現代晶體學3：晶體生長（簡體書）
商品資訊
系列名：物理學名家名作譯叢
ISBN13：9787312043529
出版社：中國科學技術大學出版社
作者：(俄羅斯)契爾諾夫
出版日：2022/01/10
裝訂／頁數：平裝／450頁
規格：24cm*17cm (高/寬)
版次：一版
商品簡介
本書是B·K·伐因斯坦（主編）、A·A·契爾諾夫和L·A·舒瓦洛夫主持編寫的《現代晶體學》4卷本中的第3卷，本書的主要作者是A·A·契爾諾夫，參加編寫的還有其他5位專家。本書由結晶過程和晶體生長兩大部分組成。第一部分包含的內容有：平衡、成核和外延、生長機制、雜質、質量和熱輸運、生長外形及其穩定性、缺陷的產生和團塊結晶等；第二部分介紹氣相生長、溶液生長和熔體生長。本書可作為固體物理、材料科學、晶體學、金屬學、礦物學、化學等專業的教師、研究生、大學生的教材或教學參考書，並可供有關科技人員參考。
作者簡介
吳自勤，中國科學技術大學教授，博士生導師，國內凝聚態物理、電子顯微學和薄膜生長領域的著名學者。曾任中國物理學會《物理》雜誌主編、《電子顯微學報》副主編，是中國電子顯微鏡學會創始人之一，曾任中國電子顯微鏡學會常務理事、材料物理專業委員會主任。承擔了多項國家自然科學基金項目，在國內外學術刊物上發表論文200餘篇。獲中國科學院自然科學獎一等獎、安徽省高校科學技術進步獎、中國分析測試學會科學技術獎和國防科工委科技進步獎。編撰出版了《薄膜生長》《固體物理實驗方法》《微分析物理及其應用》《分形原理和應用》等專著，翻譯出版了《材料的透射電子顯微學與衍射學》《現代晶體學（共4卷）》。
名人/編輯推薦
【編輯薦語】
一本關於晶體生長基本概念和技術的名著，書中對晶體生長的理論和實踐進行了系統而全面的敘述。
【圖書特色】
（1）晶體學是關於晶體的科學，與之相關的分支學科非常多，涉及領域特別廣；
（2）本書是晶體學的國際名著，由蘇聯科學院院士、蘇聯科學院晶體學研究所所長B·K·伐因斯坦主編，一大批科學家參與編寫；
（3）中文版由德高望重的吳自勤教授領銜翻譯，其他譯者還有洪永炎、孫霞、高琛、何維等教授；
（4）作者把晶體學看成一門統一的科學，在相互聯繫之中講述晶體學的所有分支學科，闡明晶體結構統一性和多樣性的物理含義，力圖使讀者能從中得到晶體學所有重要問題的基本知識。
目次
序
前言
第1章 平衡
1.1 相平衡
1.1.1 單元系
1.1.2 多元系
1.1.3 結晶壓強
1.2 表面能和週期性鍵鏈
1.2.1 表面能
1.2.2 週期性鍵鏈和表面能估算
1.2.3 表面能各向異性
1.3 表面的原子結構
1.3.1 表面組態及其能量
1.3.2 吸附層
1.3.3 臺階粗糙度
1.3.4 表面粗糙度
1.4 考慮表面能的相平衡晶體的平衡外形
1.4.1 在彎曲表面下的相平衡
1.4.2 晶體的平衡外形
1.4.3 平均剝離功 平衡外形的獲得
1.4.4 平衡外形的實驗觀察
第2章 成核和外延
2.1 均勻成核
2.1.1 成核功和速率 核的大小和形狀
2.1.2 氣相臨界過飽和度和亞穩邊界
2.1.3 凝聚相中成核
2.1.4 瞬變成核過程
2.2 非均勻成核
2.2.1 成核功和速率 核的大小和形狀
2.2.2 成核的原子圖像 團簇
2.2.3 綴飾 生長的起始階段
2.2.4 熔體中固體表面的活性
2.3 外延
2.3.1 主要現象
2.3.2 熱力學
2.3.3 動力學
2.3.4 錯配位錯和贗同構條件
第3章 生長機制
3.1 晶體的垂直生長和逐層生長
3.1.1 垂直生長和逐層生長的條件
3.1.2 垂直生長的動力學係數
3.1.3 層狀生長和表面生長速率的各向異性
3.2 不同相中的逐層生長
3.2.1 氣相生長
3.2.2 溶液生長
3.2.3 熔體生長
3.3 層源和麵生長速率
3.3.1 核
3.3.2 位錯
3.3.3 面生長的動力學係數和各向異性
3.3.4 層源的實驗資料
3.4 層狀生長表面的形貌
3.4.1 研究生長過程和表面的光學方法
3.4.2 氣相生長時的臺階、鄰晶丘和位錯的形成
