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模擬CMOS集成電路設計(第2版)（簡體書）
商品資訊
系列名：國外名校最新教材精選
ISBN13：9787569309928
出版社：西安交通大學出版社
作者：(美)畢查德‧拉紮維
出版日：2019/04/03
裝訂／頁數：平裝／724頁
規格：26cm*19cm (高/寬)
版次：二版
商品簡介
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商品簡介
本書是模擬CMOS集成電路設計方面的經典教材，介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計，著重講解該技術的近期新進展和設計實例，從MOSFET器件的基本物理特性開始，逐章分析CMOS放大單元電路、差分放大器、頻率響應、噪聲、反饋放大器與穩定性、運算放大器、電壓基準源與電流基源、離散時間系統、差分電路及反饋系統中的非線性、振盪器和鎖相環等基礎模擬電路的分析與設計。本書還介紹了集成電路的基本製造工藝、版圖和封裝設計的基本原則。本書自出版以來得到了國內外讀者的好評和青睞，被許多國際知名大學選為教科書。同時，由於原著者在世界知名很好公司的豐富研究經歷，使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。
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