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目次
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商品簡介
本書涉及單器件模型，高性能模擬電路，射頻通信和鎖相環電路，數字系統和數字轉換器的基本理論，強調專業應用所涉及的基本理論，使得設計人員可以根據這些理論分析，設計和預測大規模電路和系統的工作狀態。
作者簡介
作者：（美國）陳惠開（Wai—Kai Chen） 譯者：楊兵 張鎖印
名人/編輯推薦
《高新科技譯叢:模擬與超大規模集成電路(第3版)》介紹雙極集成電路技術中使用的基本的偏置構成模塊以及隨著時間的演化。對集成電路放大器技術提供指導，討論兼容所有標準并適用于開發一個單芯片CMOS解決方案的電路技術。當采用模擬和VLSI電路時，《模擬與超大規模集成電路(第3版)》無疑是工程師在遇到問題時尋找解決方案的第一選擇。
目次
第一部分模擬集成電路
第1章單器件模型
1.1雙極型晶體管
1.1.1 Ebers—Moll模型
1.1.2 Gummel—Poon模型
1.1.3雙極型晶體管的電流增益
1.1.4大電流現象
1.1.5小信號模型
1.1.6 工藝
1.1.7模型參數
1.1.8鍺硅異質結雙極型晶體管（SiGe HBT）
1.2金屬一氧化物一硅場效應晶體管
1.2.1 引言
1.2.2溝道電荷
1.2.3伏一安特性
1.2.4晶體管的電容
1.2.5 小信號工作
1.2.6基于設計的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技術與器件
1.3.1 引言
1.3.2硅JFET器件工作原理和技術
1.3.3化合物半導體FET工藝
1.3.4結論
1.4無源器件
1.4.1 電阻
1.4.2電容
1.4.3 電感
1.5模擬集成電路中芯片的寄生效應
1.5.1 互連寄生效應
1.5.2壓焊點和封裝寄生參數
1.5.3寄生參數測量
第2章模擬電路單元
2.1雙極偏置電路
2.1.1普通雙極型晶體管（BJT）偏置電路
2.2線性雙極型技術的典型單元
2.2.1 引言
2.2.2小信號模型
2.2.3單輸入單輸出典型單元
2.2.4差分放大器
2.3 MOSFET的偏置電路
2.3.1 引言
2.3.2器件類型和模型
2.3.3電壓和電流基準和偏置電路
2.3.4基于不常用器件的電壓和電流基準
2.3.5基于N型和P型摻雜多晶硅柵閾值的電壓基準
2.3.6簡單的放大器偏置及其他電路
2.3.7低電源電壓偏置電路
2.3.8動態偏置
2.3.9結論
2.4 MOSFET技術的典型單元
2.4.1 匹配的器件對
2.4.2不匹配器件對
2.4.3復合晶體管
2.4.4超級MOS晶體管
2.4.5基本的電壓增益單元
2.4.6結論
第3章高性能模擬電路
3.1寬帶雙極網絡
3.1.1 引言
3.1.2米勒（Miller）定理
3.1.3在高頻時雙極型晶體管的建模
3.1.4單增益級
3.1.5 Cμ的中和
3.1.6負反饋
3.1.7 RF雙極性晶體管布局
3.1.8雙極型電流模寬帶電路
3.1.9寬帶放大器的穩定性
3.1.10結論
附錄A：電流反饋傳輸函數和帶寬特性
附錄B：電壓反饋的傳輸函數和帶寬特性
附錄C：電流反饋Op—amp輸入級的跨導
附錄D：Widlar電流鏡像的傳輸函數
附錄E：帶發射極負反饋電阻的Widlar電流鏡的傳輸函數
3.2雙極噪聲
……
第二部分超大規模集成電路
致謝
參考文獻
第1章單器件模型
1.1雙極型晶體管
1.1.1 Ebers—Moll模型
1.1.2 Gummel—Poon模型
1.1.3雙極型晶體管的電流增益
1.1.4大電流現象
1.1.5小信號模型
1.1.6 工藝
1.1.7模型參數
