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內容簡介
自1958年集成電路誕生以來，矽基集成芯片製造技術迅速發展，現今已經進入亞5nm時代。矽基芯片製造技術可以概括為一系列微細加工矽片技術，這些愈益精密的微細加工技術持續創新與升級，源于20世紀初以來現代物理等物質科學知識的長期積累。充分瞭解各種微細加工技術背後的科學原理，是理解和掌握集成芯片製造工藝技術的基礎。
全書共20章。前8章概述矽基集成芯片從小規模到極大規模集成的創新演進路徑，分析集成芯片製造技術快速升級換代的獨特規律，研判器件微小型化技術與摩爾規律的內在聯繫，並對半導體物理和晶體管原理基礎理論知識作概要討論。後12章分別闡述熱氧化、矽單晶與外延生長及SOI晶片、精密圖形光刻、擴散摻雜、離子注入與快速退火、PVD與CVD及ALD薄膜澱積、高密度等離子
自1958年集成電路誕生以來，矽基集成芯片製造技術迅速發展，現今已經進入亞5nm時代。矽基芯片製造技術可以概括為一系列微細加工矽片技術，這些愈益精密的微細加工技術持續創新與升級，源于20世紀初以來現代物理等物質科學知識的長期積累。充分瞭解各種微細加工技術背後的科學原理，是理解和掌握集成芯片製造工藝技術的基礎。
全書共20章。前8章概述矽基集成芯片從小規模到極大規模集成的創新演進路徑，分析集成芯片製造技術快速升級換代的獨特規律，研判器件微小型化技術與摩爾規律的內在聯繫，並對半導體物理和晶體管原理基礎理論知識作概要討論。後12章分別闡述熱氧化、矽單晶與外延生長及SOI晶片、精密圖形光刻、擴散摻雜、離子注入與快速退火、PVD與CVD及ALD薄膜澱積、高密度等離子
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