新電子科技_NO.466_2025/1月號(電子書)
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新電子科技_NO.466_2025/1月號(電子書)

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※請確定您所選購之期刊正確無誤,本期為2025年02月號 NO.467 ※
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※本期號上架時間至2025/03/08※

WBG迎新春

寬能隙半導體迎來發展新契機,台廠積極布局。隨著中國擴產,碳化矽晶圓價格大幅下滑。國際大廠的氮化鎵8吋、12吋產能也陸續開出,帶動成本優勢。在應用面,AI運算需求快速成長成為主要動能。AI伺服器、AI PC等高功率應用需要更高效的電源解決方案,為寬能隙半導體創造商機。碳化矽適合用於高壓供電,氮化鎵則在中小功率轉換占優勢。

在國際競爭中,台廠可以採取差異化策略,避免與中國廠商低價競爭,而以提供高效能且具價格競爭力的產品為主。台灣雖然在碳化矽與氮化鎵製程與產能投資上仍有進步空間,但憑藉完整的半導體產業優勢,加上中美貿易戰帶來的轉單效應,台廠有望在全球供應鏈中找到獨特定位。

 

新電子科技雜誌於1986年創刊,以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居,提供國際與國內電子產業重點資訊,以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質,透過讀者回函瞭解讀者意見,調整方向以專業豐富的內容建立特色;定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度,樹立專業形象;透過網際網路豐富資訊的提供,資訊擴及華人世界。

更多資訊請參考:http://www.mem.com.tw

目次

■主題探索

碳化矽/氮化鎵雙軌發展 台寬能隙半導體供應鏈成型

EV/資料中心強力帶動 格棋力拼打入SiC供應鏈

碳化矽成本優勢浮現 即思創意站穩WBG利基市場

台亞WBG生力軍雙龍搶珠 子公司積亞/冠亞分進合擊

GaN產能與價格雙重助攻 碇基搶灘AI高功率電源需求

高密度電源需求大增 Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

中高電壓功率元件效能再升 SiC固態電池斷路器設計有眉角

 

■技術解密

滿足嵌入式應用特殊需求 eUSB2V2標準問世

導入銅柱技術須謹慎 覆晶封裝可靠度評估不可輕忽

提升雷達探測距離 氮化鎵PA脈衝下降有解

SGP4模型家族結合ML 衛星位置估算選擇更多元

預測/模擬技術再進化 IIoT攜手AI製造業營運效率Up

現場匯流排原理/應用設計 CAN FD車載通訊有感升級

 

■市場透視

精準定位Find My更便利 藍牙6.0通道探測應用範疇大開

想定偏誤或過早布局? 純推論晶片面臨轉型壓力

國防需求帶動太空經濟 歐盟航太產業急起直追

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