三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術 / 化合物半導體

《Si Cp/Al-Si基複合材料的製備技術及組織性能》針對Si Cp/Al-Si複合材料製備及加工過程中微觀組織、界面結構及性能難以控制的難題，介紹粉末冶金法製備工藝，採用碳化矽預處理、基體微合金化、稀土氧化物變質及細化處理等措施製備了Si Cp/Al-30Si、Si Cp/Al-19Si-Cu-Mg、氧化態Si Cp/Al-19Si-Cu-Mg、納米Si Cp/Al-12Si-Cu-Mg複合材料。《Si Cp/Al-Si基複合材料的製備技術及組織性能》闡明複合材料微觀結構演變規律、界面結構及增強相特徵與性能的關聯性，揭示了基於界面效應與第二相協同作用的強韌化機制，實現輕質高強低膨脹複合材料的可控制備，為Si Cp/Al-Si複合材料應用提供技術支撐。

隨著信息技術的飛速發展，半導體材料的應用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應用領域。傳統元素半導體矽材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導體應運而生並快速發展。本書以浙江大學材料科學工程學系“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎，參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材，結合課題組多年的研究成果編寫而成。此書的編寫目的是為高等院校學生提供一本學習和掌握化合物半導體材料與器件的參考書。

《基於表面改性的氮化鎵納米材料》本書主要介紹了第一性原理模擬方法及其在計算機模擬中各種參數的設置和實際模擬中的參數選擇，同時闡述了該方法在基於表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質和磁學性質研究中的應用，並將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。本書可供從事半導體納米材料的科研人員和工程技術人員使用，也可作為高等院校相關專業師生的參考用書。

本書介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O3四種最重要的寬禁帶半導體電子材料和器件,從晶體結構、帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件等方面論述了其基礎物理性質、面臨的關鍵科學技術問題、國內外前沿研究成果和應用前景。

晶體管這個被譽為20世紀最偉大的發明改變了世界，而以矽材料為基礎的微電子器件則以其低功耗、低成本、易集成等優點迅速佔領了絕大部分電子市場，並成為當時高科技產業的重要支柱。從晶體管的發明、集成電路的出現、計算機的不斷更新換代、再到通信網絡的飛速發展，人類生活的各個層面無不打下了微電子的烙印：微電子產品已經被用到人們物資生活的各個層面；微電子的設計思想和製作方法也已經滲入到不同學科及社會領域。然而，微電子器件的進一步小型化使得集成電路的互連延遲效應及能耗問題成了以電子作為信息載體的高速集成電路技術的一個不可逾越的障礙。與電子相比，光子作為信息載體具有巨大的優勢：光子沒有靜止質量，光子之間也幾乎沒有干擾，光的不同波長可用于多路同時通訊，因此，利用光子的信息技術具有更大的帶寬和更高的速率。所謂矽基光電子學，就是研究和開發以光子和電子為信息載體的矽基大規模集成技術。其核心內容就是探討微米/納米級光子、電子、及光電子器件在不同材料體系中的新穎工作原理，並使用與矽基集成電路工藝兼容的技術和方法，將它們異質集成在同一矽襯底上，形成一個完整的具有綜合功能的新型大規模光電集成芯片的一門科學。雖然矽材料在光電效應方面存在著"先天不足"，而光子器件在尺寸方面也"衍射受限"，但將微電子和光電子結合起來，開發矽基大規模光電子集成技術，已經獲得巨大得進展，並成為信息技術發展的必然和業界的普遍共識。本書的目的僅在於為這一歷史進程提供理論研究和技術開發的支持，希望其內容能夠對讀者起到一個"抛磚引玉"的作用。法。

本書主要闡述國內外矽基發光材料和器件的研究進展，主要包括：（1）矽基納米結構材料與發光器件，（2）矽基雜質與缺陷發光中心的構建及器件，（3）矽基多孔矽發光製備與器件，（4）矽基能帶調控發光材料與雷射器件，（5）矽基量子點外延材料及雷射器件，（6）矽/化合物半導體混合鐳射。（7）矽基有機發光材料與器件，（8）矽基光源和光波導集成。

本書共分為6章：第1章是關於AlX(X=N,P,As)化合物的研究進展的專題介紹，引出了現階段AlX(X=N,P,As)化合物的機遇與挑戰。第二章以實驗上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相為對象，開展AlX(X=N,P,As)化合物的性質研究及對比分析，闡明組分改變對相同結構的AlX化合物的性質影響規律。第三章中詳述了對新型AlN正交結構、高壓相變及其相關性質研究。不同於前述正交結構AlN，

