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本書分為七章,第一章為前言;第二章闡釋功率半導體器件的結終端和RESURF技術;第三章分析超結的機理、解析模型、結構和工藝製造;第四章闡述SOI高壓器件ENDIF理論和技術,並詳細介紹ENDIF理論指導下提出的3類SOI高壓器件新結構和耐壓機理:電荷型SOI高壓器件,低K型SOI高壓器件,薄矽層SOI高壓器件;推導獲得新型SOI器件的耐壓模型;給出研製步驟並分析實驗結果。第五章詳細介紹矽基高壓器件體內場降低技術,並討論系列新型REBULF高壓器件的機理和設計方法,給出研製方法和實驗結果。第六章闡述功率半導體器件發展。第七章結束語。
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