1.1.8鍺硅異質結雙極型晶體管（SiGe HBT）
1.2金屬一氧化物一硅場效應晶體管
1.2.1 引言
1.2.2溝道電荷
1.2.3伏一安特性
1.2.4晶體管的電容
1.2.5 小信號工作
1.2.6基于設計的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技術與器件
1.3.1 引言
1.3.2硅JFET器件工作原理和技術
1.3.3化合物半導體FET工藝
1.3.4結論
1.4無源器件
1.4.1 電阻
1.4.2電容
1.4.3 電感
1.5模擬集成電路中芯片的寄生效應
1.5.1 互連寄生效應
1.5.2壓焊點和封裝寄生參數
1.5.3寄生參數測量
第2章模擬電路單元
2.1雙極偏置電路
2.1.1普通雙極型晶體管（BJT）偏置電路
2.2線性雙極型技術的典型單元
2.2.1 引言
2.2.2小信號模型
2.2.3單輸入單輸出典型單元
2.2.4差分放大器
2.3 MOSFET的偏置電路
2.3.1 引言
2.3.2器件類型和模型
2.3.3電壓和電流基準和偏置電路
2.3.4基于不常用器件的電壓和電流基準
2.3.5基于N型和P型摻雜多晶硅柵閾值的電壓基準
2.3.6簡單的放大器偏置及其他電路
2.3.7低電源電壓偏置電路
2.3.8動態偏置
2.3.9結論
2.4 MOSFET技術的典型單元
2.4.1 匹配的器件對
2.4.2不匹配器件對
2.4.3復合晶體管
2.4.4超級MOS晶體管
2.4.5基本的電壓增益單元
2.4.6結論
第3章高性能模擬電路
3.1寬帶雙極網絡
3.1.1 引言
3.1.2米勒（Miller）定理
3.1.3在高頻時雙極型晶體管的建模
3.1.4單增益級
3.1.5 Cμ的中和
3.1.6負反饋
3.1.7 RF雙極性晶體管布局
3.1.8雙極型電流模寬帶電路
3.1.9寬帶放大器的穩定性
3.1.10結論
附錄A：電流反饋傳輸函數和帶寬特性
附錄B：電壓反饋的傳輸函數和帶寬特性
附錄C：電流反饋Op—amp輸入級的跨導
附錄D：Widlar電流鏡像的傳輸函數
附錄E：帶發射極負反饋電阻的Widlar電流鏡的傳輸函數
3.2雙極噪聲
……
第二部分超大規模集成電路
致謝
參考文獻
書摘/試閱
圖3.53顯示了開環增益A0的DC值與不同的相位裕度值極點頻率的比N（N=fp2/fp1）之間的關系曲線。對于一個給定的A0=1000或者+60dB，極點頻率的比必須是N≈700以獲得45°的相位裕度。
3.1.9.5 米勒補償和極點分離
沒有任何附加的補償電容，兩個OP—amp的開環極點總是非常的接近使得放大器無條件穩定。最常見的補償方法是在一個達林頓對的基極和集電極之間添加一個電容，如圖3.51所示的Cp。這就是所謂的米勒補償，因為這一方法使用了前面討論的米勒電容倍增效應。最終結果是兩個極點現在明顯遠離了，fp1減少而fp2增加，所以相位1裕度可以增加使得Pp～amp無條件穩定。但是，這種方法的缺陷是較差的帶寬和較低的轉換速率，因為需要大的電容，實際上可能是20pF或者更大。
3.1.9.6單級Op—amp的補償
圖3.54所示為一個典型的單級Op—amp簡化的電路原理圖。輸入是一個差分發射極耦合對跟隨～個折疊級聯晶體管而輸出是一個互補共集電極的緩沖器。這個結構和前面所示的兩級設計之間的主要區別在于X是一個低阻抗節點，所以在電路中的唯一的高阻抗節點是Y。有趣的是，兩級放大器的更高的頻率的非主極點現在已成為單級設計的主頻率極點，如圖3.52（b）顯示的第二組曲線，它導致幾個優點。
（1）放大器以外的頻率性能得以擴展。頻率擴展并不會導致相位裕度的退化，但僅僅意味著相位裕度的問題在頻域中上移。
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