3.4.3 動力學波和宏觀臺階
3.4.4 表面熔化
第4章 雜質
4.1 雜質對生長過程的影響
4.1.1 平衡的移動
4.1.2 吸附
4.1.3 生長速度、外形和雜質濃度的關係
4.2 雜質的俘獲：分類和熱力學
4.2.1 分類
4.2.2 熱力學
4.2.3 晶體一熔體系的平衡雜質分佈
4.2.4 晶體一溶液系的平衡雜質分佈
4.2.5 表面層中的平衡
4.2.6 雜質粒子的相互作用
4.3 雜質的俘獲：動力學
4.3.1 表面過程
4.3.2 脈衝退火
4.3.3 母相介質的擴散
4.3.4 實驗分佈係數
第5章 質量和熱輸運生長外形及其穩定性
5.1 結晶中質量和熱量的傳遞
5.1.1 停滯溶液 動力學範疇和擴散範疇
5.1.2 攪動溶液 阻抗總和
5.1.3 熔體中的動力學範疇和擴散範疇
5.1.4 多面體的擴散場
5.2 生長外形
5.2.1 動力學
5.2.2 週期鍵鏈(PBC)法決定晶體慣態
5.2.3 Bravais-Donnay-Harker法則
5.2.4 生長條件的影響
5.2.5 小面化效應
5.3 生長外形的穩定性
5.3.1 球體
5.3.2 多面體
5.3.3 平面
第6章 缺陷的產生
6.1 夾雜物
6.1.1 母相溶液夾雜物
6.1.2 外來粒子夾雜物
6.2 位錯內應力晶粒間界
6.2.1 籽晶中的位錯
6.2.2 表面過程中位錯的發生
6.2.3 位錯的取向
6.2.4 熱應力
6.2.5 與空位和雜質有關的位錯
6.2.6 晶粒間界
第7章 團塊結晶學
7.1 凝固動力學和晶粒尺寸
7.2 幾何選擇和鑄錠的形成
7.3 熱和質量的傳遞
7.4 成熟(聚結)
7.5 非金屬工業結晶學原理
第8章 氣相生長
8.1 概述
8.2 氣相結晶的物理化學基礎
8.2.1 表面活性以及襯底和晶種的製備
8.2.2 分子束粒子流密度介質中材料的濃度
8.2.3 晶體結構的完整性最小、最大和最佳過飽和度 外延溫度
8.2.4 異質外延生長
8.2.5 非晶襯底上的取向結晶
8.3 物理氣相澱積
8.3.1 分子束方法
8.3.2 陰極濺射
8.3.3 在密封系統中的氣相結晶
8.3.4 流氣結晶
8.4 化學氣相澱積(CVD)
8.4.1 化學輸送
8.4.2 氣相分解法
8.4.3 氣相合成法
8.5 外界輔助的氣相生長
8.6 通過液相區的氣相結晶
8.6.1 氣一液一固(VI。s)生長機制的一般介紹
8.6.2 VI。S過程的生長動力學
8.6.3 VLs機制和晶鬚生長的基本規律
8.6.4 受控晶鬚生長
8.6.5 晶片、外延膜、大塊晶體生長中VI.。S機制的作用
第9章 溶液生長
9.1 溶液生長晶體的物理化學基礎
9.1.1 生長方法分類和熱力學條件
9.1.2 溶液生長的機制
9.2 低溫水溶液生長
9.2.1 低溫水溶液生長晶體的方法
9.2.2 KDP和ADP晶體的生長
9.3 水熱溶液中的生長和合成
9.3.1 水熱溶液中的晶體生長方法
9.3.2 水熱法生長晶體的裝置
9.3.3 水熱溶劑 溶劑特性
9.3.4 結晶物同礦化劑的相互作用
9.3.5 晶體的水熱生長
9.3.6 水熱晶體的缺陷及消除方法
9.3.7 一些水熱法生長的晶體
9.4 高溫溶液生長(熔鹽生長)
第10章 熔體生長
10.1 熔體單晶生長的物理化學基礎
10.1.1 熔體的狀態
10.1.2 容器材料
10.1.3 結晶氣氛
10.2 熔體生長單晶的主要方法
10.2.1 凱羅泡洛斯法和提拉法
10.2.2 斯托克巴傑一布裡奇曼方法
10.2.3 焰熔法
10.2.4 區熔法
10.2.5 晶體和熔體內的熱傳遞
10.2.6 溫度控制和穩定系統
10.2.7 生長單晶的自動控制系統
10.2.8 生長方法的選擇
10.3 熔體生長晶體的缺陷和晶體實際結構的控制方法
10.3.1 外來夾雜物
10.3.2 雜質
10.3.3 殘餘應力、位錯和晶粒間界
參考文獻
參考書刊
譯後記
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