和污染兩大問題,極難解決,因此,薄膜太陽能電池受到人們廣泛關注,近年來發展極快,不斷取得技術突破。
《銅銦鋁硒(CIAS)薄膜太陽能電池關鍵材料――制備和性能》結合作者多年的工作實踐,詳細介紹了多種薄膜太陽能電池材料的制備,具有很強的借鑒價值。

氣候變暖,世界人口增長,環境污染等問題對人類生存和發展提出了嚴峻的挑戰。全球加速進入綠色低碳經濟時代,發展、應用可再生能源已成為世界各國能源發展的方向。太陽能取之不盡,用之不竭,是最清潔的可再生能源。光伏發電已成為太陽能利用的主要技術,晶體硅光伏電池目前占市場主導地位,自2008年起我國便成為世界上最大的硅光伏電池及光伏發電系統的生產國。與此同時,薄膜光伏電池發展很快,與傳統的晶體硅電池相比,具有節省原材料、低能耗、低成本、便于大面積連續生產等優勢。碲化鎘(CdTe),銅銦硒(CuInSe2)類化合物薄膜太陽能電池已步入商品化,其實驗室光電轉化效率可以與硅晶體光伏電池相媲美。
通常將以銅、銦化合物為主體的銅銦硒(CuInSe2),銅銦鎵硒[Cu(InGa)Se2]、銅銦鋁硒[Cu(InAl)Se2]等類似的材料統稱為“銅銦硒類光伏材料”(CuInSe2likephotovoltaicmaterials)。此類多元化合物的特點為:均是直接帶隙半導體材料;常溫下以黃銅礦結構形式存在;光吸收系數高(105cm-1);帶隙在10~27eV范圍可調,覆蓋太陽光最佳帶隙(14~15eV),故以此作為光伏電池吸收層,可有效地吸收太陽光,提高光伏電池的光電轉換效率。然而,由于貴重金屬In的儲量有限,價格昂貴;又因采用有毒的CdS作為緩沖層,使得此類光伏電池的大規模生產受到一定限制。因此研究性能相近的可替代材料刻不容緩。
銅銦鋁硒太陽能電池結構為:電極/減反射膜/窗口層(ZnO)/緩沖層(CdS或ZnS)/吸收層銅銦鋁硒薄膜[Cu(InAl)Se2]/Mo/玻璃襯底,“關鍵材料”主要指Cu(InAl)Se2薄膜以及CdS和ZnS薄膜。
筆者探索以易得、廉價的鋁部分代替銦(或鎵)作為吸收層;以無毒的ZnS替代有毒的CdS作為緩沖層,進行樣品制備和性能研究;致力于降低材料成本,更符合節能環保的要求的實驗研究。
在吸收層Cu(InAl)Se2薄膜制備中,運用了兩種物理氣相沉積技術即:真空蒸發多層膜(VEMF)法和中頻孿生非平衡磁控濺射(IFTUMS)技術制備CIA預制層,以及真空硒化技術。在ZnS和CdS薄膜制備中,運用化學水浴法(CBD),介紹了原理、反應方程式及工藝過程。進而結合以上實驗,分析成膜機理。
本書以材料制備與性能研究為主線,陳述了樣品的微觀分析,光電特性的檢測,直至成膜機理的分析方面進行探索研究的過程。運用了各種微觀分析技術,如X射線衍射(XRD),掃描電鏡(SEM),X射線電子能譜(XPS)的分析等先進檢測手段;特別是進行高分辨透射電鏡(場發射TEM)的制樣與觀察;從材料的微觀形貌、結構,元素成分及光電性能,帶隙計算等方面進行了細致的研究工作。這些方面如能給予讀者借鑒與參考,即是我們所期望的。
編寫本書的目的是將我們多年來的研究成果進行系統總結,為進一步開發銅銦鋁硒[Cu(InAl)Se2]太陽能電池的關鍵材料,研發太陽能電池提供借鑒;亦可以作為電子科學技術專業,光電、光伏材料專業,功能材料學專業的大學生、研究生和教師的研修參考資料。
由于作者水平有限,加之時間緊迫,書中不妥之處,懇請讀者給予批評指正。

周麗梅2013年8月

目次

第1章緒論1
1.1太陽能電池概述1
1.2晶體硅太陽能電池2
1.3聚合物多層修飾電極型太陽能電池3
1.4有機太陽能電池3
1.5多元化合物薄膜太陽能電池5
參考文獻6
第2章CIS類太陽能電池8
2.1CIS類太陽能電池的發展8
2.2CIS類太陽能電池的構成9
2.3CIS類薄膜材料12
2.4CdS薄膜材料16
2.5ZnS薄膜材料17
參考文獻19
第3章薄膜材料制備22
3.1VEMF法制備CIAS吸收層薄膜22
3.2IFTUMS技術制備CIAS吸收層薄膜26
3.3CBD法制備CdS緩沖層薄膜30
3.4CBD法制備ZnS緩沖層薄膜33
3.5場發射TEM薄膜樣品的制備36
參考文獻37
第4章薄膜材料表征39
4.1薄膜的厚度39
4.2薄膜的表面形貌及成分40
4.3薄膜的物相結構40
4.4TEM選區成像、衍射、衍襯及成分40
4.5薄膜的XPS表征41
4.6薄膜的光電性能42
參考文獻43
第5章銅銦鋁硒(CIAS)薄膜44
5.1VEMF法及后硒化技術制備CIAS薄膜的性能44
5.1.1CIAS薄膜硒化前后性能分析44
5.1.2Al的相對含量對CIAS薄膜性能的影響48
5.2IFTUMS及后硒化技術制備CIAS薄膜性能53
5.2.1CIAS薄膜硒化前后性能分析53
5.2.2Al的相對含量對CIAS薄膜性能的影響58
5.3PVD法薄膜的成膜機制63
5.3.1VEMF法制備CIAS薄膜的成膜機制63
5.3.2IFTUMS技術制備CIAS薄膜的成膜機制68
參考文獻70
第6章CdS和ZnS薄膜72
6.1CdS薄膜性能72
6.1.1CdS薄膜TEM與XPS分析72
6.1.2CdS薄膜工藝對性能的影響78
6.2ZnS薄膜性能94
6.2.1ZnS薄膜TEM與XPS分析94
6.2.2ZnS薄膜工藝對性能的影響99
6.3CBD法薄膜的成膜機制114
6.3.1化學水浴反應原理114
6.3.2CdS薄膜的成膜機制115
6.3.3ZnS薄膜的成膜機制117
參考文獻118

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