本書系統地研究了低維氮化鎵納米材料的穩定性、電子、磁性等性質。全書共包括7章：第1章為本書概述；第2章詳細地介紹了第-性原理方法；第3至第7章採用基於密度泛函框架下的第*性原理系統研究了填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩定性、電子、磁學特性和磁性起源機理。

《高等院校材料專業系列規劃教材:寬禁帶化合物半導體材料與器件》共9章，主要內容為：緒論；化合物半導體材料基礎；化合物半導體中的缺陷；寬帶隙半導體發光；化合物半導體器件基本原理，包括pn結、超晶格與量子阱；寬帶隙化合物半導體材料及其器件的應用，主要介紹SiC、ZnO和GaN的研究現狀。《高等院校材料專業系列規劃教材:寬禁帶化合物半導體材料與器件》特點：（1）簡明扼要、重點突出地介紹了半導體材料與器件

本書以矽鍺異質結構外延生長過程中產生的部分位元錯為研究背景，採用分子類比方法研究矽中部分位元錯的運動特性以及與其它缺陷的相互作用。全書共分為七章，主要內容包括：緒論、分子模擬原理及方法簡介、30度部分位元錯的運動特性等。

《信息科學技術學術著作叢書：硅通孔3D集成技術》系統討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術的最新進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導體工業中的納米技術和三維集成技術的起源和演變歷史，結合當前三維集成關鍵技術的發展重點討論TSV制程技術、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過程中的拿持技術、三維堆疊的微凸點制作與

化合物半導體加工中的表征一書是為使用化合物半導體材料與設備的科學家與工程師準備的，他們并不是表征專家。在

本系列叢書分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件制備》、《半導體化合物光電器件檢測》三

本系列叢書分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件制備》、《半導體化合物光電器件檢測》三

本書系統地研究了一維氮化鎵納米材料的幾何結構、穩定性、電子和磁性等性質。全書共包括7章：第1章為緒論；第2章詳細地介紹了第一性原理方法；第3至第6章採用基於密度泛函框架下的第一性原理投影綴加波方法全面系統研究了吸附、摻雜、填充的GaN納米管以及完整和缺陷GaN納米帶的幾何結構、穩定性及其電子性質；第7章為部分主要結論。 本書可以作為高等院校材料學和物理學及相關專業高年級本科生和研究生的參考書，也可供從事納米科技和納米材料教學與研究工作者的參考用書。

《碲鎘汞材料物理與技術》系統地介紹了碲鎘汞材料的物理性能、製備工藝技術以及材料與器件的關係。材料的物理性能包括了碲鎘汞材料的結構、熱學、熱力學（相圖）、電學、光學和缺陷性能，材料的製備工藝技術包括了材料的生長工藝、熱處理工藝和各種檢測分析技術以及材料製備工藝所涉及的通用性基礎工藝技術，《碲鎘汞材料物理與技術》同時也對碲鎘汞外延所使用的碲鋅鎘襯底材料進行了專門的介紹。在論述材料與器件關係的部分，《碲

硅基光電子學專門研究硅以及硅基異質結材料中光子與電子相互作用的行為和規律，并且非常重視硅基光電子器件的設計、制造在光通信、光計算等領域中的實際應用。編寫硅基光電子學課程教材將有助于推動我們學院課程與國際先進技術的融合，拓展研究生的研究能力。但目前國內還沒有關于硅基光電子學的教材。 本書為北京大學教材立項.

本書是一本系統介紹碳化硅半導體材料及器件的專著，主要論述了SiC材料與器件中的相關基礎理論，內容包括：SiC材料特性、SiC同質外延和異質外延、SiC歐姆接觸、肖特基勢壘二極管、大功率PiN整流器、SiC微波二極管、SiC晶閘管、SiC靜態感應晶體管、SiC襯底材料生長、SiC深能級缺陷、SiC結型場效應晶體管，以及SiC BJT等。書中涉及SiC材料制備、外延生長、測試表征、器件結構與工作原理、

《氧化鋅透明導電薄膜及其應用》主要介紹了新型ＺｎＯ基透明導電薄膜和低成本、大面積濕化學法成膜技術；概述了透明導電氧化物薄膜的透明導電機理、材料體系、摻雜策略、制備技術、應用開發及發展趨勢；比較了氣相沉積法與濕化學沉積法的成膜機理；重點論述了溶膠凝膠法、噴霧熱分解法、電沉積法、化學浴沉積法等低成本、大面積制備ＺｎＯ基透明導電薄膜和ＺｎＯ納米線陣列膜的濕化學法可控生長及其應用于太陽能電池。 《氧化鋅