太陽能電池的矽晶體生長（簡體書）

名詞縮寫表

參數符號表

1矽原料

1.1概論

1.1.1主要技術路線

1.1.2雜質

1.2冶金級矽

1.3西門子法

1.4冶金法

1.4.1氧化去除硼

1.4.1.1鑄桶提純熔渣

1.4.1.2熔渣特性

1.4.2與水蒸汽反應去除硼

1.4.3真空處理去除磷

1.4.4凝固提純

1.4.5溶劑提純

1.4.6浸出去除雜質

1.4.7電解/電化學純化

1.4.8沉澱去除夾雜

1.4.9過濾去除夾雜

參考文獻

2切克勞斯基法

2.1概論

2.2熱場設計

2.2.1功率和生長速率

2.2.2界面形狀和熱應力

2.2.3氬氣消耗和石墨降解

2.2.4產額提升

2.3連續加料

2.3.1數次加料

2.3.2鍍膜坩堝

2.3.3大尺寸和連續生長

2.4改善晶體質量

2.5小結

參考文獻

3區熔法

3.1概論

3.2原料棒

3.2.1西門子法和矽烷法

3.2.2切克勞斯基法

3.2.3顆粒狀原料

3.3區熔法的摻雜

3.4技術限制

3.5二次區熔法

3.6區熔法的潛力

3.7小結

參考文獻

4定向凝固法

4.1概論

4.2控制結晶過程

4.3晶體中的雜質

4.4凝固的三維效應

4.5小結

參考文獻

5鑄錠單晶矽

5.1概論

5.2面枝晶

5.3平行孿晶

5.4枝晶生長理論模型

參考文獻

6亞晶界

6.1概論

6.2亞晶界的結構分析

6.3亞晶界的電學特性

6.4亞晶界的產生機理

6.5小結

參考文獻

7帶矽生長

7.1概論

7.2帶矽技術的各種類型

7.2.1第I類帶矽

7.2.1.1邊緣限制薄膜生長

7.2.1.2線帶

7.2.2第II類帶矽

7.2.2.1襯底帶矽生長

7.2.3技術比較

7.3材料特性和太陽能電池工藝

7.3.1耐火材料

7.3.2帶矽材料特性

7.3.2.1邊緣限制薄膜生長和線帶

7.3.2.2襯底帶矽生長

7.3.3帶矽太陽能電池

7.3.3.1帶矽的氫化

7.3.3.2太陽能電池工藝

7.4小結

參考文獻

8球形矽

8.1概論

8.2過冷熔體的晶體生長

8.3枝晶的分裂

8.4一步滴管法

8.5小結

參考文獻

9液相外延法

9.1概論

9.2生長動力學

9.3溶劑和襯底的優化

9.3.1溶劑的選擇

9.3.2襯底表面的自生氧化物

9.4實驗結果

9.4.1外延層厚度和生長速率

9.4.2外延層的摻雜和電學特性

9.5多晶矽襯底上的生長

9.5.1太陽能電池特性

9.6低溫液相外延法

9.7異質襯底液相外延法

9.8外延橫向過度生長

9.9高生產速率液相外延法

9.10小結

參考文獻

10氣相外延法

10.1概論

10.2理論分析

10.2.1流體力學

10.2.2生長動力學

10.2.2.1氣體中氣流和襯底上氣流

10.2.2.2生長速率

10.2.2.3邊界層模型

10.3實驗方法

10.3.1SiH2Cl2/H2系統

10.3.2外延層的摻雜

10.3.2.1摻雜水平

10.3.2.2摻雜分佈

10.4外延生長設備

10.5小結

參考文獻

11閃光燈退火

11.1概論

11.2實驗設備

11.3熱擴散長度

11.4相變

11.5輻照度控制

11.6製備太陽能電池

11.7多晶矽薄膜的微結構

11.8小結

參考文獻

12鋁誘導層交換

12.1概論

12.2總體技術

12.3動力學分析

12.4結構特性和電學特性

12.5滲透膜的影響

12.6理論模型

12.7光伏應用

12.8小結

參考文獻

13熱化學數據庫和動力學數據庫

13.1概論

13.2熱化學數據庫

13.2.1熱力學描述

13.2.1.1元素和化學計量化合物

13.2.1.2溶液

13.2.1.3溶解度

13.2.1.4平衡分佈係數

13.2.1.5退縮性溶解度

13.2.2典型實例

13.3動力學數據庫

13.3.1雜質擴散率

13.3.2典型實例

13.4應用熱化學數據庫和動力學數據庫

13.4.1溶解度和分佈係數

13.4.2表面張力

13.4.3多晶矽中雜質的晶界分凝

13.4.4確定潔淨區寬度

13.5小結

參考文獻

英漢索引

漢英索引